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開關(guān)功率<b>器件</b>

萬用表測量技巧.

萬用表測量技巧用萬用表檢測彩色電視機(jī)開關(guān)電源

標(biāo)簽： 萬用表

上傳時(shí)間： 2021-11-27

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功率半導(dǎo)體器件芯片背面多層金屬層技術(shù)講解

該文檔為功放電源線功放延時(shí)器知識的簡介講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

標(biāo)簽： 功率半導(dǎo)體器件

上傳時(shí)間： 2021-12-01

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華為開關(guān)電源電感器設(shè)計(jì).pdf

華為開關(guān)電源電感器設(shè)計(jì) 正激式開關(guān)電源變壓器設(shè)計(jì)步驟

標(biāo)簽： 華為開關(guān)電源

上傳時(shí)間： 2021-12-03

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移相全橋的原理及設(shè)計(jì)

本文對PWM全橋軟開關(guān)直流變換器進(jìn)行了研究。具體闡述了PWM全橋ZS軟開關(guān)直流變換器的工作原理和軟開關(guān)的實(shí)現(xiàn)條件，就基本的移相控制FB ZVS PWM變換器存在的問題給予分析并對兩種改進(jìn)方案進(jìn)行了研究：1、能在全部工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)的改進(jìn)型全橋移相zvs-PWM DCDC變換器，文中通過對其開關(guān)過程的分析，得出實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)零電壓開關(guān)的條件。采用改進(jìn)方案設(shè)計(jì)了一臺48V~6 VDC/DC變換器，實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明其比基本的 ZVS-PWM變換器具有更好的軟開關(guān)性能。2、采用輔助網(wǎng)絡(luò)的全橋移相 ZVZCS-PWM DCDC變換器，文中具體分析了其工作原理及變換器特性，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率變換器在開關(guān)電源、不間斷電源、CPU電源照明、電機(jī)驅(qū)動控制、感應(yīng)加熱、電網(wǎng)的無功補(bǔ)償和諧波治理等眾多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，電力電子技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢使功率變換器的重量大大減輕體積大大減小，提高了產(chǎn)品的性能價(jià)格比，但采用傳統(tǒng)的硬開關(guān)技術(shù)，開關(guān)損耗將隨著開關(guān)頻率的提高而成正比地增加，限制了開關(guān)的高頻化提高功率開關(guān)器件本身的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗，另一方面，從變換器結(jié)構(gòu)和控制上改善功率開關(guān)器件的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗。如緩沖技術(shù)、無損緩沖技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)等軟開關(guān)技術(shù)在減少功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗方面效果比較好，理論上可使開關(guān)損耗減少為零。12軟開關(guān)技術(shù)的原理和類型功率變換器通常采用PwM技術(shù)來實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。硬開關(guān)技術(shù)在每次開關(guān)通斷期間功率器件突然通斷全部的負(fù)載電流，或者功率器件兩端電壓在開通時(shí)通過開關(guān)釋放能量，這種方式的工作狀況下必將造成比較大的開關(guān)損耗和開關(guān)應(yīng)力，使開關(guān)頻率不能做得很高。軟開關(guān)技術(shù)是利用感性和容性元件的諧振原理，在導(dǎo)通前使功率開關(guān)器件兩端的電壓降為零，而關(guān)斷時(shí)先使功率開關(guān)器件中電流下降到零，實(shí)現(xiàn)功率開關(guān)器件的零損耗開通和關(guān)斷，并且減少開關(guān)應(yīng)力。

標(biāo)簽： 移相全橋

上傳時(shí)間： 2022-03-29

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感應(yīng)加熱電源頻率跟蹤控制電路的設(shè)計(jì)

感應(yīng)加熱電源運(yùn)行過程中由于負(fù)載的工作特性隨溫度變化,為了提高電能傳輸?shù)截?fù)載的效率,保證負(fù)載工作在串聯(lián)諧振狀態(tài),需要實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的頻率跟蹤.通過對負(fù)載的頻率跟蹤有效地減少了功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)了零電壓開通.本文首先介紹了串聯(lián)諧振的感應(yīng)加熱電源的主電路結(jié)構(gòu),采用IGBT作為功率開關(guān)器件.其次介紹了鎖相環(huán)電路,闡述了其結(jié)構(gòu)和工作原理.最后提出了基于SG3525的頻率跟蹤電路,經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明此電路工作穩(wěn)定、可靠,現(xiàn)以投入到實(shí)際產(chǎn)品中.

標(biāo)簽： 電源頻率跟蹤控制電路

上傳時(shí)間： 2022-04-21

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11本開關(guān)電源經(jīng)典書籍大放送（網(wǎng)盤）

全部都是個(gè)人珍藏開關(guān)電源書籍，學(xué)習(xí)完不成大牛你們來找我~1、《反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)、制作、調(diào)試》_2014年版2、《交換式電源供給器之理論與實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)》3、《精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)》_2008年版4、《開關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì)》_2001年版5、《開關(guān)電源故障診斷與排除》_2011年版6、《開關(guān)電源設(shè)計(jì)》第2版_2005年版7、《開關(guān)電源設(shè)計(jì)與優(yōu)化》_2006年版8、《開關(guān)電源設(shè)計(jì)指南》_2004年版9、《開關(guān)電源手冊》第2版_2006年10、《新型開關(guān)電源優(yōu)化設(shè)計(jì)與實(shí)例詳解》_2006版11、開關(guān)電源專業(yè)英語

標(biāo)簽： 開關(guān)電源

上傳時(shí)間： 2022-06-01

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IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計(jì).

電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與1C技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個(gè)方面，其中電力電子器件是電力電子技術(shù)的重要基礎(chǔ)，也是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭"。從1958年美國通用電氣（GE）公司研制出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組和靜止的離子變流器進(jìn)入由電力電子器件構(gòu)成的變流器時(shí)代，這標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。到了70年代，晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品。同時(shí)，非對稱晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向品閘管、光控晶閘管等品閘管派生器件相繼問世，廣泛應(yīng)用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，其研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。由于普通晶閘管不能自關(guān)斷，屬于半控型器件，因而被稱作第一代電力電子器件。在實(shí)際需要的推動下，隨著理論研究和工藝水平的不斷提高，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發(fā)展，先后出現(xiàn)了GTR，GTO、功率MOSET等自關(guān)斷、全控型器件，被稱為第二代電力電子器件。近年來，電力電子器件正朝著復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展，如IGPT，MCT，HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物

標(biāo)簽： igbt 驅(qū)動電路

上傳時(shí)間： 2022-06-19

上傳用戶：qdxqdxqdxqdx
MOSFET和IGBT區(qū)別

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同, 決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.1, 由于MOSFET的結(jié)構(gòu), 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點(diǎn)頻率不是太高, 目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品.3, 就其應(yīng)用, 根據(jù)其特點(diǎn):MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源, 鎮(zhèn)流器, 高頻感應(yīng)加熱, 高頻逆變焊機(jī), 通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT 集中應(yīng)用于焊機(jī), 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS ( 零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET或 IGBT 導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊?。?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外， IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)載流子所需的時(shí)間導(dǎo)致了導(dǎo)通電壓拖尾（ voltage tail ）出現(xiàn)。

標(biāo)簽： mosfet igbt

上傳時(shí)間： 2022-06-21

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新能源汽車電機(jī)控制器IGBT模塊的驅(qū)動技術(shù)

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。成為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流，廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、光伏、電動汽車、智能電網(wǎng)等行業(yè)中。在電動汽車行業(yè)中，電機(jī)控制器、輔助動力系統(tǒng)，電動空調(diào)中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應(yīng)用于電機(jī)控制器中，由于電動汽車電機(jī)控制器工作環(huán)境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)等寄生參數(shù)的直接影響到驅(qū)動電路的可靠性1電機(jī)控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實(shí)行比較完善的保護(hù)。過流會引起電機(jī)控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進(jìn)行檢測，并由相應(yīng)的電路來實(shí)現(xiàn)保護(hù)；過壓一般發(fā)生在IGBT關(guān)斷時(shí)，較大的di/dt會在寄生電感上產(chǎn)生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當(dāng)降低開關(guān)速率。短路故障發(fā)生后瞬時(shí)就會產(chǎn)生極大的電流，很快就會損壞1GBT，主控制板的過流保護(hù)根本來不及，必須由硬件電路控制驅(qū)動電路瞬間加以保護(hù)。因此驅(qū)動器的設(shè)計(jì)過程中，保護(hù)功能設(shè)計(jì)得是否完善，對系統(tǒng)的安全運(yùn)行尤其重要。

標(biāo)簽： 新能源汽車電機(jī)控制器 igbt

上傳時(shí)間： 2022-06-22

上傳用戶：XuVshu
大功率IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的研究與應(yīng)用

IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合器件，它具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動功率小和驅(qū)動電路簡單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)壓降小、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn).IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場合，已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文在介紹了1GBT結(jié)構(gòu)、工作特性的基礎(chǔ)上，針對風(fēng)電變流器實(shí)驗(yàn)平臺和岸電電源的實(shí)際應(yīng)用，選擇了各自的IGBT模塊。然后對IGBT的驅(qū)動電路進(jìn)行了深入地研究，詳細(xì)地說明了IGBT對柵極驅(qū)動的一些特殊要求及應(yīng)該滿足的條件。接著對三種典型的驅(qū)動模塊進(jìn)行了分析，同時(shí)分別針對風(fēng)電變流器實(shí)驗(yàn)平臺和岸電電源，設(shè)計(jì)了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驅(qū)動模塊的外圍驅(qū)動電路。對于大功率的設(shè)備，電路中經(jīng)常會遇到過流、過壓、過溫的問題，因此必要的保護(hù)措施是必不可少的。針對上述問題，本文分析了出現(xiàn)各種狀況的原因，并給出了各自的解決方案：采用分散式和集中式過流保護(hù)相結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)；采用緩存吸收電路及采樣檢測電路以防止過電壓的出現(xiàn)；通過選擇正確的散熱器及利用鉑電阻的特性來實(shí)施檢測溫度，從而使電路能夠更好地可靠運(yùn)行。同時(shí)，為了滿足今后1.5MW風(fēng)電變流器和試驗(yàn)電源等更大功率設(shè)備的需求，在性價(jià)比上更傾向于采用IGBT模塊串、并聯(lián)的方式來取代高耐壓、大電流的單管1GBT.本文就同一橋臂的IGBT串聯(lián)不均壓，并聯(lián)不均流的問題進(jìn)行了闡述，并給出了相應(yīng)的解決方案。最后針對上述的不平衡情形，采用PSpice對其進(jìn)行仿真模擬，并通過加入均壓、均流電路后的仿真結(jié)果，有效地說明了電路的可行性。

標(biāo)簽： 大功率 igbt

上傳時(shí)間： 2022-06-22

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