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開關功率器件

  • VMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15GVMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

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    上傳時間： 2014-05-05

    上傳用戶：時代將軍

  • 功率放大器

    里面包含多種功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三極管和二極管等構成。

    標簽： 功率放大器

    上傳時間： 2016-12-06

    上傳用戶：bestjgc

  • 第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰

    作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ，其 中 結 型 柵 結 構 （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ，業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。

    標簽： 第三代半導體 GaN 功率開關器件

    上傳時間： 2021-12-08

    上傳用戶：XuVshu

  • 中大功率IGBT驅動及串并聯特性應用研究

    本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅動電路原理和要求的基礎上，對EXB841，M57962AL，2SD315A等幾種驅動電路的工作特性進行了比較。并針對用于輕合金表面防護處理的特種脈沖電源主功率開關器件驅動電路運行中存在的問題對驅動電路提出了功能改進和擴展方案，進行了實驗調試，并成功地應用于不同功率容量1GBT模塊的驅動，運行情況良好，提高了電源的可靠性。針對電源設備的進一步功率擴容要求，采用IGBT模塊串、并聯運行方案。對并聯模塊的均流、同步觸發、散熱、布局、布線等問題進行了詳細的分析和討論，同時也討論了串聯模塊的均壓、驅動等問題，并用仿真電路對串并聯模塊的工作特性進行了仿真分析。最后將IGBT串并聯方案成功地應用于表面處理特種電源中，實際運行表明1GBT模塊的串并聯擴容是可行的。關鍵i：IGBT，驅，串聯，并聯功率開關器件在電力電子設備中占據核心的位置，它的可靠工作是整個裝置正常運行的基本條件。[1）在主電路拓撲設計和功率開關器件選取合理的前提下，如何可靠地驅動和保護主開關器件顯得十分關鍵。功率開關器件的驅動電路是主電路與控制電路之間的接口，是電力電子裝置的重要部分，對整個設備的性能有很大的影響，其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅動功率開關器件。簡而言之，驅動電路的基本任務就是將控制電路傳來的信號，轉換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導通和關斷的信號。同樣的器件，采用不同的驅動電路將得到不同的開關特性。采用性能良好的驅動電路可以使功率開關器件工作在比較理想的開關狀態，同時縮短開關時間，減小開關損耗，對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅動電路的優劣直接影響主電路的性能，因此驅動電路的合理化設計顯得越來越重要。

    標簽： igbt

    上傳時間： 2022-06-19

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  • 功率計量模塊HLW8032

    HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流，并能計算有功功率，視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點，適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。 

    標簽： 功率計量模塊 hlw8032

    上傳時間： 2022-06-21

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  • 大功率器件IGBT散熱分析

    0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產生很大的損耗，這些損耗通常表現為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當的散熱裝置，將熱量傳導到外部環境。如果散熱裝置設計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產生的損耗功率Pa、器件允許的結溫T、環境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據Raf-a）求出最大允許的散熱器到環境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續流二極管FWD組成，它們各自發生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅動功耗，即構成IGRT模塊整體發生的損耗。另外，發生損耗的情況可分為穩態時和交換時。對上述內容進行整理可表述如下：

    標簽： 大功率器件 igbt 散熱

    上傳時間： 2022-06-21

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  • 全遙控數字音量控制的D類功率放大器資料

    幾十年來在音頻領域中，A 類、B 類、AB 類音頻功率放大器一直占據“統治”地位，其發展經歷了這樣幾個過程：所用器件從電子管、晶體管到集成電路過程；電路組成從單管到推挽過程；電路形成從變壓器輸出到OTL、OCL、BTL 形式過程。其基本類型是模擬音頻功率放大器，它的最大缺點是效率太低。全球音視頻領域數字化的浪潮以及人們對音視頻設備節能環保的要求，迫使人們盡快開發高效、節能、數字化的音頻功率放大器，它應該具有工作效率高，便于與其他數字化設備相連接的特點。D 類音頻功率放大器是PWM 型功率放大器，它符合上述要求。近幾年來，國際上加緊了對D 類音頻功率放大器的研究與開發，并取得了一定的進展，幾家著名的研究機構及公司已經試驗性地向市場提供了D 類音頻功率放大器評估模塊及技術。這一技術一經問世立即顯示出其高效、節能、數字化的顯著特點，引起了科研、教學、電子工業、商業界的特別關注，現在這一前沿的技術正迅猛發展，前景一片光明。

    標簽： 遙控數字音量控制 功率放大器

    上傳時間： 2022-07-28

    上傳用戶：zhaiyawei

  • 壓電器件

    壓電器件

    標簽： 壓電器件

    上傳時間： 2013-06-23

    上傳用戶：eeworm

  • 現代光電器件技術及應用

    現代光電器件技術及應用

    標簽： 光電器件

    上傳時間： 2013-08-01

    上傳用戶：eeworm

  • 微波功率合成技術

    微波功率合成技術

    標簽： 微波功率 合成技術

    上傳時間： 2013-04-15

    上傳用戶：eeworm

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