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開關功率器件

VMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

器件數(shù)據(jù)手冊專輯 120冊 2.15GVMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

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上傳時間： 2014-05-05

上傳用戶：時代將軍
功率放大器

里面包含多種功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三極管和二極管等構成。

標簽： 功率放大器

上傳時間： 2016-12-06

上傳用戶：bestjgc
第三代半導體GaN功率開關器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

作者：何亮，劉揚論文摘要：氮化鎵 (G a N )材料具有優(yōu) 異的物理特性，非常適合于制作高溫、高速和大功率電子器件，具有十分廣闊的市場前景。 S i襯底上 G a N 基功率開關器件是目前的主流技術路線，其中結(jié) 型柵結(jié) 構（p 型柵）和共源共柵級聯(lián) 結(jié) 構 (C asco de)的常關型器件已經(jīng) 逐步實現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化，并在通用電源及光伏逆變等領域得到應用。但是鑒于以上兩種器件結(jié) 構存在的缺點，業(yè) 界更加期待能更充分發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用化，仍然面臨著在材料外延方面和器件穩(wěn) 定性方面的挑戰(zhàn) 。

標簽： 第三代半導體 GaN 功率開關器件

上傳時間： 2021-12-08

上傳用戶：XuVshu
中大功率IGBT驅(qū)動及串并聯(lián)特性應用研究

本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅(qū)動電路原理和要求的基礎上，對EXB841，M57962AL，2SD315A等幾種驅(qū)動電路的工作特性進行了比較。并針對用于輕合金表面防護處理的特種脈沖電源主功率開關器件驅(qū)動電路運行中存在的問題對驅(qū)動電路提出了功能改進和擴展方案，進行了實驗調(diào)試，并成功地應用于不同功率容量1GBT模塊的驅(qū)動，運行情況良好，提高了電源的可靠性。針對電源設備的進一步功率擴容要求，采用IGBT模塊串、并聯(lián)運行方案。對并聯(lián)模塊的均流、同步觸發(fā)、散熱、布局、布線等問題進行了詳細的分析和討論，同時也討論了串聯(lián)模塊的均壓、驅(qū)動等問題，并用仿真電路對串并聯(lián)模塊的工作特性進行了仿真分析。最后將IGBT串并聯(lián)方案成功地應用于表面處理特種電源中，實際運行表明1GBT模塊的串并聯(lián)擴容是可行的。關鍵i：IGBT，驅(qū)，串聯(lián)，并聯(lián)功率開關器件在電力電子設備中占據(jù)核心的位置，它的可靠工作是整個裝置正常運行的基本條件。[1）在主電路拓撲設計和功率開關器件選取合理的前提下，如何可靠地驅(qū)動和保護主開關器件顯得十分關鍵。功率開關器件的驅(qū)動電路是主電路與控制電路之間的接口，是電力電子裝置的重要部分，對整個設備的性能有很大的影響，其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率開關器件。簡而言之，驅(qū)動電路的基本任務就是將控制電路傳來的信號，轉(zhuǎn)換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導通和關斷的信號。同樣的器件，采用不同的驅(qū)動電路將得到不同的開關特性。采用性能良好的驅(qū)動電路可以使功率開關器件工作在比較理想的開關狀態(tài)，同時縮短開關時間，減小開關損耗，對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅(qū)動電路的優(yōu)劣直接影響主電路的性能，因此驅(qū)動電路的合理化設計顯得越來越重要。

標簽： igbt

上傳時間： 2022-06-19

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功率計量模塊HLW8032

HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流，并能計算有功功率，視在功率和功率因素。該器件內(nèi)部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內(nèi)核。HLW8032 可以通過 UART口進行數(shù)據(jù)通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內(nèi)置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環(huán)境能力強等優(yōu)點，適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。

標簽： 功率計量模塊 hlw8032

上傳時間： 2022-06-21

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大功率器件IGBT散熱分析

0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當?shù)纳嵫b置，將熱量傳導到外部環(huán)境。如果散熱裝置設計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動功耗，即構成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內(nèi)容進行整理可表述如下：

標簽： 大功率器件 igbt 散熱

上傳時間： 2022-06-21

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全遙控數(shù)字音量控制的D類功率放大器資料

幾十年來在音頻領域中，A 類、B 類、AB 類音頻功率放大器一直占據(jù)“統(tǒng)治”地位，其發(fā)展經(jīng)歷了這樣幾個過程：所用器件從電子管、晶體管到集成電路過程；電路組成從單管到推挽過程；電路形成從變壓器輸出到OTL、OCL、BTL 形式過程。其基本類型是模擬音頻功率放大器，它的最大缺點是效率太低。全球音視頻領域數(shù)字化的浪潮以及人們對音視頻設備節(jié)能環(huán)保的要求，迫使人們盡快開發(fā)高效、節(jié)能、數(shù)字化的音頻功率放大器，它應該具有工作效率高，便于與其他數(shù)字化設備相連接的特點。D 類音頻功率放大器是PWM 型功率放大器，它符合上述要求。近幾年來，國際上加緊了對D 類音頻功率放大器的研究與開發(fā)，并取得了一定的進展，幾家著名的研究機構及公司已經(jīng)試驗性地向市場提供了D 類音頻功率放大器評估模塊及技術。這一技術一經(jīng)問世立即顯示出其高效、節(jié)能、數(shù)字化的顯著特點，引起了科研、教學、電子工業(yè)、商業(yè)界的特別關注，現(xiàn)在這一前沿的技術正迅猛發(fā)展，前景一片光明。

標簽： 遙控數(shù)字音量控制功率放大器

上傳時間： 2022-07-28

上傳用戶：zhaiyawei
壓電器件

壓電器件

標簽： 壓電器件

上傳時間： 2013-06-23

上傳用戶：eeworm
現(xiàn)代光電器件技術及應用

現(xiàn)代光電器件技術及應用

標簽： 光電器件

上傳時間： 2013-08-01

上傳用戶：eeworm
微波功率合成技術

微波功率合成技術

標簽： 微波功率合成技術

上傳時間： 2013-04-15

上傳用戶：eeworm