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開(kāi)關(guān)功率器件

功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)化白皮書(shū)

該文檔為功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)及標(biāo)準(zhǔn)化白皮書(shū)講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

標(biāo)簽： 分立器件

上傳時(shí)間： 2022-03-01

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功率半導(dǎo)體器件：理論及應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件：理論及應(yīng)用,基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用

標(biāo)簽： 功率半導(dǎo)體器件

上傳時(shí)間： 2022-05-04

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基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)

本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計(jì).主要工作有以下幾個(gè)方面：首先，設(shè)計(jì)功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對(duì)中間級(jí)和末級(jí)功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點(diǎn)，繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計(jì)。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu)，使用ADS軟件對(duì)其進(jìn)行仿真優(yōu)化，設(shè)計(jì)出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點(diǎn)分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設(shè)計(jì)功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過(guò)流保護(hù)功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設(shè)計(jì)出滿足要求的電源電路。最后，分別運(yùn)用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過(guò)對(duì)硬件電路的調(diào)試，最終使得整體電路滿足了設(shè)計(jì)性能的要求。

標(biāo)簽： GaN器件射頻功率放大電路

上傳時(shí)間： 2022-06-20

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Tmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用-292頁(yè)-9.9M.pdf

專(zhuān)輯類(lèi)-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專(zhuān)輯-120冊(cè)-2.15G Tmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用-292頁(yè)-9.9M.pdf

標(biāo)簽： Tmos 292 9.9

上傳時(shí)間： 2013-07-06

上傳用戶(hù)：wang5829
國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè)-下冊(cè)-1439頁(yè)-20.5M.pdf

專(zhuān)輯類(lèi)-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專(zhuān)輯-120冊(cè)-2.15G 國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè)-下冊(cè)-1439頁(yè)-20.5M.pdf

標(biāo)簽： 1439 20.5 功率晶體管

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用-225頁(yè)-3.2M.pdf

專(zhuān)輯類(lèi)-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專(zhuān)輯-120冊(cè)-2.15G VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用-225頁(yè)-3.2M.pdf

標(biāo)簽： VMOS 225 3.2

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè)-NPN管-1404頁(yè)-35.4M.pdf

專(zhuān)輯類(lèi)-器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專(zhuān)輯-120冊(cè)-2.15G 新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè)-NPN管-1404頁(yè)-35.4M.pdf

標(biāo)簽： 1404 35.4 NPN

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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射頻功率放大器及其線性化方法研究.rar

射頻功率放大器存在于各種現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)的末端，所以射頻功率放大器性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)通信系統(tǒng)的性能指標(biāo)。如何在兼顧效率的前提下提高功放的線性度是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)，在射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程中這是非常重要的問(wèn)題。作為發(fā)射機(jī)末端的重要模塊，射頻功率放大器的主要任務(wù)是給負(fù)載天線提供一定功率的發(fā)射信號(hào)，因此射頻功率放大器一般都工作在大信號(hào)條件下。所以設(shè)計(jì)射頻功率放大器時(shí)，器件的選型和設(shè)計(jì)方式都和一般的小信號(hào)放大器不同，尤其在寬帶射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程中，由于工作頻帶很寬，且要綜合考慮線性度和效率問(wèn)題，所以射頻功率放大器的設(shè)計(jì)難度很大。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)工作頻帶為30-108MHz，增益為25dB的寬帶射頻功率放大器。由于工作頻帶較寬，輸出功率較大，線性度要求高；所以在實(shí)際的過(guò)程中采用了寬帶匹配，功率回退等技術(shù)來(lái)達(dá)到最終的設(shè)計(jì)目標(biāo)。本文首先介紹了關(guān)于射頻功率放大器的一些基礎(chǔ)理論，包括器件在射頻段的工作模型，使用傳輸線變壓器實(shí)現(xiàn)阻抗變換的基本原理，S參數(shù)等，這些是設(shè)計(jì)射頻功率放大器的基本理論依據(jù)。然后本文描述了射頻功率放大器非線性失真產(chǎn)生的原因，在此基礎(chǔ)上介紹了幾種線性化技術(shù)并做出比較。然后本文介紹了射頻功率放大器的主要技術(shù)指標(biāo)并提出一種具體的設(shè)計(jì)方案，最后利用ADS軟件對(duì)設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了仿真。仿真過(guò)程包括兩個(gè)步驟，首先是進(jìn)行直流仿真來(lái)確定功放管的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后進(jìn)行功率增益即S21的仿真并達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

標(biāo)簽： 射頻功率放大器線性方法研究

上傳時(shí)間： 2013-07-28

上傳用戶(hù)：gtf1207
射頻與微波功率放大器設(shè)計(jì).rar

本書(shū)主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧，以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率，縮短了設(shè)計(jì)周期。本書(shū)內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計(jì)方法、非線性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。　本書(shū)適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專(zhuān)業(yè)的師生閱讀。作者簡(jiǎn)介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門(mén)首席理論設(shè)計(jì)工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書(shū)作為國(guó)際微波年會(huì)論文集。目錄第1章　雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 　1.1　傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù) 　1.2　散射參數(shù) 　1.3　雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換　1.4　雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接　1.5　實(shí)際的雙口電路　　1.5.1　單元件網(wǎng)絡(luò) 　　1.5.2　π形和T形網(wǎng)絡(luò) 　1.6　具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò) 　1.7　傳輸線　參考文獻(xiàn) 第2章　非線性電路設(shè)計(jì)方法　2.1　頻域分析　　2.1.1　三角恒等式法　　2.1.2　分段線性近似法　　2.1.3　貝塞爾函數(shù)法　2.2　時(shí)域分析　2.3　NewtOn.Raphscm算法　2.4　準(zhǔn)線性法　2.5　諧波平衡法　參考文獻(xiàn) 第3章　非線性有源器件模型　3.1　功率MOSFET管　　3.1.1　小信號(hào)等效電路　　3.1.2　等效電路元件的確定　　3.1.3　非線性I—V模型　　3.1.4　非線性C.V模型　　3.1.5　電荷守恒　　3.1.6　柵一源電阻　　3.1.7　溫度依賴(lài)性　3.2　GaAs MESFET和HEMT管　　3.2.1　小信號(hào)等效電路　　3.2.2　等效電路元件的確定　　3.2.3　CIJrtice平方非線性模型　　3.2.4　Curtice.Ettenberg立方非線性模型　　3.2.5　Materka—Kacprzak非線性模型　　3.2.6　Raytheon(Statz等)非線性模型　　3.2.7　rrriQuint非線性模型　　3.2.8　Chalmers(Angek)v)非線性模型　　3.2.9　IAF(Bemth)非線性模型　　3.2.10　模型選擇　3.3　BJT和HBT汀管　　3.3.1　小信號(hào)等效電路　　3.3.2　等效電路中元件的確定　　3.3.3　本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換　　3.3.4　非線性雙極器件模型　參考文獻(xiàn) 第4章　阻抗匹配　4.1　主要原理　4.2　Smith圓圖　4.3　集中參數(shù)的匹配　　4.3.1　雙極UHF功率放大器　　4.3.2　M0SFET VHF高功率放大器　4.4　使用傳輸線匹配　　4.4.1　窄帶功率放大器設(shè)計(jì) 　　4.4.2　寬帶高功率放大器設(shè)計(jì) 　4.5　傳輸線類(lèi)型　　4.5.1　同軸線　　4.5.2　帶狀線　　4.5.3　微帶線　　4.5.4　槽線　　4.5.5　共面波導(dǎo) 　參考文獻(xiàn) 第5章　功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器　5.1　基本特性　5.2　三口網(wǎng)絡(luò) 　5.3　四口網(wǎng)絡(luò) 　5.4　同軸電纜變換器和合成器　5.5　wilkinson功率分配器　5.6　微波混合橋　5.7　耦合線定向耦合器　參考文獻(xiàn) 第6章　功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 　6.1　主要特性　6.2　增益和穩(wěn)定性　6.3　穩(wěn)定電路技術(shù) 　　6.3.1　BJT潛在不穩(wěn)定的頻域　　6.3.2　MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域　　6.3.3　一些穩(wěn)定電路的例子　6.4　線性度　6.5　基本的工作類(lèi)別：A、AB、B和C類(lèi) 　6.6　直流偏置　6.7　推挽放大器　6.8　RF和微波功率放大器的實(shí)際外形　參考文獻(xiàn) 第7章　高效率功率放大器設(shè)計(jì) 　7.1　B類(lèi)過(guò)激勵(lì) 　7.2　F類(lèi)電路設(shè)計(jì) 　7.3　逆F類(lèi) 　7.4　具有并聯(lián)電容的E類(lèi) 　7.5　具有并聯(lián)電路的E類(lèi) 　7.6　具有傳輸線的E類(lèi) 　7.7　寬帶E類(lèi)電路設(shè)計(jì) 　7.8　實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器　參考文獻(xiàn) 第8章寬帶功率放大器　8.1　Bode—Fan0準(zhǔn)則　8.2　具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 　8.3　使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò) 　8.4　具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò) 　　8.5　有耗匹配網(wǎng)絡(luò) 　8.6　實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥　參考文獻(xiàn) 第9章　通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì) 　9.1　Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù) 　9.2　包絡(luò)跟蹤　9.3　異相功率放大器　9.4　Doherty功率放大器方案　9.5　開(kāi)關(guān)模式和雙途徑功率放大器　9.6　前饋線性化技術(shù) 　9.7　預(yù)失真線性化技術(shù) 　9.8　手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器　參考文獻(xiàn)

標(biāo)簽： 射頻微波功率放大器設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-04-24

上傳用戶(hù)：W51631
功率電源中IGBT失效機(jī)理及其檢測(cè)方法的研究.rar

由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有工作頻率高、處理功率大和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等諸多優(yōu)點(diǎn),在電力電子設(shè)備、尤其是中大型功率的電力電子設(shè)備中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設(shè)備故障往往會(huì)對(duì)生產(chǎn)帶來(lái)巨大影響和損失,因此,對(duì)IGBT的失效研究具有十分重要的應(yīng)用意義。本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基礎(chǔ)上,采用雙極傳輸理論聯(lián)立求解電子和空穴的傳輸方程,得到了穩(wěn)態(tài)時(shí)電子和空穴電流的表達(dá)式,對(duì)造成IGBT失效的各種因素進(jìn)行了詳細(xì)分析。應(yīng)用MATLAB軟件,對(duì)硅參數(shù)的熱導(dǎo)率、載流子濃度、載流子壽命、電子遷移率、空穴遷移率和雙極擴(kuò)散系數(shù)等進(jìn)行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是發(fā)生擎住效應(yīng)以及泄漏電流導(dǎo)致IGBT延緩失效的有用結(jié)論。并且,進(jìn)行了IGBT動(dòng)態(tài)模型的設(shè)計(jì)和仿真,對(duì)IGBT在短路情況下的失效機(jī)理進(jìn)行了深入研究。考慮到實(shí)際設(shè)備中的IGBT在使用中經(jīng)常會(huì)發(fā)生反復(fù)過(guò)流這一問(wèn)題,通過(guò)搭建試驗(yàn)電路,著重對(duì)反復(fù)過(guò)流對(duì)IGBT可能帶來(lái)的影響進(jìn)行了試驗(yàn)研究,探討了IGBT因反復(fù)過(guò)流導(dǎo)致的累積失效的變化規(guī)律。本文研究結(jié)果對(duì)于正確判斷IGBT失效以及失效程度、進(jìn)而正確判斷和預(yù)測(cè)設(shè)備的可能故障,具有一定的應(yīng)用參考價(jià)值。

標(biāo)簽： IGBT 功率電源失效機(jī)理

上傳時(shí)間： 2013-08-04

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