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8310是一款內(nèi)部集成了上、下MOS管的同步整流降壓型高效率開關(guān)變換器，上、下管的規(guī)格分別為36V 耐壓/360 mΩ內(nèi)阻，36V耐壓/170mΩ內(nèi)阻。該變換器可以在4.5V~36V的寬輸入電壓范圍內(nèi)輸出1.5A連續(xù)電流。內(nèi)部采用了逐周期的峰值電流控制模式，使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的要求。同時(shí)8310集成了線補(bǔ)，內(nèi)部補(bǔ)償電路，可設(shè)置的輸出電流限流電路。CC/CV控制電路，保證了輸出在恒壓和恒流控制之間進(jìn)行平滑的切換。外置可編程軟起動(dòng)時(shí)間電路可以很好的限制芯片啟動(dòng)時(shí)的輸入啟動(dòng)沖擊電流。 聯(lián)系人：唐云先生（銷售工程） 手機(jī)：13530452646(微信同號(hào)) 座機(jī)：0755-33653783 （直線） Q Q: 2944353362
上傳時(shí)間： 2019-03-18
上傳用戶：lryang
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
題目：基于51單片機(jī)的RS485從機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 單片機(jī)接口資源配置： 1. 上電復(fù)位電路； 2. 晶振電路采用11.0592Mhz晶振； 3. 485接口電路（P3.7用于485芯片的收發(fā)控制，收發(fā)管腳接單片機(jī)的rxd和txd）； 4. P2口通過外部跳線接相應(yīng)的高低電平，配置從機(jī)地址為組號(hào)； 5. P3.6外接一發(fā)光二極管（注意串聯(lián)電阻進(jìn)行限流）； 6. P3.2外接一按鍵，斷開高電平，按下低電平； 7. 按鍵檢測采用外部中斷方式，下跳沿觸發(fā)； 8. 單片機(jī)定時(shí)器0以模式1（16位模式）工作，產(chǎn)生50ms的定時(shí)中斷，并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)一單片機(jī)內(nèi)部時(shí)鐘（24小時(shí)制，能計(jì)數(shù)時(shí)、分、秒、50ms值）； 9. 單片機(jī)串行通信采用模式1非多機(jī)通信方式，采用9600波特率以串行中斷方式進(jìn)行數(shù)據(jù)的收發(fā)通信，主機(jī)地址為0xF0，廣播地址為0xFF。 系統(tǒng)功能需求： 1. 系統(tǒng)配置和自檢功能： l 從機(jī)上電后進(jìn)行初始化，通過讀取P2口進(jìn)行從機(jī)地址配置； l 發(fā)光二極管以每秒一次的頻率閃爍（亮0.5秒，滅0.5秒）； l 檢測到一次按鍵按下操作后，熄滅發(fā)光二極管。 2. 數(shù)據(jù)接收和按鍵計(jì)時(shí)功能： l 從機(jī)接收主機(jī)程序（PC機(jī)上的串口調(diào)試程序）的按鍵允許命令幀并進(jìn)行校驗(yàn)； l 校驗(yàn)正確并且目的地址是廣播地址或者本從機(jī)的地址，通過發(fā)光二極管長亮指示，并允許按鍵操作； l 按鍵按下后，盡可能準(zhǔn)確記錄按鍵的動(dòng)作時(shí)點(diǎn)（定時(shí)器的低8位、定時(shí)器的高8位、50ms值、秒、分、小時(shí)）； l 按鍵操作只能響應(yīng)一次，重復(fù)按鍵操作不響應(yīng)； l 按鍵的動(dòng)作時(shí)點(diǎn)記錄后，發(fā)光二極管以每秒一次的頻率閃爍（亮0.5秒，滅0.5秒）。 3. 數(shù)據(jù)發(fā)送功能： l 從機(jī)接收主機(jī)程序發(fā)來的時(shí)鐘數(shù)據(jù)搜索命令幀并進(jìn)行校驗(yàn)； l 如果校驗(yàn)正確并且數(shù)據(jù)幀的目的地址是本從機(jī)的地址，從機(jī)將前面記錄的按鍵動(dòng)作時(shí)點(diǎn)數(shù)據(jù)（定時(shí)器的低8位、定時(shí)器的高8位、50ms值、秒、分、小時(shí)）按附錄中的時(shí)鐘數(shù)據(jù)返回幀的幀格式回傳給主機(jī)； l 時(shí)鐘數(shù)據(jù)返回幀回傳結(jié)束后，熄滅發(fā)光二極管。 4. 校驗(yàn)和生成和檢測功能： l 發(fā)送數(shù)據(jù)幀時(shí)能自動(dòng)生成數(shù)據(jù)幀校驗(yàn)和； l 每幀數(shù)據(jù)在發(fā)送幀尾前，發(fā)送一字節(jié)的當(dāng)前幀數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和； l 接收數(shù)據(jù)幀時(shí)能檢測校驗(yàn)和并判斷接收數(shù)據(jù)是否正確。 附錄：幀定義 校驗(yàn)和的計(jì)算：除去幀頭和幀尾后將幀中的其他數(shù)據(jù)求和并取低8位； 幀長：不計(jì)幀頭、幀尾和校驗(yàn)和字節(jié)。 按鍵允許命令幀： 幀頭 幀長 目的地址 源地址 命令字 校驗(yàn)和 幀尾 AA 04 FF F0 01 F4 66 時(shí)鐘數(shù)據(jù)搜索命令幀： 幀頭 幀長 目的地址 源地址 命令字 保留字 校驗(yàn)和 幀尾 AA 05 01 F0 03 00 F9 66 時(shí)鐘數(shù)據(jù)返回幀： 幀頭 幀長 目的地址 源地址 命令字 TL0 TH0 50ms 秒 分 時(shí) 校驗(yàn)和 幀尾 AA 0A F0 01 07 01 B6 09 03 00 00 C5 66 幀結(jié)構(gòu)頭文件frame.h（內(nèi)容如下） //幀格式定義 #define FRAME_HEAD 0xAA //幀頭 #define FRAME_FOOT 0x66 //幀尾 #define FRAME_LEN 0x00 //幀長 #define FRAME_DST_ADR 0x01 //目的地址 #define FRAME_SRC_ADR 0x02 //源地址 #define FRAME_CMD 0x03 //命令字 #define FRAME_DATA 0x04 //幀數(shù)據(jù)起始 //幀命令定義 #define READY 0x01 //按鍵允許命令 #define TIME_SERCH 0x03 //時(shí)鐘數(shù)據(jù)輪詢命令 #define TIME_BACK 0x07 //時(shí)鐘數(shù)據(jù)返回命令 //地址定義 #define BROAD_ADR 0xFF //廣播地址 #define MASTER_ADR 0xF0 //主機(jī)地址
上傳時(shí)間： 2020-06-18
上傳用戶：umuo
設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號(hào)完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo)，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì)， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí)，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發(fā)揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號(hào)量測與介面的一些測試規(guī)範(fàn)也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應(yīng)，抖動(dòng)(jitter)測量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù)，必須充分 了解研究學(xué)習(xí)，進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。
標(biāo)簽： 高速電路
上傳時(shí)間： 2021-11-02
上傳用戶：jiabin
作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件
上傳時(shí)間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
PW2902 是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型 DC-DC，芯片內(nèi)置 100V/5A 功率 MOS，最高輸入電壓 90V。 PW2902 具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率等特性。支持大電流輸出，輸出電流可達(dá) 2A 以上。 PW2902 同時(shí)支持輸出恒壓和輸出恒流功能。PW2902 采用固定頻率的 PWM 控制方式，典型開關(guān)頻率為 140KHz。輕載時(shí)會(huì)自動(dòng)降低開關(guān)頻率以獲得高轉(zhuǎn)換效率。 PW2902 內(nèi)部集成軟啟動(dòng)以及過溫保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功能，提高系統(tǒng)可靠性。PW2902 支持輸出電壓 5V 和 12V 時(shí)， 輸出電流 2 安培
標(biāo)簽： pw2902
上傳時(shí)間： 2022-02-11
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SW3518 是一款高集成度的多快充協(xié)議雙口充電芯片， 支持 A+C 口任意口快充輸出， 支持雙口獨(dú)立限流。 其集成了 5A 高效率同步降壓變換器， 支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/VOOC等多種快充協(xié)議， CC/CV 模式， 以及雙口管理邏輯。 外圍只需少量的器件， 即可組成完整的高性能多快充協(xié)議雙口充電解決方案。
標(biāo)簽： sw3518
上傳時(shí)間： 2022-02-17
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SW3516 是一款高集成度的快充車充芯片， 支持 A+C 口任意口快充輸出， 支持雙口獨(dú)立限流。其集成了 5A 高效率同步降壓變換器， 支持 PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/低壓直充等多種快充協(xié)議， CC/CV 模式， 以及雙口管理邏輯。 外圍只需少量的器件， 即可組成完整的高性能多快充協(xié)議車充解決方案。
標(biāo)簽： sw3516
上傳時(shí)間： 2022-02-17
上傳用戶：kent
5G 底層核心技術(shù)專利現(xiàn)狀分析 無線通信技術(shù)從 2G 到 3G 是一個(gè)歷史性的跨越，從單純的語音通話和簡單的短信數(shù)據(jù)傳輸， 跨入了無線互聯(lián)網(wǎng)。 在 2009 年發(fā)放 3G 牌照的時(shí)候，產(chǎn)業(yè)界最希望找到的是應(yīng)用無線寬帶能力的殺手級(jí)應(yīng)用。 當(dāng)時(shí)最早的應(yīng)用是把 3G 當(dāng)做無線上網(wǎng)卡銷售，例如中國電信的 CDMA2000 每月 300 小時(shí)不限流 量的 3G 上網(wǎng)卡。而通過 4 年多的產(chǎn)業(yè)實(shí)踐，到了 4G 時(shí)代，應(yīng)用無線寬帶能力的導(dǎo)航、音樂、 在線視頻、購物、支付、游戲等殺手級(jí)應(yīng)用已經(jīng)涌現(xiàn)，無線寬帶的流量開始變得珍貴，目前中 國電信的 4G 套餐就沒有按小時(shí)計(jì)費(fèi)全部都按流量計(jì)費(fèi)。 正是看到了產(chǎn)業(yè)的興旺發(fā)達(dá)，在 2013 年剛剛發(fā)放 4G 牌照后，2015 年 5G 就成為了熱門的 話題。之前的分析占據(jù) 5G 產(chǎn)業(yè)的制高點(diǎn)關(guān)鍵在于底層核心技術(shù)。有一種觀點(diǎn)認(rèn)為，目前 5G 的 框架還沒有確定，談核心空口技術(shù)是否過早。 5G 底層技術(shù)專利形成時(shí)間遠(yuǎn)早于 5G 標(biāo)準(zhǔn)框架 目前對(duì)于 5G 的標(biāo)準(zhǔn)制定工作已經(jīng)開始加速，但初步的框架確定估計(jì)也要到 2016 年。但標(biāo) 準(zhǔn)框架未定之時(shí)，正是底層技術(shù)核心專利爭奪的關(guān)鍵時(shí)期。從歷史上的經(jīng)驗(yàn)看。我國自主提出 的 3G 國際標(biāo)準(zhǔn) TD-SCDMA 的標(biāo)準(zhǔn)框架專利 CN97104039.7 是在 1997 年由信威通信申請(qǐng)的。而高 通公司賴以掌控 3G 產(chǎn)業(yè)鏈命脈的底層 CDMA 核心專利卻是美國高通公司于
標(biāo)簽： 5g
上傳時(shí)間： 2022-02-21
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PW2153 是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型 DC-DC 控制器，最高輸入電壓可超過 150V。 PW2153 具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率等特性。支持大 電流輸出，輸出電流可高達(dá) 10A 以上。 PW2153 同時(shí)支持輸出恒壓和輸出恒流功能。通過設(shè)置 CS 電阻可設(shè)置輸出恒流值。通過設(shè) 置 FB1、 FB2 引腳的分壓電阻可設(shè)置輸出恒壓值。PW2153 采用固定頻率的 PWM 控制方式， 典型開關(guān)頻率為 140KHz。輕載時(shí)會(huì)自動(dòng)降低開關(guān)頻率以獲得高的轉(zhuǎn)換效率。 PW2153 內(nèi)部集成軟啟動(dòng)以及過溫保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功能，提高系統(tǒng)可 靠性。PW2153 支持輸出 5V/3A 和 12V/10A。
標(biāo)簽： 高壓降壓芯片
上傳時(shí)間： 2022-03-25
上傳用戶：XuVshu
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