針對模擬型頻率/電流變送器在低頻段存在精度差、響應(yīng)速度慢的問題，提出了一種基于AT89S52單片機(jī)的頻率/電流變送器設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)主要由M/T法測頻電路、D/A轉(zhuǎn)換器、V/I轉(zhuǎn)換電路、RS232通訊接口組成，能夠?qū)︻l率進(jìn)行高精度測量，并將其轉(zhuǎn)換成4-20 mA標(biāo)準(zhǔn)信號。實(shí)驗(yàn)證明，所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定，人機(jī)對話方便，在整個(gè)測量頻段，系統(tǒng)響應(yīng)快、精度高、無紋波，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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基于單片機(jī)控制的音樂播放器！ 基本功能 1. 利用I/O口產(chǎn)生一定頻率的方波，驅(qū)動蜂鳴器，發(fā)出不同的音調(diào)，演奏樂曲。 2. 采用LED顯示信息 3. 播放時(shí)顯示歌曲序號（或名稱）
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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!方波信號是數(shù)字電路中非常重要的信號源!其產(chǎn)生方法有很多途徑"本設(shè)計(jì)是基于MPLAB平臺通過對方波信號發(fā)生器的電路分析!介紹了方波信號的產(chǎn)生原理和軟件實(shí)現(xiàn)過程!并利用’:.單片機(jī)的定時(shí)器#計(jì)數(shù)器技術(shù)對PIC16F877A進(jìn)行編程$通過對TMRO模塊進(jìn)行設(shè)置!使其分頻比改變!產(chǎn)生V種不同頻率的方波信號!同時(shí)改變初始值!產(chǎn)生任意頻率的方波信號"
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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筆者通過研究分析8032/ 8052 的定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器2 和串行口， 發(fā)現(xiàn)可以高效產(chǎn)生精確的高頻方波。下面只介紹串行口和定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器2 與本文相關(guān)的功能， 其它功能請見參考文獻(xiàn)。
上傳時(shí)間： 2014-12-27
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MCP定時(shí)器產(chǎn)生中心對稱PWM輸出:PWM波是一種脈寬可調(diào)的脈沖波，用于交、直流電機(jī)的電壓控制。PWM一共有兩種調(diào)整方法，一是定頻調(diào)寬、另一種是定寬調(diào)頻。其中定頻調(diào)寬是種最常見的脈寬調(diào)制方式，它使脈沖波的頻率保持不變，只調(diào)整脈沖寬度。同時(shí)定頻調(diào)寬的PWM波形也分為兩種，一種是單邊的PWM，另一種是中心對稱的雙邊PWM。中心對稱的PWM主要應(yīng)用在需要對稱PWM波形的場合，如半橋、全橋的雙極性驅(qū)動等。中心對稱的PWM的生成原理如圖1-2所示：定時(shí)計(jì)數(shù)器工作在連續(xù)增減計(jì)數(shù)方式，在計(jì)數(shù)初值設(shè)置為0且比較值小于周期值的條件下，當(dāng)增計(jì)數(shù)過程中計(jì)數(shù)值和比較值匹配時(shí)置位輸出，而在周期匹配時(shí)會改計(jì)數(shù)方向?yàn)闇p計(jì)數(shù)，當(dāng)減計(jì)數(shù)過程中計(jì)數(shù)值和比較值匹配時(shí)復(fù)位輸出，當(dāng)減計(jì)數(shù)到零時(shí)會改計(jì)數(shù)方向?yàn)樵鲇?jì)數(shù)，開始下一個(gè)循環(huán)。因此中心對稱的PWM的周期為設(shè)定周期的二倍，占空比為：%100))((×−TPRNTPR（N為比較匹配數(shù)據(jù)，TPR為周期寄存器的值）。比較值的改變會影響PWM的兩邊的波形，并且兩邊相對高電平的中心對稱，這便是中心對稱雙邊PWM波形的特點(diǎn)。如果比較值為零，那么PWM將一直輸出高電平；如比較值大于等于周期值，則PWM會一直輸出低電平，占空比為0。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
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MCP定時(shí)器產(chǎn)生邊沿PWM輸出:PWM波是一種脈寬可調(diào)的脈沖波，用于交、直流電機(jī)的電壓控制。PWM一共有兩種調(diào)整方法，一是定頻調(diào)寬、另一種是定寬調(diào)頻。其中定頻調(diào)寬是種最常見的脈寬調(diào)制方式，它使脈沖波的頻率保持不變，只調(diào)整脈沖寬度。同時(shí)定頻調(diào)寬的PWM波形也分為兩種，一種是單邊的PWM，另一種是中心對稱的雙邊PWM。單邊的PWM的生成原理如圖1-2：定時(shí)計(jì)數(shù)器工作在增計(jì)數(shù)方式，在計(jì)數(shù)初值設(shè)置為0且比較值小于周期值的條件下，當(dāng)計(jì)數(shù)值和比較值匹配時(shí)置位輸出，而在周期匹配時(shí)復(fù)位輸出，同時(shí)清零計(jì)數(shù)器，開始下一個(gè)循環(huán)。因此單邊PWM的占空比為：%100))((×−TPRNTPR（N為比較匹配數(shù)據(jù)，TPR為周期寄存器的值）。比較值的改變只影響PWM的單邊波形，這便是單邊PWM波形的特點(diǎn)。如果比較值為零，那么PWM將一直輸出高電平；如比較值同周期值相等，則PWM會輸出一個(gè)時(shí)鐘周期的低電平，占空比近似為0；當(dāng)比較值大于周期值，那么PWM將一直輸出低電平。
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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載波相移正弦脈寬調(diào)制（SPWM）技術(shù)是一種適用于大功率電力開關(guān)變換裝置的高性能開關(guān)調(diào)制策略，在有源電力濾波器中有良好的應(yīng)用前景。本文介紹了如何利用高性能數(shù)字信號處理器TMS320F28335的片內(nèi)外設(shè)事件管理器（EV）模塊產(chǎn)生三相SPWM波，給出了程序流程圖及關(guān)鍵程序源碼。該方法采用不對稱規(guī)則采樣算法，參數(shù)計(jì)算主要采用查表法，計(jì)算量小，實(shí)時(shí)性高。在工程實(shí)踐中表明，該方法既能滿足控制精度要求，又能滿足實(shí)時(shí)性要求，可以很好地控制逆變電源的輸出。
標(biāo)簽： F28335 28335 SPWM 320F
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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本文介紹了一種由低次級聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號先經(jīng)過MMIC得到二倍頻，再由反向并聯(lián)二極管對平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶三倍頻，從而將Ku波段信號六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭，輸出為 WR-10 標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸入信號功率為20dBm時(shí)，三倍頻器在整個(gè)W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右，變頻損耗小于17dB。該設(shè)計(jì)可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率，擴(kuò)展已有微波信號源的工作頻段。
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：qingzhuhu
由非線性電力電子裝置組成的電路發(fā)生故障時(shí)，故障特征信息不易提取和識別。對此提出一種基于小波包分析和Elman神經(jīng)網(wǎng)的電力電子裝置故障診斷的方法，先運(yùn)用小波包分析法提取電路在不同故障狀態(tài)下電壓及電流信號的特征信息，然后對數(shù)據(jù)進(jìn)行歸一化處理并作為Elman神經(jīng)網(wǎng)的輸入，由具有智能學(xué)習(xí)功能的神經(jīng)元故障分類器完成故障識別和定位。以12脈沖整流電路為例，在Matlab軟件下建立電路模型進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明該方法能快速、準(zhǔn)確的完成故障診斷。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：zjf3110
特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器...等信號 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應(yīng)速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2014-01-05
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