自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式
標簽： CPLD 244 74 HC
上傳時間： 2013-08-31
上傳用戶：dancnc
\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版
標簽： Protel 99 se
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經(jīng)驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數(shù)情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
標簽： 旁路電容 扼流 電感
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：13188549192
LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓，但可通過采用一個 VCC 穩(wěn)壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。
標簽： DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器
上傳時間： 2013-11-01
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對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉換器設計，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
標簽： DCDC 降壓 升壓型 控制器
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi)，因此只需少量的外部元件。
標簽： uModule DCDC 16A 雙通道
上傳時間： 2013-10-27
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