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雙硅

  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶:cjf0304

  • 被動(dòng)組件之電感設(shè)計(jì)與分析

    隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用,例如行動(dòng)電話、無(wú)線個(gè)人計(jì)算機(jī)、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等,高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)與改善,則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動(dòng)組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系,而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù),而近年來(lái),由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛,加上電路設(shè)計(jì)趨向輕薄短小,電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進(jìn)步。例如射頻機(jī)體電路(RFIC)運(yùn)用硅材質(zhì),微波集成電路則廣泛的運(yùn)用砷化鎵(GaAs)技術(shù);此外,在低成本的無(wú)線通訊射頻應(yīng)用上,如混合(Hybrid)集成電路則運(yùn)用有機(jī)多芯片模塊(MCMs)結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程,以及低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù),制作印刷式平面電感等,以提升組件的質(zhì)量與效能,并減少體積與成本。 本章的重點(diǎn)包涵探討電感的原理與專有名詞,以及以常見(jiàn)的電感結(jié)構(gòu),并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型,最后將以電感的模擬設(shè)計(jì)為例,說(shuō)明電感參數(shù)的萃取。

    標(biāo)簽: 被動(dòng)組件 電感 設(shè)計(jì)與分析

    上傳時(shí)間: 2014-06-16

    上傳用戶:南國(guó)時(shí)代

  • 硅中磷雜質(zhì)的SIMS定量檢測(cè)

    樣品的前期處理工藝會(huì)對(duì)檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生影響。不同處理工藝得到的樣品,在表面粗糙度方面產(chǎn)生區(qū)別。不同的表面粗糙度,影響到樣品的測(cè)試時(shí)間和測(cè)試精度。同時(shí),通過(guò)儀器調(diào)試,儀器的真空度達(dá)到1×10-10  torr,使測(cè)試背底和檢測(cè)限降低。

    標(biāo)簽: SIMS 定量檢測(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶:gundamwzc

  • 無(wú)淪是用離散邏輯、可編程邏輯

    無(wú)淪是用離散邏輯、可編程邏輯,還是用全定制硅器件實(shí)現(xiàn)的任何數(shù)字設(shè)計(jì),為了成功地操 作,可靠的時(shí)鐘是非常關(guān)鍵的。設(shè)計(jì)不良的時(shí)鐘在極限的溫度、電壓或制造工藝的偏差情況下將 導(dǎo)致錯(cuò)誤的行為,并且調(diào)試?yán)щy、花銷很大。 在設(shè)計(jì)PLD/FPGA時(shí)通常采用幾種時(shí)鐘類型。時(shí)鐘可 分為如下四種類型:全局時(shí)鐘、門(mén)控時(shí)鐘、多級(jí)邏輯時(shí)鐘和波動(dòng)式時(shí)鐘。多時(shí)鐘系統(tǒng)能夠包括上 述四種時(shí)鐘類型的任意組合。

    標(biāo)簽: 離散 可編程邏輯 邏輯

    上傳時(shí)間: 2014-01-13

    上傳用戶:xz85592677

  • 智原科技正式推出可攜式MP3音樂(lè)播放器SoC設(shè)計(jì)平臺(tái) - FIE7系列音頻平臺(tái)方案

    智原科技正式推出可攜式MP3音樂(lè)播放器SoC設(shè)計(jì)平臺(tái) - FIE7系列音頻平臺(tái)方案,首先推出的是針對(duì)低功耗有強(qiáng)烈需求的可攜式,基于閃存的MP3播放器 - FIE7005語(yǔ)音設(shè)計(jì)平臺(tái),該平臺(tái)的特色在于使用雙核技術(shù)并利用智原科技所開(kāi)發(fā)并驗(yàn)證優(yōu)化過(guò)的大量硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)構(gòu)建而成

    標(biāo)簽: FIE7 MP3 SoC

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

    上傳用戶:hjshhyy

  • 1. 對(duì)薄膜形成與生長(zhǎng)中相關(guān)物理過(guò)程及現(xiàn)象進(jìn)行分析和建模。 2. 利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法和分子動(dòng)力學(xué)(Molecular Dynamics)方法對(duì)薄膜形成與生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬

    1. 對(duì)薄膜形成與生長(zhǎng)中相關(guān)物理過(guò)程及現(xiàn)象進(jìn)行分析和建模。 2. 利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法和分子動(dòng)力學(xué)(Molecular Dynamics)方法對(duì)薄膜形成與生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬。 3. 對(duì)多孔硅形成的模擬。

    標(biāo)簽: Molecular Dynamics Monte Carlo

    上傳時(shí)間: 2015-09-04

    上傳用戶:Divine

  • Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(紐約證券交易所代碼:CDN)和廣晟微電子公司今天共同宣布

    Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(紐約證券交易所代碼:CDN)和廣晟微電子公司今天共同宣布,廣晟已經(jīng)通過(guò)Cadence Virtuoso 全定制平臺(tái)成功地開(kāi)發(fā)出第一代10Gbps高速光傳輸集成電路(IC),而且只用了不到16個(gè)星期的時(shí)間。借助Virtuoso全定制設(shè)計(jì)平臺(tái)為先進(jìn)的全定制IC設(shè)計(jì)提供的整合平臺(tái)、完整流程以及最優(yōu)化的技術(shù),廣晟無(wú)需進(jìn)行硅反復(fù)設(shè)計(jì)即可制作出復(fù)雜的通訊用集成電路。

    標(biāo)簽: Cadence CDN 代碼

    上傳時(shí)間: 2014-01-07

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  • 俄羅斯方塊

    俄羅斯方塊,畫(huà)面比較好看 哦 運(yùn)行時(shí)必需按轉(zhuǎn)了 ANT 如果已安裝,就直接雙擊Build.bat 然後雙擊Run.bat 關(guān)於代碼中的注釋如果出現(xiàn)亂碼,你就把原始檔案用word打開(kāi) 然後 工具->語(yǔ)言->中文簡(jiǎn)繁轉(zhuǎn)換

    標(biāo)簽: 俄羅斯方塊

    上傳時(shí)間: 2016-08-28

    上傳用戶:xjz632

  • 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)教程 本書(shū)將數(shù)字系統(tǒng)作為一個(gè)整體的系統(tǒng)

    數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)教程 本書(shū)將數(shù)字系統(tǒng)作為一個(gè)整體的系統(tǒng),并按層次結(jié)構(gòu)對(duì)數(shù)字系統(tǒng)進(jìn)行劃分和論述。論題涉及了數(shù)字系統(tǒng)技術(shù)的各個(gè)方面,如:數(shù)制、編碼、布爾代數(shù)、邏輯門(mén)、組合邏輯設(shè)計(jì)、時(shí)序電路、VHDL基本概念、VLSI設(shè)計(jì)基本概念、CMOS邏輯電路和硅芯片、存儲(chǔ)器部件、計(jì)算機(jī)原理和計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)知識(shí)等等。本書(shū)將傳統(tǒng)的數(shù)字電路知識(shí)和現(xiàn)代技術(shù)相結(jié)合,適于大專院校相關(guān)專業(yè)的學(xué)生作教科書(shū)之用。

    標(biāo)簽: 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì) 基礎(chǔ)教程 數(shù)字系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-12-26

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  • 光速已經(jīng)太慢了

    光速已經(jīng)太慢了,當(dāng)前大規(guī)模生產(chǎn)的普通數(shù)字電路要求時(shí)序控制達(dá)到皮秒的范圍。光 從人的鼻子傳輸?shù)蕉渌枰臅r(shí)間大概為 100ps(在 100ps的時(shí)間里,光將傳輸 1.2 英寸)。這樣級(jí)別的時(shí)序控制不但要維持在硅芯片里,而且還必須在級(jí)別更大的系統(tǒng)板上實(shí)現(xiàn),比如一個(gè)計(jì)算機(jī)的主板。在這些系統(tǒng)中,將器件互連的導(dǎo)體不應(yīng)再被看作一根簡(jiǎn)單的導(dǎo)線,而是呈現(xiàn)了高頻效應(yīng)的傳輸線。如果這些傳輸線沒(méi)有被合理的設(shè)計(jì),他們將在不經(jīng)意間毀滅系統(tǒng)時(shí)序。有些數(shù)字設(shè)計(jì)(并非全部)的復(fù)雜程度已經(jīng)達(dá)到甚至超過(guò)了模擬電路設(shè)計(jì)。數(shù)字技術(shù)經(jīng)歷了令人矚目的空前發(fā)展。確實(shí),在技術(shù)公司的市場(chǎng)部存在著這樣的信條:如果讓市場(chǎng)來(lái)告訴你公眾需要什么,那已經(jīng)太遲了!

    標(biāo)簽: 光速

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

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