ULN2003是高耐壓、大電流復合晶體管陣列，由七個硅NPN 復合晶體管組成，每一對達林頓都串聯一個2.7K 的基極電阻，在5V 的工作電壓下它能與TTL 和CMOS 電路直接相連，可以直接處理原先需要標準邏輯緩沖器來處理的數據。
上傳時間： 2021-06-26
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本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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芯片制造技術-半導體拋光類技術資料合集：300mm硅單晶及拋光片標準.pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學機械拋光技術的研究進展.pdf化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導體-第十四講-CMP.ppt半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導體工藝.ppt半導體工藝化學.ppt拋光技術及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf
上傳時間： 2021-11-02
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臺灣數能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅動芯片，高達30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調節電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應用場景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉向流星燈備註：雙色溫調光調色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大，就能產流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據實際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
上傳時間： 2022-01-07
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PCB聯盟網-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產業的動態和技術，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發展與制造 1、原子結構：原子是由高度密集的質子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發現了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應用于工業已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產品的使 用中退出； 3、半導體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、硒，半導體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結），當結上為正向偏壓時可以導通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結組合成一個器件，導致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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電子書-單片機硬件電路設計238頁第 章 智能化／網絡化傳感器及接口技術 現代信息技術的三大基礎是信息采集（即傳感器技術）、信息傳輸（通信技術）和信息處理 （計算機技術）。傳感器屬于信息技術的前沿尖端產品，被廣泛用于工農業生產、國防、科研和 生活領域。本章專門介紹智能化溫度傳感器、轉速傳感器、加速度傳感器、液位傳感器以及網 絡化智能精密壓力傳感器的工作原理、接口技術及典型應用。 智能化集成溫度傳感器的產品分類及發展趨勢 近百年來，溫度傳感器的發展大致經歷了以下三個階段； 傳統的分立式溫度傳感器（含 敏感元件） 模擬集成溫度傳感器 制器； 智能溫度傳感器。目前，國際上新型溫度傳 感器正從模擬式向數字式、由集成化向智能化、網絡化的方向發展。 集成溫度傳感器的產品分類 模擬集成溫度傳感器 集成傳感器是采用硅半導體集成工藝而制成的，因此亦稱硅傳感器或單片集成溫度傳感 器。模擬集成溫度傳感器是在 世紀 年代問世的，它是將溫度傳感器集成在一個芯片上、 可完成溫度測量及模擬信號輸出功能的專用 。模擬集成溫度傳感器的主要特點是功能單 一（僅測量溫度）、測溫誤差小、價格低、響應速度快、傳輸距離遠、體積小、微功耗，適合遠距離 測溫、控溫，不需要進行非線性校準。外圍電路簡單，它是目前在國內外應用最為普遍的一種 集成傳感器。典型產品有 等。
上傳時間： 2022-03-23
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74HC4066是一款硅柵COMS四路模擬開關，被設計用于處理模擬和數字信號。74HC4066的各開關允許振幅高達6V（峰值）的信號進行雙向傳輸。 74HC4066的各個開關單元擁有各自的使能輸入控制（C）。在C端輸入高電平將會導通其對應的開關單元。 74HC4066的應用包括信號選通、斬波、調制解調（modem）、以及用于模數轉換/數模轉換的信號復用系統。
上傳時間： 2022-06-10
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1.1 什么是整流電路整流電路（rectifying circuit）把交流電能轉換為直流電能的電路。大多數整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調速、發電機的勵磁調節、電解、電鍍等領域得到廣泛應用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成，20世紀70年代以后，主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負載之間，用于濾除脈動直流電壓中的交流成分。變壓器設置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實現交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網與整流電路之間的電隔離。可以從各種角度對整流電路進行分類，主要的分類方法有：按組成的期間可分為不可控，半控，全控三種；按電路的結構可分為橋式電路和零式電路：按交流輸入相數分為單相電路和多相電路；按變壓器二次側電流的方向是單向還是雙向，又可分為單拍電路和雙拍電路1.2整流電路的發展與應用電力電子器件的發展對電力電子的發展起著決定性的作用，因此不管是整流器還是電力電子技術的發展都是以電力電子器件的發展為綱的，1947年美國貝爾實驗室發明了晶體管，引發了電子技術的一次革命：1957年美國通用公司研制了第一個品閘管，標志著電力電子技術的誕生：70年代后期，以門極可關斷晶閘管（GTO）、電力雙極型晶體管（BJT）和電力場效應晶體管（power-MOSFET）為代表的全控型器件迅速發展，把電力電子技術推上一個全新的階段：80年代后期，以絕緣極雙極型品體管（IGBT）為代表的復合型器件異軍突起，成為了現代電力電子技術的主導器件。另外，采用全控型器件的電路的主要控制方式為PWM脈寬調制式，后來，又把驅動，控制，保護電路和功率器件集成在一起，構成功率集成電路（PIC），隨著全控型電力電子器件的發展，電力電電路的工作頻率也不斷提高。同時。電力電子器件的開關損耗也隨之增大，為了減小開關損耗，軟開關技術便應運而生，零電壓開關（ZVS）和零電流開關（ZCS）把電力電子技術和整流電路的發展推向了新的高潮。
標簽： 整流電路
上傳時間： 2022-06-18
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為了滿足一些重要用電設備的連續供電，對電網供電提出了更高的要求。為此，引入一種新型UPS是不間斷電源（uninterruptible power system）的英文簡稱，是能夠提供持續、穩定、不間斷的電源供應的重要外部設備。UPS先將交流電直流成直流電，一路給蓄電池充電，一路經逆變器變成恒壓恒頻的交流電，不論是市電供電還是斷電由電池供電，總是通過逆變系統提供電力，因而市電停電或來電時無任何轉換間斷，市電的干擾也完全不影響到UPS的輸出端，另外，UPS提供的電力為純凈的正弦波交流電，適用的負載范圍寬，可以為多種精密用電設備提供穩定的不間斷電源，此外，UPS的優點還在于它的零轉換時間以及高質量的輸出電源品質，因此它更適合于一些關鍵性的應用場合.UPS由于其工作方式是先對電池充電，然后再由逆變器將電池的電能逆變成交流，因此在電能的轉化過程中有一部分電能將被損失掉。電子技術是根據電子學的原理，運用電子器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學，包括信息電子技術和電力電子技術兩大分支。信息電子技術包括Analog（模擬）電子技術和Digital（數字）電子技術。電子技術是對電子信號進行處理的技術，處理的方式主要有：信號的發生、放大、濾波、轉換。現代電力電子技術的發展方向，是從以低頻技術處理問題為主的傳統電力電子學，向以高頻技術處理問題為主的現代電力電子學方向轉變。電力電子技術起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件，其發展先后經歷了整流器時代、逆變器時代和變頻器時代，并促進了電力電子技術在許多新領域的應用。八十年代末期和九十年代初期發展起來的、以功率MOSFET和IGBT為代表的、集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件，表明傳統電力電子技術已經進入現代電力電子時代。
標簽： UPS電源
上傳時間： 2022-06-19
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本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產品的可靠性，實現了大規模量產。流程（一）介紹了一種通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司（ASMC）開發的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應力工藝，通過機械應力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創的檢驗黏附力的方法，通過這種方法的監控，大幅度提高了產品良率，本論文的研究課題來源于企業的大規模生產實踐，對于同類的低壓低導通電阻VDMOS產品有實用的參考意義。流程（二）討論了在半導體器件中應用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創的刻蝕-淀積-合金以及應力控制同時完成的方案。通過這種技術，使得金硅合金質量得到大步的提升，并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業獲得了很好的效益。
上傳時間： 2022-06-26
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