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電力開(kāi)關(guān)(guān)

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽： 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間： 2013-08-30

    上傳用戶：cainaifa

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

    標簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • Allegro 用戶手冊I

    本書所要介紹的就是Cadence 公司所出品的Allegro Layout 軟件工具，書中每\r\n個章節(jié)的出現(xiàn)順序系按照實際的電路板設(shè)計流程而編排，而每一個章節(jié)又按照下\r\n列的方式編排，以期讓使用者可以較快地進入使用狀況

    標簽： Allegro 用戶手冊

    上傳時間： 2013-09-05

    上傳用戶：13162218709

  • <快學(xué)易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

    標簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • Allegro SPB V15.2 版新增功能

    15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets  下的 DRC 選項.  點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄. 

    標簽： Allegro 15.2 SPB

    上傳時間： 2013-10-08

    上傳用戶：王慶才

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車雷達前端和26．5GHz本地多點通信系統(tǒng)中．

    標簽： MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：masochism

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