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電壓標(biāo)(biāo)準(zhǔn)(zhǔn)

  • FPGA中雙向端口I/O的設(shè)計(jì)

    :針對現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)芯片的特點(diǎn),研究FPGA中雙向端口I/O的設(shè)計(jì),同時(shí)給出仿真初始化雙向端口I/O的方法。采用這種雙向端口的設(shè)計(jì)方法,選用Xilinx的Spartan2E芯片設(shè)計(jì)一個(gè)多通道圖像信號處理系統(tǒng)。

    標(biāo)簽: FPGA 雙向端口

    上傳時(shí)間: 2013-08-17

    上傳用戶:xiaoyunyun

  • 多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時(shí)測量n個(gè)第三18b20

    多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時(shí)測量n個(gè)第三18b20

    標(biāo)簽: 18b20 多路 測溫 顯示系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-08-21

    上傳用戶:zhangchu0807

  • 使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標(biāo)簽: 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時(shí)間: 2013-08-30

    上傳用戶:cainaifa

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線,用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

    標(biāo)簽: CPLD 244 74 HC

    上傳時(shí)間: 2013-08-31

    上傳用戶:dancnc

  • <快學(xué)易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

    標(biāo)簽: Protel 99 se

    上傳時(shí)間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè),分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時(shí)間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行,運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 在單端應(yīng)用中采用差分I/O放大器

      Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.

    標(biāo)簽: 單端應(yīng)用 差分 放大器

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

    上傳用戶:rocketrevenge

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