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電壓源逆變器

  • 基于STM32單相逆變器SPWM程序

    基于STM32單相逆變器的SPWM程序的資料,分享給大家一起看看。

    標簽: stm32 逆變器 spwm 程序

    上傳時間: 2022-05-04

    上傳用戶:slq1234567890

  • 3000W雙向變換正弦波逆變器AD18原始文件

    雙向正弦波逆變器,AD18,原理圖,PCB原創產品文件。SPWM正弦波逆變橋反向工作時兼做全橋開關;逆變升壓管充電時兼做同步整流管;包含本人的正弦波逆變器電路夢的專利技術(已申報)。絕對的原創作品!

    標簽: 正弦波逆變器

    上傳時間: 2022-05-15

    上傳用戶:ttalli

  • 1000W逆變器的PROTEL 99SE原理圖+PCB圖

    1000W逆變器的PROTEL 99SE原理圖+PCB圖,Protel 99se 設計,包括原理圖及PCB印制板圖,可用Protel或 Altium Designer(AD)軟件打開或修改,可作為你產品設計的參考。

    標簽: 逆變器 protel99se pcb

    上傳時間: 2022-05-15

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  • 三相全控橋式整流和有源逆變電路的設計

    1,更近一步了解三相全控橋式整流電路的工作原理,研究全控橋式整流電路分別工作在電阻負載、電阻-電感負載下Ud,ld及Uvt的波形,初步認識整流電路在實際中的應用。2,研究三相全控橋式整流逆變電路的工作原理,并且驗證全控橋式電路在有源逆變時的工作條件,了解逆變電路的用途。=.設計理念與思路晶閘管是一種三結四層的可控整流元件,要使晶閘管導通,除了要在陽極-陰極間加正向電壓外,還必須在控制級加正向電壓,它一旦導通后,控制級就失去控制作用,當陰極電流下降到小于維持電流,晶閘管回復阻斷。因此,晶閘管的這一性能可以充分的應用到許多的可控變流技術中。在實際生產中,直流電機的調速、同步電動機的勵磁、電鍍、電焊等往往需要電壓可調的直流電源,利用晶閘管的單向可控導電性能,可以很方便的實現各種可控整流電路。當整流負載容量較大時,或要求直流電壓脈沖較小時,應采用三相整流電路,其交流側由三相電源提供。三相可控整流電路中,最基本的是三相半波可控整流電路,應用最廣泛的是三相橋式全控整流電路。三相半波可控電路只用三只晶閘管,接線簡單,但晶閘管承受的正反向峰值電壓較高,變壓器二次繞組的導電角僅120",變壓器繞組利用率較低,并且電流是單向的,會導致變壓器鐵心直流磁化。而采用三相全控橋式整流電路,流過變壓器繞組的電流是反向電流,避免了變壓器鐵芯的直流磁化,同時變壓器繞組在一個周期的導電時間增加了一倍,利用率得到了提高。逆變是把直流電變為交流電,它是整流的逆過程,而有源逆變是把直流電經過直-交變換,逆變成與交流電源同頻率的交流電反送到電網上去。逆變在工農業生產、交通運輸、航空航天、辦公自動化等領域已得到廣泛的應用,最多的是交流電機的變頻調速。另外在感應加熱電源、航空電源等方面也不乏逆變電路的身影。在很多情況下,整流和逆變是有著密切的聯系,同一套晶閘管電路即可做整流,有能做逆變,常稱這一裝置為"變流器2

    標簽: 整流電路

    上傳時間: 2022-05-31

    上傳用戶:zhaiyawei

  • EG8010 純正弦波逆變器典型應用電路圖

    EG8010 是一款數字化的、功能很完善的自帶死區控制的純正弦波逆變發生器芯片,應用于 DC-DC-AC 兩級功率變換架構或 DC-AC 單級工頻變壓器升壓變換架構,外接 12MHz 晶體振蕩器,能實現高精度、失真和諧波都很小的純正弦波 50Hz 或 60Hz 逆變器專用芯片。該芯片采用 CMOS 工藝,內部集成 SPWM 正弦發生器、死區時間控制電路、幅度因子乘法器、軟啟動電路、保護電路、RS232 串行通訊接口和 12832 串行液晶驅動模塊等功能。

    標簽: 正弦波逆變器

    上傳時間: 2022-05-31

    上傳用戶:

  • 基于STM32正弦波逆變器設計資料

    本人對逆變器感興趣,參考各類資料后,經過兩次改版,制作了這一款純正弦波逆變器。設計功率在300W。從DC升壓到SPWM產生正弦波,均采用stm32c8t6(STM32C8T6數據手冊)作為主控芯片,并同時提供高壓,低壓,過功率,和短路保護功能。現開源。希望和喜歡做逆變的朋友交流,共同提高?! PWM穩壓方式暫時采用310/DC求調制比的方式。從調試到現在已經燒毀了5片stm32都是cpu短路,等有空查查是什么原因?! ”緳C帶載過手電鉆,豆漿機,電視機,和一臺臺式電腦。豆漿機空載沒問題,放上豆子后,幾秒鐘后會觸發保護。臺式電腦工作10分鐘后電瓶沒電了,就沒再試。

    標簽: stm32 正弦波逆變器

    上傳時間: 2022-06-10

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  • 電動汽車逆變器大功率igbt模塊新型封裝技術研究

    電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實現節能減排目標的重要行業之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心,其發展受到廣泛關注.IGBT模塊發展的關鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷,引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗證納米銀焊膏的連接性能,以確定其能否應用在所需的1GBT模塊的制作過程中,本文首先設計了單個模擬芯片的燒結連接實驗,通過微x射線斷層掃描儀、剪切實驗、1描電鏡等檢測手段,對燒結后的連接層進行了全方位的檢測,結果發現雖然連接層沒有發現明顯的缺陷,但是剪切強度較低,經過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質量并不十分可靠,因此又設計用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結連接實驗,連接傳況良好,剪切實驗的過程中,發現是芯片先出現破損,這證明了連接的質量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應用在IGBT模塊的制作中。本文重點介紹了整個IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個芯片燒結相類似的操作過程,完成整個模塊的燒結。燒結完成后通過微 射線斷層掃描儀對燒結的質量進行了檢測,通過檢測發現連接層質量良好。模塊燒結連接之后,更做出最終成型的IGBT模塊,還需要經過外殼設計與制造、打線、灌度、組裝等工T藝,從而得到最終的成品,并通過晶體管特性測試儀對模塊的基本電性能進行了檢測。

    標簽: 電動汽車 逆變器 igbt模塊 封裝

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 三相逆變器中IGBT的幾種驅動電路的分析.

    摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅動專用集成電路進行了詳細的分析,對TLP250,EXB系列和M579系列進行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數和內部功能方框圖,還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項,對每種驅動芯片進行了IGBT的驅動實驗,通過有關的波形驗證了它們的特點,最后得出結論:IGBT驅動集成電路的發展趨勢是集過流保護、驅動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過流保護1前言電力電子變換技術的發展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發展.20世紀80年代,為了給高電壓應用環境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個MoS門極區來控制寬基區的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優越通態特性相結合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機調速系統的設計中,它是日前最為常見的一種器件。

    標簽: 三相逆變器 igbt 驅動電路

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:jiabin

  • 基于STM32的20KW光伏離網逆變器的設計及MPPT技術的研究

    本文圍繞光伏離網發電系統的高效率發電技術和逆變控制技術進行了研究,主要內容如下:(1)研究了單相全橋光伏離網逆變器主電路拓撲結構,詳細分析了全橋逆變電路的工作原理。研究了面積中心等效SPWM控制算法及電壓電流雙閉環PI控制算法,在此基礎上實現逆變器的穩壓控制。(2)重點研究了光伏陣列的輸出特性、最大功率點跟蹤(MPPT)控制算法和蓄電池充電特性。在對比分析幾種常見MPPT控制算法的基礎上,提出了一種改進型變步長擾動觀察的MPPT控制方法,同時介紹了幾種實現MPPT算法的常用DCIDC變換電路,對Boost變換電路的原理進行了分析,并基于Boost電路建立了改進型變步長擾動觀察法MPPT控制系統的Matlab/Simulink仿真模型,仿真結果表明改進型變步長擾動觀察的MPPT算法能有效地跟蹤太陽能光伏系統的最大功率點,提高了系統動態和穩態性能;設計了帶MPPT和恒壓充電功能的光伏充電控制器,有效地提高了光伏陣列的利用率并實現了蓄電池充電控制的優化。(3)給出了20KW光伏離網逆變器的主電路元件參數及部分硬件電路的原理圖設計。(4)給出了詳細的軟件控制系統設計方案和各功能子模塊的軟件流程圖.重點闡述了帶死區補償的DSPWM控制信號、穩壓控制及信號檢測的軟件實現方法。

    標簽: stm32 光伏逆變器 mppt

    上傳時間: 2022-06-21

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  • 逆變器IGBT損壞原因分析及處理

    1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電,變頻器采用公共直流母線式結構;冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動,每臺電機分別由獨立的逆變單元控制,逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制,相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來,冷床傳輸鏈運行較為穩定,但2007年2月以后,冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管(Insolated Gate Bipolar Transistor,IGBT)損壞現象,具體故障情況統計見表1由表1可知,冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象,故障代碼是F025和F0272原因分析1)IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看,檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題,并且更換新的IGBT后,系統可以立即正常運行,從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2)IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式,制動電阻直接掛接于直流母線上,當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時,制動單元動作,進行能耗制動;此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象,因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3)由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看,負荷分配相對較為均勻,相互差別僅為2%左右,應該不會造成IGBT損壞。此外,4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象,如果是由于負荷分配不均造成,應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞,因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4)逆變單元容量選擇不合適,裝置容量偏小造成長期過流運行,從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數:額定功率90kw,額定電流186A,負載電流169 A,短時電流254 A,中間同路額定電流221 A,電源電流205 A,電機功率110kw,電機額定電流205 A,電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。

    標簽: 逆變器 igbt

    上傳時間: 2022-06-22

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