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電子元件識別

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 可替代整合型MOSFET的獨立元件

    在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

    標簽: MOSFET 獨立元件

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • 本書以最新的資訊家電、智慧型手機、PDA產品為出發點

    本書以最新的資訊家電、智慧型手機、PDA產品為出發點,廣泛並深入分析相關的嵌入式系統技術。 適合閱讀: 產品主管、系統設計分析人員、欲進入此領域的工程師、大專院校教學. 本書效益: 為開發嵌入式系統產品必備入門聖經 進入嵌入式系統領域的寶典 第三代行動通訊終端設備與內容服務的必備知識.

    標簽: PDA

    上傳時間: 2015-09-03

    上傳用戶:阿四AIR

  • VK3606DM 6 KEYS 抗干擾并防水電容式觸摸按鍵SOP16

    一 產品描述 提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,對於防水和抗干擾方面有很優異的表現!    二 產品特色 1 工作電壓範圍:3.1V – 5.5V 2 工作電流:3mA@5V 3 6個觸摸感應按鍵 4 提供一對一的直接輸出,未按鍵為高電平輸出,按鍵為低電平輸出 5 可以經由調整 CAP 腳的外接電容,調整靈敏度,電容越大靈敏度越高 6 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 7 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三 產品應用 各種大小家電,娛樂產品   四 功能描述 1 VK3606DM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。 2 單鍵優先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經承認了, 需要等 K1 放開後, 其他按 鍵才能再被承認,同時間只有一個按鍵狀態會被輸出。 3 具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續超過 10 秒, 就會做復位。 4 環境調適功能,可隨環境的溫濕度變化調整參考值,確保按鍵判斷工作正常。 5 可分辨水與手指的差異,對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會有按鍵承認輸出。 6 內建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7 不使用的按鍵請接地,避免太過靈敏而產生誤動

    標簽: 3606 KEYS SOP VK 16 DM 抗干擾 防水

    上傳時間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 6 KEYS 高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3606OM SOP16

    一.產品描述 提供6個觸摸感應按鍵,一對一直接輸出,輸出為開漏(opendrain)型態,適合作AD鍵。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現!   二。產品特色 1.工作電壓範圍:3.1V – 5.5V 2.工作電流: 3mA@5V 3.6 個觸摸感應按鍵 4.提供一對一的直接輸出,未按鍵為開漏(open drain)型態輸出,按鍵時為低電平。 5.可以經由調整 CAP 腳的外接電容,調整靈敏度,電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 7.內建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三。 產品應用 各種大小家電,娛樂產品   四.功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。 2.單鍵優先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經承認了, 需要等K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認,同時間只有一個按鍵狀態會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續超過 10 秒, 就會做復位。 4.環境調適功能,可隨環境的溫濕度變化調整參考值,確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異,對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會有按鍵承認輸出。 6.內建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請接地,避免太過靈敏而產生誤動。 8.D0~D5 中不使用的輸出請接地,避免浮接會有漏電流的情 況。

    標簽: KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干擾 防水

    上傳時間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 10 KEYS 高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3610IM SOP16

    一.產品描述   提供10個觸摸感應按鍵及兩線式串列界面,並有中斷輸出INT腳與MCU聯繫。特性上對於防水和抗干擾方面有很優異的表現!   二。產品特色   1. 工作電壓範圍:3.1V – 5.5V   2. 工作電流:3mA@5V   3. 10 個觸摸感應按鍵   4. 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。   5. 可以經由調整 CAP 腳的外接電容,調整靈敏度,電容越大靈敏度越高   6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別   7. 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三。產品應用   各種大小家電,娛樂產品   四.功能描述  1.VK3610IM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。   2.單鍵優先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經承認了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認,同時間只有一個按鍵狀態會被輸出。   3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續超過 10 秒, 就會做復位。   4.環境調適功能,可隨環境的溫濕度變化調整參考值,確保按鍵判斷工作正常。   5.可分辨水與手指的差異,對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會有按鍵承認輸出。   6.內建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。   7.不使用的按鍵請接地,避免太過靈敏而產生誤動。  

    標簽: KEYS VK3610 SOP 10 16 IM VK 抗干擾

    上傳時間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 8鍵高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3608BM SOP16電子元器件貼片

    產品描述 提供8個觸摸感應按鍵,二進制(BCD)編碼輸出,具有一個按鍵承認輸出的顯示,按鍵後的資料會維持到下次按鍵,可先判斷按鍵承認的狀態,對於防水和抗干擾方面有很優異的表現!   產品特色 工作電壓範圍: 3.1V – 5.5V 工作電流: 3mA@5V 8 個觸摸感應按鍵 提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開,輸出狀態會維持到下次按鍵才會改變。 提供按鍵承認有效輸出,當有按鍵時輸出低電平,無按鍵為高電平。 可以經由調整 CAP 腳的外接電容,調整靈敏度,電容越大靈敏度越高 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力   產品應用 應用于大小家電,娛樂產品等

    標簽: VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾 防水 電元器件 貼片

    上傳時間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 8 KEYS 高抗干擾并防水+省電電容式觸摸按鍵VK3708BM SOP16

    一.產品描述   提供8個觸摸感應按鍵,二進制(BCD)編碼輸出,具有一個按鍵承認輸出的顯示,按鍵後的資料會維持到下次按鍵,可先判斷按鍵承認的狀態。提供低功耗模式,可使用於電池應用的產品。對於防水和抗干擾方面有很優異的表現!   二.產品特色   1.工作電壓範圍:3.1V – 5.5V   2. 工作電流: 3mA (正常模式);15 uA (休眠模式) @5V   3. 8 個觸摸感應按鍵   4.持續無按鍵 4 秒,進入休眠模式   5. 提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111)   6. 按鍵後離開,輸出狀態會維持到下次按鍵才會改變。   7. 提供按鍵承認有效輸出,當有按鍵時輸出低電平,無按鍵為高電平。   8. 可以經由調整 CAP 腳的外接電容,調整靈敏度,電容越大靈敏度越高   9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別   10. 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三.產品應用   各種大小家電,娛樂產品   四.功能描述   1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。   2.單鍵優先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經承認了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認,同時間只有一個按鍵狀態會被輸出。   3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續超過 10 秒, 就會做復位。   4.環境調適功能,可隨環境的溫濕度變化調整參考值,確保按鍵判斷工作正常。   5.可分辨水與手指的差異,對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會有按鍵承認輸出。   6.內建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。   7.不使用的按鍵請接地,避免太過靈敏而產生誤動。 聯系人:許碩          QQ:191 888 5898   聯系電話:188 9858 2398(微信)

    標簽: KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾 防水 省電

    上傳時間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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