半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程
上傳時(shí)間： 2014-01-20
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在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗x擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。
標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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上傳時(shí)間： 2013-11-04
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本書以最新的資訊家電、智慧型手機(jī)、PDA產(chǎn)品為出發(fā)點(diǎn)，廣泛並深入分析相關(guān)的嵌入式系統(tǒng)技術(shù)。 適合閱讀： 產(chǎn)品主管、系統(tǒng)設(shè)計(jì)分析人員、欲進(jìn)入此領(lǐng)域的工程師、大專院校教學(xué). 本書效益： 為開發(fā)嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品必備入門聖經(jīng) 進(jìn)入嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域的寶典 第三代行動通訊終端設(shè)備與內(nèi)容服務(wù)的必備知識.
標(biāo)簽： PDA 家
上傳時(shí)間： 2015-09-03
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一 產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對一直接輸出，對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二 產(chǎn)品特色 1 工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2 工作電流：3mA@5V 3 6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4 提供一對一的直接輸出，未按鍵為高電平輸出，按鍵為低電平輸出 5 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四 功能描述 1 VK3606DM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2 單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按 鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會被輸出。 3 具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。 4 環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5 可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認(rèn)輸出。 6 內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7 不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動
標(biāo)簽： 3606 KEYS SOP VK 16 DM 抗干擾 防水
上傳時(shí)間： 2019-08-08
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一．產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對一直接輸出，輸出為開漏(opendrain)型態(tài)，適合作AD鍵。對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2.工作電流： 3mA@5V 3.6 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.提供一對一的直接輸出，未按鍵為開漏(open drain)型態(tài)輸出，按鍵時(shí)為低電平。 5.可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7.內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。 8.D0~D5 中不使用的輸出請接地，避免浮接會有漏電流的情 況。
標(biāo)簽： KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干擾 防水
一．產(chǎn)品描述 提供10個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵及兩線式串列界面，並有中斷輸出INT腳與MCU聯(lián)繫。特性上對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1. 工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流：3mA@5V 3. 10 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4. 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。 5. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3610IM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。
標(biāo)簽： KEYS VK3610 SOP 10 16 IM VK 抗干擾
產(chǎn)品描述 提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，二進(jìn)制(BCD)編碼輸出，具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)，對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 產(chǎn)品特色 工作電壓範(fàn)圍： 3.1V – 5.5V 工作電流： 3mA@5V 8 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開，輸出狀態(tài)會維持到下次按鍵才會改變。 提供按鍵承認(rèn)有效輸出，當(dāng)有按鍵時(shí)輸出低電平，無按鍵為高電平。 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 產(chǎn)品應(yīng)用 應(yīng)用于大小家電，娛樂產(chǎn)品等
標(biāo)簽： VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾 防水 電元器件 貼片
一．產(chǎn)品描述 提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，二進(jìn)制(BCD)編碼輸出，具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二．產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流： 3mA (正常模式)；15 uA (休眠模式) @5V 3. 8 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.持續(xù)無按鍵 4 秒，進(jìn)入休眠模式 5. 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 6. 按鍵後離開，輸出狀態(tài)會維持到下次按鍵才會改變。 7. 提供按鍵承認(rèn)有效輸出，當(dāng)有按鍵時(shí)輸出低電平，無按鍵為高電平。 8. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 10. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三．產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。 聯(lián)系人：許碩 QQ：191 888 5898 聯(lián)系電話：188 9858 2398（微信）
標(biāo)簽： KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾 防水 省電
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
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