本文檔著重介紹如何使用Philips 半導體的收發器PCA82C250[1]和PCA82C251[2]實現物理媒體連接子層物理信令子層和數據鏈路層之間的連接是通過集成的協議控制器實現的這些產品有像Philips 的PCx82C200 SJA1000 等而媒體相關接口負責連接傳輸媒體譬如將總線節點連接到總線的連接器像Philips 的TJA1050[3]或PCA82C250[4]等收發器
上傳時間： 2013-10-19
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提出了一種改進的LSM-ALSM子空間模式識別方法，將LSM的旋轉策略引入ALSM，使子空間之間互不關聯的情況得到改善，提高了ALSM對相似樣本的區分能力。討論中以性能函數代替經驗函數來確定拒識規則的參數，實現了識別率、誤識率與拒識率之間的最佳平衡；通過對有限字符集的實驗結果表明，LSM-ALSM算法有效地改善了分類器的識別率和可靠性。關 鍵 詞 學習子空間; 性能函數; 散布矩陣; 最小描述長度在子空間模式識別方法中，一個線性子空間代表一個模式類別，該子空間由反映類別本質的一組特征矢量張成，分類器根據輸入樣本在各子空間上的投影長度將其歸為相應的類別。典型的子空間算法有以下三種[1, 2]：CLAFIC(Class-feature Information Compression)算法以相關矩陣的部分特征向量來構造子空間，實現了特征信息的壓縮，但對樣本的利用為一次性，不能根據分類結果進行調整和學習，對樣本信息的利用不充分；學習子空間方法(Leaning Subspace Method, LSM)通過旋轉子空間來拉大樣本所屬類別與最近鄰類別的距離，以此提高分類能力，但對樣本的訓練順序敏感，同一樣本訓練的順序不同對子空間構造的影響就不同；平均學習子空間算法(Averaged Learning Subspace Method, ALSM)是在迭代訓練過程中，用錯誤分類的樣本去調整散布矩陣，訓練結果與樣本輸入順序無關，所有樣本平均參與訓練，其不足之處是各模式的子空間之間相互獨立。針對以上問題，本文提出一種改進的子空間模式識別方法。子空間模式識別的基本原理1.1 子空間的分類規則子空間模式識別方法的每一類別由一個子空間表示，子空間分類器的基本分類規則是按矢量在各子空間上的投影長度大小，將樣本歸類到最大長度所對應的類別，在類x()iω的子空間上投影長度的平方為()211,2,,()argmax()jMTkkjpg===Σx (1)式中 函數稱為分類函數；為子空間基矢量。兩類的分類情況如圖1所示。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：熊少鋒
醫療保健行業的發展趨勢是通過非置入手段來實現早期疾病預測，降低病人開支，這一趨勢促使醫療成像設備在該領域扮演了越來越重要的角色。為滿足這些行業目標需要的功能，設
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：xsnjzljj
針對彈載合成孔徑雷達（SAR）成像存在運動參數抖動的問題，分析了不規則運動造成圖像幾何失真的機理，提出了一種基于多項式逼近的彈載SAR線性調頻（LFM）信號前斜視成像幾何形變校正方法。掛飛試驗證明，該方法能從雷達回波數據中準確消除幾何形變，提高成像質量。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：日光微瀾
☻本單元主要介紹OTNM2000網管上使用WDM/OTN子網業務管理界面進行業務配置的方法以及注意事項。 ☻學完本單元后，您應該能： l了解OTN子網交叉的功能和使用方法 l了解配置業務和保護的方法和配置規則
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：shen_dafa
根據紅外成像無損檢測原理，利用機器視覺技術，通過實驗將紅外熱像儀采集的亞表面紅外缺陷圖像進行一系列的處理，包括濾波降噪，圖像增強，邊緣提取等，將缺陷檢測出來。文中用matlab和Visual C++2010聯合編程的方式對紅外缺陷進行識別，通過窗口可視化將圖像和圖像中的缺陷位置，大小提取出來。通過多次實驗，本方法能夠檢測大多的亞平面缺陷，具有較高的應用價值。
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：徐孺
特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規劃 具有異常值與異常次數記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內或范圍外檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩定性高 2.主要規格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：fandeshun
特點 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器...等信號 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高 2主要規格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數設定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2014-01-05
上傳用戶：eastgan
特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：lhuqi
在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中，除需關注其噪聲外，目前數字化也是它的一個重要的研究和設計方向，設計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit，10 Msps的流水線型ADC，并基于0.5 ?滋m標準CMOS工藝進行了流片。最后，通過在PCB測試版上用本文設計的ADC實現了模擬輸出的低噪聲CMOS圖像傳感器的模數轉換，并基于自主開發的成像測試系統進行了成像驗證，結果表明，成像畫面清晰，該ADC可作為低噪聲CMOS圖像傳感器的芯片級模數轉換器應用。
上傳時間： 2013-11-19
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