LT®8610 和 LT8611 是 42V、2.5A 同步降壓型穩(wěn)壓器，可滿足汽車、工業(yè)和通信應(yīng)用嚴(yán)格的高輸入電壓及低輸出電壓要求。為盡量減少外部組件并壓縮解決方案尺寸，上管和下管電源開關(guān)集成在一種同步穩(wěn)壓器拓?fù)渲校藘?nèi)部補(bǔ)償功能電路。即使在調(diào)節(jié)輸出的過程中，穩(wěn)壓器從輸入電源消耗的靜態(tài)電流也僅為 2.5μA。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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文中對(duì)BUCK型DC_DC變換器進(jìn)行了系統(tǒng)建模。為了得到包含平均電流調(diào)節(jié)開關(guān)控制方式的雙環(huán)控制系統(tǒng)的簡(jiǎn)化模型，提出了一種電流環(huán)閉環(huán)傳遞函數(shù)的近似函數(shù)，并分別對(duì)電流控制器，電流補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和功率級(jí)進(jìn)行了建模，采用Mathcad進(jìn)行仿真，得到系統(tǒng)相位裕度達(dá)到54°的結(jié)果。
標(biāo)簽： 電流控制 開關(guān)調(diào)節(jié)系統(tǒng) 建模
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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阻容降壓回路的問提
上傳時(shí)間： 2013-11-13
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雙極型三極管的高頻小信號(hào)模型
標(biāo)簽： 雙極型三極管 高頻小信號(hào) 模型
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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針對(duì)電源設(shè)備出廠老化測(cè)試電能浪費(fèi)問題，設(shè)計(jì)了一種基于TMS320F28335DSP的恒流型饋能式電子負(fù)載。描述了一種原邊帶箝位二極管的ZVS移相全橋變換器的工作特點(diǎn)，采用了一種簡(jiǎn)便易行的移相波形數(shù)字控制方法；基于DC/DC電壓前饋、DC/AC電壓電流雙環(huán)控制方法，研制出一臺(tái)3.5 kW試驗(yàn)樣機(jī)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：該系統(tǒng)性能穩(wěn)定、調(diào)節(jié)速度快，能很好地滿足測(cè)試?yán)匣梆伨W(wǎng)要求。
標(biāo)簽： F28335 28335 320F TMS
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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采用滯環(huán)電流控制方式,以TMS320F2812為控制器組建了電壓型PWM整流器雙閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)性能。為設(shè)計(jì)PWM整流器提供了一定的理論依據(jù)。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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現(xiàn)階段對(duì)電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的研究還相對(duì)較少，設(shè)計(jì)的光照強(qiáng)度變送器普遍存在精度不高，線性度不好，性能不夠穩(wěn)定，不能輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流信號(hào)的問題。介紹了一種電流型二線制光照強(qiáng)度變送器的設(shè)計(jì)，其結(jié)構(gòu)由光照強(qiáng)度轉(zhuǎn)電壓電路、電壓范圍轉(zhuǎn)換電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路以及穩(wěn)壓電源產(chǎn)生電路組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該變送器具有精度高、線性度好、功耗低，能夠穩(wěn)定可靠地輸出標(biāo)準(zhǔn)4~20 mA電流的特點(diǎn)。
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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本文針對(duì)6KV中壓電網(wǎng)三相平衡負(fù)載的無功功率補(bǔ)償，結(jié)合二極管箝位多電平逆變器和H橋級(jí)聯(lián)多電平逆變器的特點(diǎn)，提出了一種能夠直接并入電網(wǎng)的新型主從式的逆變器結(jié)構(gòu)：主逆變器采用二極管箝位三電平逆變器，從逆變器采用三個(gè)H橋(即全橋)逆變器。主逆變器和H橋逆變器采用級(jí)聯(lián)的形式連接，最后構(gòu)成一個(gè)五電平的混聯(lián)逆變器。從逆變器負(fù)責(zé)產(chǎn)生一個(gè)方波電壓，構(gòu)成輸?shù)A正弦電壓的基本成分：主逆變器產(chǎn)生輸出電壓的補(bǔ)償部分以及負(fù)責(zé)消除低次諧波。對(duì)于主逆變器直流側(cè)電容電壓的平衡問題，本文提出了一種采用硬件電路平衡的方法，從而降低了PWM調(diào)制時(shí)控制方法的復(fù)雜性。因?yàn)榧砷T極換相晶閘管(IGCT)這種新型電力電子器件具有開關(guān)頻率高、無緩沖電路、耐壓高等優(yōu)點(diǎn)，主電路選用IGCT作為開關(guān)器件。本文詳細(xì)分析了用于STATCOM的主從型逆變器電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)給出了電路參數(shù)的確定方法，并對(duì)STATCOM逆變器輸出電壓的諧波進(jìn)行了理論分析。根據(jù)本文提出的主從型逆交器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，建立了基于瞬時(shí)無功理論的STATCOM系統(tǒng)動(dòng)態(tài)控制模型，并給出了一種解藕反饋控制方法。最后通過仿真結(jié)果證明了所提出的這種主從型逆變器STA’rC0^I結(jié)構(gòu)在消除諧波方面的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： STATCOM IGCT 逆變器 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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