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電源<b>規(guī)格</b>書

  • 溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void)

    溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void) { int a=73,b=85,c=66 { if (a>=90) printf("a=A等級!!\n") else if (a>=80) printf("73分=B等級!!\n") else if (a>=70) printf("73分=C等級!!\n") else if (a>=60) printf("73分=D等級!!\n") else if (a<60) printf("73分=E等級!!\n") } { if (b>=90) printf("b=A等級!!\n") else if (b>=80) printf("85分=B等級!!\n") else if (b>=70) printf("85分=C等級!!\n") else if (b>=60) printf("85分=D等級!!\n") else if (b<60) printf("85分=E等級!!\n") } { if (c>=90) printf("c=A等級!!\n") else if (c>=80) printf("66分=B等級!!\n") else if (c>=70) printf("66分=C等級!!\n") else if (c>=60) printf("66分=D等級!!\n") else if (c<60) printf("66分=E等級!!\n") } system("pause") return 0 }

    標(biāo)簽: include stdlib stdio gt

    上傳時間: 2014-11-10

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  • 溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void)

    溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void) { int a=73,b=85,c=66 { if (a>=90) printf("a=A等級!!\n") else if (a>=80) printf("73分=B等級!!\n") else if (a>=70) printf("73分=C等級!!\n") else if (a>=60) printf("73分=D等級!!\n") else if (a<60) printf("73分=E等級!!\n") } { if (b>=90) printf("b=A等級!!\n") else if (b>=80) printf("85分=B等級!!\n") else if (b>=70) printf("85分=C等級!!\n") else if (b>=60) printf("85分=D等級!!\n") else if (b<60) printf("85分=E等級!!\n") } { if (c>=90) printf("c=A等級!!\n") else if (c>=80) printf("66分=B等級!!\n") else if (c>=70) printf("66分=C等級!!\n") else if (c>=60) printf("66分=D等級!!\n") else if (c<60) printf("66分=E等級!!\n") } system("pause") return 0 }

    標(biāo)簽: include stdlib stdio gt

    上傳時間: 2013-12-12

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  • 給定兩個集合A、B

    給定兩個集合A、B,集合內(nèi)的任一元素x滿足1 ≤ x ≤ 109,并且每個集合的元素個數(shù)不大于105。我們希望求出A、B之間的關(guān)系。 任 務(wù) :給定兩個集合的描述,判斷它們滿足下列關(guān)系的哪一種: A是B的一個真子集,輸出“A is a proper subset of B” B是A的一個真子集,輸出“B is a proper subset of A” A和B是同一個集合,輸出“A equals B” A和B的交集為空,輸出“A and B are disjoint” 上述情況都不是,輸出“I m confused!”

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    上傳時間: 2017-03-15

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  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-10-22

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  • 纖巧型同步升壓轉(zhuǎn)換器在700mV條件下啟動

    由於性電池容易購買而且價格相對便宜,因此它為人們帶來了方便,並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂設(shè)備的電源選擇。

    標(biāo)簽: 700 mV 同步升壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時間: 2014-01-07

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  • 熱插拔解決方案符合AMC和MicroTCA標(biāo)準(zhǔn)

    LTC®4223 是一款符合微通信計算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器,該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計算機制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。

    標(biāo)簽: MicroTCA AMC 熱插拔 方案

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:我累個乖乖

  • MSP430系列flash型超低功耗16位單片機

    MSP430系列flash型超低功耗16位單片機MSP430系列單片機在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點。該系列單片機自問世以來,頗受用戶關(guān)注。在2000年該系列單片機又出現(xiàn)了幾個FLASH型的成員,它們除了仍然具備適合應(yīng)用在自動信號采集系統(tǒng)、電池供電便攜式裝置、超長時間連續(xù)工作的設(shè)備等領(lǐng)域的特點外,更具有開發(fā)方便、可以現(xiàn)場編程等優(yōu)點。這些技術(shù)特點正是應(yīng)用工程師特別感興趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機》對該系列單片機的FLASH型成員的原理、結(jié)構(gòu)、內(nèi)部各功能模塊及開發(fā)方法與工具作詳細(xì)介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機 目錄  第1章 引 論1.1 MSP430系列單片機1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章 結(jié)構(gòu)概述2.1 引 言2.2 CPU2.3 程序存儲器2.4 數(shù)據(jù)存儲器2.5 運行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時鐘發(fā)生器第3章 系統(tǒng)復(fù)位、中斷及工作模式3.1 系統(tǒng)復(fù)位和初始化3.1.1 引 言3.1.2 系統(tǒng)復(fù)位后的設(shè)備初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 MSP430 中斷優(yōu)先級3.3.1 中斷操作--復(fù)位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1(LPM0和LPM1)3.5.2 低功耗模式2、3(LPM2和LPM3)3.5.3 低功耗模式4(LPM4)22 3.6 低功耗應(yīng)用的要點23第4章 存儲空間4.1 引 言4.2 存儲器中的數(shù)據(jù)4.3 片內(nèi)ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲器4.5.1 FLASH存儲器的組織4.5.2 FALSH存儲器的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)4.5.3 FLASH存儲器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲器的安全鍵值與中斷4.5.5 經(jīng)JTAG接口訪問FLASH存儲器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號模式5.2.4 絕對模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時鐘周期與長度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡短格式5.3.5 其他指令第6章 硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章 基礎(chǔ)時鐘模塊7.1 基礎(chǔ)時鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測7.2.4 XT振蕩器失效時的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調(diào)整器7.4 時鐘與運行模式7.4.1 由PUC啟動7.4.2 基礎(chǔ)時鐘調(diào)整7.4.3 用于低功耗的基礎(chǔ)時鐘特性7.4.4 選擇晶振產(chǎn)生MCLK7.4.5 時鐘信號的同步7.5 基礎(chǔ)時鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章 輸入輸出端口8.1 引 言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章 看門狗定時器WDT9.1 看門狗定時器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時器Timer_A10.1 引 言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時器模式控制10.2.2 時鐘源選擇和分頻10.2.3 定時器啟動10.3 定時器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計數(shù)模式10.3.3 連續(xù)模式10.3.4 增/減計數(shù)模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應(yīng)用 第11章 16位定時器Timer_B11.1 引 言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時器長度11.2.2 定時器模式控制11.2.3 時鐘源選擇和分頻11.2.4 定時器啟動11.3 定時器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計數(shù)模式11.3.3 連續(xù)模式11.3.4 增/減計數(shù)模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機模式12.1.5 地址位多機通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制和狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)整控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式,低功耗模式應(yīng)用特性12.4.1 由UART幀啟動接收操作12.4.2 時鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機模式對節(jié)約MSP430資源的支持12.5 波特率計算 第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發(fā)送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發(fā)送允許位及發(fā)送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF第14章 比較器Comparator_A14.1 概 述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開關(guān)14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發(fā)生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應(yīng)用14.4.1 模擬信號在數(shù)字端口的輸入14.4.2 比較器A測量電阻元件14.4.3 兩個獨立電阻元件的測量系統(tǒng)14.4.4 比較器A檢測電流或電壓14.4.5 比較器A測量電流或電壓14.4.6 測量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補償14.4.8 增加比較器A的回差第15章 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1215.1 概 述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內(nèi)核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉(zhuǎn)換存儲15.5 轉(zhuǎn)換模式15.5.1 單通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.2 序列通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.3 單通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.4 序列通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.5 轉(zhuǎn)換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉(zhuǎn)換時鐘與轉(zhuǎn)換速度15.7 采 樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉(zhuǎn)換存儲寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標(biāo)志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開發(fā)16.1 開發(fā)系統(tǒng)概述16.1.1 開發(fā)技術(shù)16.1.2 MSP430系列的開發(fā)16.1.3 MSP430F系列的開發(fā)16.2 FLASH型的FET開發(fā)方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標(biāo)準(zhǔn)復(fù)位過程和進(jìn)入BSL過程16.3.2 BSL的UART協(xié)議16.3.3 數(shù)據(jù)格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護口令16.3.6 BSL的內(nèi)部設(shè)置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開銷的模擬指令B.4 指令說明(字母順序)B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機參數(shù)表附錄D MSP430系列單片機封裝形式附錄E MSP430系列器件命名

    標(biāo)簽: flash MSP 430 超低功耗

    上傳時間: 2014-04-28

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  • 微電腦型盤面式異常警報電表

    特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃 具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內(nèi)或范圍外檢測可任意設(shè)定 報警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復(fù)歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 警報電表

    上傳時間: 2013-11-02

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  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-11-17

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  • 一篇來自臺灣中華大學(xué)的論文--《無線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計》

    一篇來自臺灣中華大學(xué)的論文--《無線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無線射頻辨識系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計和晶片製作,初步設(shè)計標(biāo)籤晶片的基本功能,設(shè)計流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設(shè)計與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定,而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計、晶片量測、結(jié)論。 電路的初步設(shè)計功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯誤偵測編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能,最後完成晶片的實作。

    標(biāo)簽: 大學(xué) 論文 無線射頻

    上傳時間: 2016-08-27

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