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電源<b>規(guī)格書(shū)</b>

采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動(dòng)器

LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動(dòng)器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

標(biāo)簽： 4mmX4mm QFN LCD LED

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶(hù)：zzbbqq99n
通過(guò)提升性能來(lái)縮減太陽(yáng)能電池板的尺寸

本設(shè)計(jì)要點(diǎn)介紹了兩款能夠增加太陽(yáng)能電池板接收能量的簡(jiǎn)單電路。在這兩款電路中，均由太陽(yáng)能電池板給電池充電，再由電池在沒(méi)有陽(yáng)光照射的情況下提供應(yīng)用電路運(yùn)作所需的電源。

標(biāo)簽： 性能減太陽(yáng)能電池板尺寸

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶(hù)：KSLYZ
理想二極管提供了針對(duì)電源布線錯(cuò)誤的保護(hù)作用

高可用性繫統(tǒng)常常采用雙路饋送功率分配，旨在實(shí)現(xiàn)冗餘並增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。“或”二極管把兩路電源一起連接在負(fù)載點(diǎn)上，最常用的是肖特基二極管，目的在於實(shí)現(xiàn)低損耗

標(biāo)簽： 理想二極管保護(hù) 電源布線錯(cuò)誤

上傳時(shí)間： 2013-10-19

上傳用戶(hù)：BOBOniu
具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

時(shí)至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

標(biāo)簽： PoE 集成反激式控制器 PD接口

上傳時(shí)間： 2013-11-06

上傳用戶(hù)：xmsmh
降壓型同步控制器可采用低至2.2V的工作輸入電源

許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。

標(biāo)簽： 2.2 降壓型同步控制器輸入

上傳時(shí)間： 2013-12-30

上傳用戶(hù)：arnold
對(duì)于電源故障保護(hù)應(yīng)用，超級(jí)電容器能夠替代后備電池

在越來(lái)越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類(lèi)應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障，則接入一個(gè)後備電源，用於給負(fù)載供電

標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池超級(jí)電容器

上傳時(shí)間： 2014-01-08

上傳用戶(hù)：lansedeyuntkn
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā) 資料

標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶(hù)：38553903210
使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

設(shè)計(jì)時(shí)需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

標(biāo)簽： 閂鎖電路保護(hù)電源

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶(hù)：zq70996813
透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶(hù)：swing
可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶(hù)：阿譚電器工作室