結(jié)合直接數(shù)字頻率合成（DDS）和鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計(jì)。文章通過軟件仿真重點(diǎn)分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計(jì)方法，同時(shí)給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計(jì)過程。最后對樣機(jī)的測試結(jié)果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，滿足了實(shí)際工程應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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給出了兩種應(yīng)用于兩級CMOS 運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)出的CMOS 運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時(shí)間等優(yōu)點(diǎn),還可以在達(dá)到相同補(bǔ)償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補(bǔ)償技術(shù)進(jìn)行比較,結(jié)果驗(yàn)證了共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)相對于直接密勒補(bǔ)償技術(shù)的優(yōu)越性.
標(biāo)簽： 共源共柵 運(yùn)放 補(bǔ)償 比較
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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場效應(yīng)晶體管放大電路的動態(tài)分析 共源組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析 共漏組態(tài)基本放大電路的動態(tài)分析
標(biāo)簽： 場效應(yīng)晶體管 動態(tài)分析 放大電路
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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第一章 基 礎(chǔ) 知 識由電阻、電容、電感等集中參數(shù)元件組成的電路稱為集中電路。1.1 電路與電路模型1.2 電路分析的基本變量1.3 電阻元件和獨(dú)立電源元件1.4 基爾霍夫定律1.5 受 控 源1.6 兩類約束和KCL，KVL方程的獨(dú)立性1.1 電路與電路模型1.電路2.電路的形式與功能 電路的功能基本上可以分成兩大類。一類是用來實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換、傳輸和分配。電路的另一類功能則是在信息網(wǎng)絡(luò)中，用來傳遞、儲存、加工和處理各種電信號。 圖1-2所示的是通信網(wǎng)的基本組成框圖。通常把輸入電路的信號稱為激勵(lì)，而把經(jīng)過電路傳輸或處理后的信號稱為響應(yīng)。 3.電路模型與集中電路 構(gòu)成電路的設(shè)備和器件統(tǒng)稱為電路部件，常用的電路部件有電池、發(fā)電機(jī)、信號發(fā)生器、電阻器、電容器、電感線圈、變壓器、晶體管及集成電路等。 基本的電路參數(shù)有3個(gè)，即電阻、電容和電感。 基本的集中參數(shù)元件有電阻元件、電感元件和電容元件，分別用圖1-3(a)，(b)和(c)來表示。
標(biāo)簽： 電路分析基礎(chǔ) 教程
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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針對模塊電源的發(fā)展趨勢和有源鉗位電路的工作原理，研究了一種采用磁放大技術(shù)和固定伏特秒控制技術(shù)的有源鉗位正激軟開關(guān)電路，并對該電路的工作過程進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一款25 W的電源樣機(jī)。經(jīng)過測試，驗(yàn)證了該理論分析的正確性，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)完全實(shí)現(xiàn)了主開關(guān)管和鉗位開關(guān)管的軟開關(guān)變換，軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的條件不依賴于變壓器的參數(shù)。在采用肖特基二極管整流的情況下，滿載輸出的轉(zhuǎn)換效率在89%以上。
標(biāo)簽： 有源鉗位 變換器 正 軟開關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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普通的PWM變換器具有結(jié)構(gòu)簡潔、控制簡單、頻率恒定、輸出特性好等優(yōu)點(diǎn)，故廣泛應(yīng)用于社會生活的各個(gè)領(lǐng)域中。本文以boost基本電路為基礎(chǔ)，采用簡單的無源諧振網(wǎng)絡(luò)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了開關(guān)管的軟開關(guān)。這種新型的無源軟開關(guān)解決了輸出二極管反向恢復(fù)問題，具有結(jié)構(gòu)簡單、高頻率、高效率、易于控制等優(yōu)點(diǎn)。該設(shè)計(jì)可用于以IGBT為開關(guān)器件的高壓場合。分析了該變換器的工作原理、實(shí)現(xiàn)條件、設(shè)計(jì)諧振網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)、并進(jìn)行了仿真。
標(biāo)簽： 無源軟開關(guān) 變換器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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有源功率因數(shù)校正可減少用電設(shè)備對電網(wǎng)的諧波污染，提高電器設(shè)備輸入端的功率因數(shù)。詳細(xì)分析了有源功率因數(shù)校正APFC（active power factor corrector）原理，采用平均電流控制模式控制原理，設(shè)計(jì)了基于UC3854BN芯片的一種有源功率因數(shù)校正電路方案，著重分析了電路主要參數(shù)的選擇和設(shè)計(jì)。實(shí)踐證明，采用APFC后，大大減小了輸入電流的諧波分量，實(shí)現(xiàn)了功率因數(shù)校正。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 有源功率因數(shù) 校正電路 設(shè)計(jì)方案
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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