摘要:采用共源共柵運算放大器作為驅動,設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明:在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益,電源抑制比達到-100dB,電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV,是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞:帶隙基準電壓源;電源抑制比;溫度系數
標簽:
高電源抑制
帶隙基準
電壓源
上傳時間:
2013-11-19
上傳用戶:王成林。