在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
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給出了兩種應用于兩級CMOS 運算放大器的密勒補償技術的比較,用共源共柵密勒補償技術設計出的CMOS 運放與直接密勒補償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優點,還可以在達到相同補償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補償技術進行比較,結果驗證了共源共柵密勒補償技術相對于直接密勒補償技術的優越性.
上傳時間： 2013-10-14
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共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應，在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
上傳時間： 2013-10-08
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能實現VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯諧振電容三點式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級耦合多諧振蕩器、變容二極管調諧LC 振蕩器和數字門電路等幾種。它們之間各有優缺點，下面做簡要分析，并選擇最合適的方案。
上傳時間： 2013-11-06
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使用時鐘PLL的源同步系統時序分析一）回顧源同步時序計算Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup TimeHold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew + Data Rate – Hold Time下面解釋以上公式中各參數的意義：Etch Delay：與常說的飛行時間(Flight Time)意義相同，其值并不是從仿真直接得到，而是通過仿真結果的后處理得來。請看下面圖示：圖一為實際電路，激勵源從輸出端，經過互連到達接收端，傳輸延時如圖示Rmin，Rmax，Fmin，Fmax。圖二為對應輸出端的測試負載電路，測試負載延時如圖示Rising，Falling。通過這兩組值就可以計算得到Etch Delay 的最大和最小值。
上傳時間： 2013-11-05
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第一章 基 礎 知 識由電阻、電容、電感等集中參數元件組成的電路稱為集中電路。1.1 電路與電路模型1.2 電路分析的基本變量1.3 電阻元件和獨立電源元件1.4 基爾霍夫定律1.5 受 控 源1.6 兩類約束和KCL，KVL方程的獨立性1.1 電路與電路模型1.電路2.電路的形式與功能 電路的功能基本上可以分成兩大類。一類是用來實現電能的轉換、傳輸和分配。電路的另一類功能則是在信息網絡中，用來傳遞、儲存、加工和處理各種電信號。 圖1-2所示的是通信網的基本組成框圖。通常把輸入電路的信號稱為激勵，而把經過電路傳輸或處理后的信號稱為響應。 3.電路模型與集中電路 構成電路的設備和器件統稱為電路部件，常用的電路部件有電池、發電機、信號發生器、電阻器、電容器、電感線圈、變壓器、晶體管及集成電路等。 基本的電路參數有3個，即電阻、電容和電感。 基本的集中參數元件有電阻元件、電感元件和電容元件，分別用圖1-3(a)，(b)和(c)來表示。
上傳時間： 2013-10-20
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電壓源電流源名字上僅差一個字…HE HE.有一些朋友對此不太明白.所以特此說明下…并以軟件仿真…詳細介紹工作原理…以及注意事項….下面就是電壓源和電流的符號…左邊是電流源,右邊是電壓源. 電壓源…電壓源其實就是我們普通經常用的一種電源.比如說電池呀電瓶或自己做的穩壓電路.一般屬于電壓源… 電壓源的特性是: 輸出端,可以開路,但不能短路…總而言之電壓源的輸出電壓是恒定的…比如5V 電壓源輸出的電壓就是5V.隨不同的負載會改變電流…比如在5V 的電壓源上加一個1 歐的負載… 流過的電流就是5/1=5A 電流… 如果接的電阻為2 歐.流過電流就等于5/2=2.5A….這個簡單的計算相信誰都會…電流源電流源和電壓源區別比較大…電流源輸出端不能開路,但可以短路…為什么不能開路呢…HE HE…是因為開路了…電流源輸出的電壓就為無限高了…(實際上電壓也是有一定值的)總而言之電流源的輸出電流是恒定的.不管你負載的大小…就是你短路了.他的電流還是保持不變.改變的是電壓…比如一個1A的恒流源…你接上一個1歐的負載…他輸出的電壓是.1x1=1V 電壓…當你接上一個10 歐電阻的時候…他就是1x10=10V電壓輸出…
上傳時間： 2013-10-08
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合理利用有效的控制策略提高有源濾波器的本身的補償性能越來越成為各國學者研究重點。本文從有源濾波器的數學模型出發，詳述有源濾波器的數學建模過程。并且針對諧波電流的檢測需要較高的準確度和較好的實時性以及有源濾波器工作時的非線性與不確定性的特點，基于瞬時無功功率補償法的諧波電流檢測方法。有效的計算出電網中諧波電流、無功以及負序電流。并根據該算法的特點，將實時檢測出的畸變電流通過控制算法，研制的有源濾波器可對不對稱三相負載起到平衡作用。在MATLAB/simulink平臺下搭建仿真模型，與傳統的有源濾波器進行對比，仿真結果表明這種有源濾波器能夠更加迅速、精確的補償諧波電流。
上傳時間： 2013-10-10
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聲控開關和光控開關的制作
上傳時間： 2013-10-27
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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