MEMS真空封裝是提高MEMS慣性器件性能的主要手段。本文應(yīng)用實驗方法，在真空熔焊工藝設(shè)備上研究了MEMS器件金屬外殼真空封裝工藝。對不同鍍層結(jié)構(gòu)的外殼進行了封裝實驗比較和氣密性測試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，金屬外殼表面鍍Ni和鍍Au或管座表面鍍Ni和Au、管帽表面鍍Ni可有效的提高真空封裝的氣密性和可靠性，其氣密性優(yōu)于5×10-9 Pa·m3／s。封裝樣品的高低溫循環(huán)實驗和真空保持特性的測量結(jié)果說明，金屬外殼真空熔焊工藝可基本滿足MEMS器件真空封裝工藝的要求，并測得真空度為5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺儀的封裝應(yīng)用也說明了工藝的可行性。
標簽：
MEMS
熔焊
封裝工藝
上傳時間：
2016-07-26
上傳用戶：leishenzhichui
