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MEMS真空熔焊封裝工藝研究

  • 資源大小:579 K
  • 上傳時間: 2016-07-26
  • 上傳用戶:leishenzhichui
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標(biāo)      簽: MEMS 熔焊 封裝工藝

資 源 簡 介

MEMS真空封裝是提高MEMS慣性器件性能的主要手段。本文應(yīng)用實驗方法,在真空熔焊工藝設(shè)備上研究了MEMS器件金屬外殼真空封裝工藝。對不同鍍層結(jié)構(gòu)的外殼進行了封裝實驗比較和氣密性測試,結(jié)果發(fā)現(xiàn),金屬外殼表面鍍Ni和鍍Au或管座表面鍍Ni和Au、管帽表面鍍Ni可有效的提高真空封裝的氣密性和可靠性,其氣密性優(yōu)于5×10-9 Pa·m3/s。封裝樣品的高低溫循環(huán)實驗和真空保持特性的測量結(jié)果說明,金屬外殼真空熔焊工藝可基本滿足MEMS器件真空封裝工藝的要求,并測得真空度為5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺儀的封裝應(yīng)用也說明了工藝的可行性。

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    標(biāo)簽: MEMS 熔焊 封裝工藝

    上傳時間: 2016-07-26

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    標(biāo)簽: MEMS 封裝 技術(shù)研究

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    標(biāo)簽: MEMS 器件 芯片級封裝 技術(shù)研究 鍵合

    上傳時間: 2016-07-26

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    標(biāo)簽: 微機電系統(tǒng) 封裝 關(guān)鍵技術(shù) 操作

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    標(biāo)簽: 滅弧 磁場

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