MEMS真空封裝是提高M(jìn)EMS慣性器件性能的主要手段。本文應(yīng)用實(shí)驗(yàn)方法，在真空熔焊工藝設(shè)備上研究了MEMS器件金屬外殼真空封裝工藝。對(duì)不同鍍層結(jié)構(gòu)的外殼進(jìn)行了封裝實(shí)驗(yàn)比較和氣密性測(cè)試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，金屬外殼表面鍍Ni和鍍Au或管座表面鍍Ni和Au、管帽表面鍍Ni可有效的提高真空封裝的氣密性和可靠性，其氣密性優(yōu)于5×10-9 Pa·m3／s。封裝樣品的高低溫循環(huán)實(shí)驗(yàn)和真空保持特性的測(cè)量結(jié)果說明，金屬外殼真空熔焊工藝可基本滿足MEMS器件真空封裝工藝的要求，并測(cè)得真空度為5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺儀的封裝應(yīng)用也說明了工藝的可行性。
資源簡(jiǎn)介：MEMS真空封裝是提高M(jìn)EMS慣性器件性能的主要手段。本文應(yīng)用實(shí)驗(yàn)方法，在真空熔焊工藝設(shè)備上研究了MEMS器件金屬外殼真空封裝工藝。對(duì)不同鍍層結(jié)構(gòu)的外殼進(jìn)行了封裝實(shí)驗(yàn)比較和氣密性測(cè)試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，金屬外殼表面鍍Ni和鍍Au或管座表面鍍Ni和Au、管帽表面鍍Ni可有...
上傳時(shí)間： 2016-07-26
上傳用戶：leishenzhichui
資源簡(jiǎn)介： 對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 k...
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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資源簡(jiǎn)介：結(jié)合典型的焊料鍵合MEMS真空封裝工藝，應(yīng)用真空物理的相關(guān)理論，建立了封裝腔體的真空度與氣體吸附和解吸、氣體的滲透、材料的蒸氣壓、氣體通過小孔的流動(dòng)等的數(shù)學(xué)模型，確定了其數(shù)值模擬的算法．通過實(shí)驗(yàn)初步驗(yàn)證了模擬結(jié)果的準(zhǔn)確性，分析了毛細(xì)孔尺寸對(duì)腔體...
上傳時(shí)間： 2016-07-26
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資源簡(jiǎn)介：選用4000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘接鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問題，采用該技術(shù)成功加工出具有三層結(jié)構(gòu)的圓片級(jí)封裝某種慣性壓阻類傳感器。依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GJB548A對(duì)其進(jìn)行了剪切強(qiáng)度和檢漏測(cè)試，測(cè)得封裝樣品漏率小于5×10pa·cm3／s，鍵合強(qiáng)度大于49 N...
上傳時(shí)間： 2016-07-26
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資源簡(jiǎn)介：MEMS中的封裝工藝與半導(dǎo)體工藝中的封裝具有一定的相似性!因此!早期MEMS的封裝 大多借用半導(dǎo)體中現(xiàn)成的工藝%本文首先介紹了封裝的主要形式!然后著重闡述了晶圓級(jí)封裝與芯片級(jí)封裝&!’%最后給出了一些商業(yè)化的實(shí)例%
上傳時(shí)間： 2016-07-26
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資源簡(jiǎn)介：簡(jiǎn)要介紹本文件的目的是，針對(duì)潮濕、再流焊和工藝敏感器件，向生產(chǎn)商和用戶提供標(biāo)準(zhǔn)的操作、包裝、運(yùn)輸及使用方法。所提供的這些方法可避免由于吸收濕氣和暴露在再流焊溫度下造成的封裝損傷，這些損傷會(huì)導(dǎo)致合格率和可靠性的降低。一旦正確執(zhí)行IPC/JEDEC J-ST...
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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資源簡(jiǎn)介：數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)以及控制論的進(jìn)步推動(dòng)弧焊電源從模擬階段發(fā)展到數(shù)字階段。數(shù)字化逆變弧焊電源不僅可靠性高、控制精度高而且容易大規(guī)模集成、方便升級(jí)，成為焊機(jī)的發(fā)展方向，推動(dòng)了焊接產(chǎn)業(yè)的巨大發(fā)展。針對(duì)傳統(tǒng)的埋弧焊電源存在的體積大、控制電路復(fù)雜...
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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資源簡(jiǎn)介：MC68HC11單片機(jī)控制恒頻短路過渡逆變式CO_2焊機(jī)的研究
上傳時(shí)間： 2013-12-05
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資源簡(jiǎn)介：基于RTP和MPEG4的流媒體系統(tǒng)研究,基于RTP的MPEG_4封裝技術(shù)研究與設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-01-05
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資源簡(jiǎn)介：車身用高強(qiáng)度鍍鋅鋼CO_2激光焊接的工藝研究 車身用高強(qiáng)度鍍鋅鋼CO_2激光焊接的工藝研究
上傳時(shí)間： 2013-12-18
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資源簡(jiǎn)介：該文檔為功率半導(dǎo)體器件物理與工藝研究講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2022-02-27
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資源簡(jiǎn)介：有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體...
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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資源簡(jiǎn)介：用于MEMS芯片封蓋保護(hù)的金-硅鍵合新結(jié)構(gòu)，與器件制造工藝兼容!鍵合溫度低!有足夠的鍵合強(qiáng)度，不損壞器件結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了MEMS器件的芯片級(jí)封裝。
上傳時(shí)間： 2016-07-26
上傳用戶：leishenzhichui
資源簡(jiǎn)介：本文大致可劃分為四大部分。首先簡(jiǎn)單探討LED，其次重點(diǎn)論述LED封裝技術(shù)，然后簡(jiǎn)單介紹LED相關(guān)術(shù)語(yǔ)、LED相關(guān)工具，最后總結(jié)。經(jīng)過對(duì)大量文獻(xiàn)的閱讀分析論證，LED封裝技術(shù)主要涉及到封裝設(shè)計(jì)、封裝材料、封裝設(shè)備、封裝過程、封裝工藝五大方面。封裝設(shè)計(jì)是先導(dǎo)...
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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資源簡(jiǎn)介：對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)(Micro electro mechanical systems，MEMS)組裝與封裝工藝的特點(diǎn)進(jìn)行了總結(jié)分析，給出了MEMS組裝與封裝設(shè)備的研究現(xiàn)狀。針對(duì)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展的特點(diǎn)，分析了面向MEMS組裝與封裝的微操作設(shè)備中的工藝參數(shù)優(yōu)化數(shù)據(jù)庫(kù)、快速精密定位、模塊化作業(yè)工具、快...
上傳時(shí)間： 2016-07-26
上傳用戶：leishenzhichui
資源簡(jiǎn)介：疊層芯片封裝技術(shù)，簡(jiǎn)稱3D.是指在不改變封裝體外型尺J的前提下，在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上的芯片的封裝技術(shù)，它起源于快閃存儲(chǔ)器（NCYNA\D）及SURAM的疊層封裝。由于疊層芯片封裝技術(shù)具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特點(diǎn)，2005年以來3D技...
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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資源簡(jiǎn)介：高中壓斷路器是電力系統(tǒng)中最重要的開關(guān)設(shè)備，用高中壓斷路器保護(hù)電力系統(tǒng)至今已經(jīng)歷了一段漫長(zhǎng)歷史。從最初的油斷路器發(fā)展到壓縮空氣斷路器，再到目前作為無油化開關(guān)的真空斷路器和SF6斷路器。其中真空斷路器以其小型化和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，已在高中壓領(lǐng)域得到...
上傳時(shí)間： 2013-06-20
上傳用戶：dba1592201
資源簡(jiǎn)介：隨著焊接技術(shù)、控制技術(shù)以及計(jì)算機(jī)信息技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于數(shù)字化焊機(jī)系統(tǒng)的研究已經(jīng)成為熱點(diǎn)，本文開展了對(duì)數(shù)字化IGBT逆變焊機(jī)控制系統(tǒng)的研究工作，設(shè)計(jì)了數(shù)字化逆變焊機(jī)的主電路和控制系統(tǒng)的硬件部分。 本文首先介紹了“數(shù)字化焊機(jī)”的概念，分析了數(shù)字化焊機(jī)...
上傳時(shí)間： 2013-08-01
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資源簡(jiǎn)介：電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)的重要行業(yè)之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心，其發(fā)展受到廣泛關(guān)注.IGBT模塊發(fā)展的關(guān)鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動(dòng)汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中...
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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資源簡(jiǎn)介：MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密機(jī)械加工等多種加工技術(shù),并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)構(gòu)成的微型系統(tǒng).
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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資源簡(jiǎn)介：高壓真空斷路器機(jī)械狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)研制，高壓真空斷路器機(jī)械特性的研究，非常寶貴的資料
上傳時(shí)間： 2015-10-15
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資源簡(jiǎn)介：4Cr10Si2Mo鋼球化退火工藝，鋼材球化退火工藝研究
上傳時(shí)間： 2018-04-08
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資源簡(jiǎn)介：利用系介質(zhì)陶瓷材料研制的微波元器件，廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事及民用通信及電子設(shè)備中，在理論分析和工藝試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，通過對(duì)介質(zhì)陶瓷材料組分和控制溫度工藝研究，優(yōu)化BaO-Nd2O3-TiO2組分材料，改進(jìn)煅燒溫度等工藝方法，研制出性能穩(wěn)定性介質(zhì)陶瓷材料。為...
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：kangqiaoyibie
資源簡(jiǎn)介：PE管道熱熔對(duì)接焊的工藝參數(shù)隨管道尺度和環(huán)境條件的不同而不同,同時(shí)還受人為因素的影響,對(duì)焊接機(jī)自動(dòng)化程度要求很高。介紹了基于ARM嵌入式熱熔焊接機(jī)智能控制器的硬件和軟件的設(shè)計(jì)方案。此方案符合焊接各個(gè)階段工藝參數(shù)指標(biāo),并具有操作糾錯(cuò)及錯(cuò)誤信息管理功能...
上傳時(shí)間： 2014-12-31
上傳用戶：515414293
資源簡(jiǎn)介：利用介質(zhì)陶瓷材料制造的高穩(wěn)定、寬溫單片（或獨(dú)石）電容器，廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事及民用通信及電子設(shè)備中。在對(duì)介質(zhì)陶瓷材料組分理論、控制溫度工藝研究，以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料組分重組的分析的基礎(chǔ)上，通過改進(jìn)研磨工藝，控制煅燒溫度等方法，研...
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：ve3344
資源簡(jiǎn)介：本文件為ppt格式，初步介紹微電子器件的封裝工藝，推薦下載！
上傳時(shí)間： 2015-03-23
上傳用戶：ruixue198909
資源簡(jiǎn)介：拉扎維經(jīng)典著作，陳貴燦等翻譯。介紹了mos工藝短溝道效應(yīng)\? ?單級(jí)和差動(dòng)放大頻響反饋/震蕩/封裝工藝等
上傳時(shí)間： 2015-09-12
上傳用戶：牙膏沒有泡泡
資源簡(jiǎn)介：TA8211是日本東芝半導(dǎo)體公司早期出品的一款雙通道音頻功率放大器，其具備6w x 2 輸出功率，典型工作電源電壓20V；適用于彩色電視機(jī)，收錄機(jī)功率放大器和家庭音響等應(yīng)用場(chǎng)合。TA8211采用單排12引腳直插封裝工藝。
上傳時(shí)間： 2021-07-01
上傳用戶：xiangshuai
資源簡(jiǎn)介：目前cPU+ Memory等系統(tǒng)集成的多芯片系統(tǒng)級(jí)封裝已經(jīng)成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統(tǒng)級(jí)封裝）的主流，非常具有代表性和市場(chǎng)前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術(shù)，混載于同一封裝內(nèi)的一種系統(tǒng)集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯...
上傳時(shí)間： 2022-04-08
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資源簡(jiǎn)介：LED封裝及照明應(yīng)用項(xiàng)目可行性研究報(bào)告
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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