4種感應(yīng)式測(cè)電筆的電路工作原理、電路圖及有關(guān)說明。
標(biāo)簽： 感應(yīng)式測(cè)電筆
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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測(cè)試貼片熱阻小軟件
標(biāo)簽： LED 軟件 結(jié)溫 測(cè)試
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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AL-FGB系列復(fù)合式過電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過電壓保護(hù)器（簡(jiǎn)稱AL-FGB）是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過電壓，同時(shí)具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護(hù)器無法比擬的優(yōu)點(diǎn)?？蓮V泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及國(guó)家電氣產(chǎn)品無油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢(shì)，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國(guó)電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時(shí)開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對(duì)感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對(duì)操作過電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對(duì)匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場(chǎng)許多事故實(shí)例都證明，在操作過電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過電壓保護(hù)器等，對(duì)改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對(duì)過電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統(tǒng)過電壓，持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過電壓極易損壞過電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過電壓超過AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長(zhǎng)使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長(zhǎng)期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國(guó)外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長(zhǎng)。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過電壓保護(hù)器
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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PCI Express 協(xié)議由于其高速串行、系統(tǒng)拓?fù)浜?jiǎn)單等特點(diǎn)被廣泛用于各種領(lǐng)域。Altera公司的Arria II GX FPGA內(nèi)集成了支持鏈?zhǔn)紻MA傳輸功能的PCI Express硬核，適應(yīng)了PCI Express總線高速度的要求。文中利用Jungo公司的WinDriver軟件實(shí)現(xiàn)了鏈?zhǔn)紻MA的上層應(yīng)用設(shè)計(jì)。首先給出了鏈?zhǔn)紻MA實(shí)現(xiàn)的基本過程，接著分析了鏈?zhǔn)紻MA數(shù)據(jù)傳輸需要處理的幾個(gè)問題，給出了相應(yīng)的解決辦法和策略。采用這些方法，保證了DAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性，簡(jiǎn)化了底層FPGA應(yīng)用邏輯的設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： WinDriver DMA 上傳時(shí)間： 2014-12-22
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電子產(chǎn)品功能越來越強(qiáng)大的同時(shí)，對(duì)便攜的要求也越來越高，小型化設(shè)計(jì)成為很多電子設(shè)計(jì)公司的研究課題。本文以小型化設(shè)計(jì)的方法、挑戰(zhàn)和趨勢(shì)為主線，結(jié)合Cadence SPB16.5在小型化設(shè)計(jì)方面的強(qiáng)大功能，全面剖析小型化設(shè)計(jì)的工程實(shí)現(xiàn)。主要包括以下內(nèi)容：小型化設(shè)計(jì)的現(xiàn)狀和趨勢(shì)，以及現(xiàn)在主流的HDI加工工藝，介紹最新的ANYLAYER（任意階）技術(shù)的設(shè)計(jì)方法以及工藝實(shí)現(xiàn)，介紹埋阻、埋容的應(yīng)用，埋入式元器件的設(shè)計(jì)方法以及工藝實(shí)現(xiàn)。同時(shí)介紹Cadence SPB16.5軟件對(duì)小型化設(shè)計(jì)的支持。最后介紹HDI設(shè)計(jì)在高速中的應(yīng)用以及仿真方法，HDI在通信系統(tǒng)類產(chǎn)品中的應(yīng)用，HDI和背鉆的比較等。
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上傳時(shí)間： 2013-10-08
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數(shù)顯式測(cè)量電路pcb簡(jiǎn)圖
標(biāo)簽： PCB 數(shù)顯式 測(cè)量電路
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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WP369可擴(kuò)展式處理平臺(tái)-各種嵌入式系統(tǒng)的理想解決方案 ：Delivering unrivaled levels of system performance,flexibility, scalability, and integration to developers,Xilinx's architecture for a new Extensible Processing Platform is optimized for system power, cost, and size. Based on ARM's dual-core Cortex™-A9 MPCore processors and Xilinx’s 28 nm programmable logic,the Extensible Processing Platform takes a processor-centric approach by defining a comprehensive processor system implemented with standard design methods. This approach provides Software Developers a familiar programming environment within an optimized, full featured,powerful, yet low-cost, low-power processing platform.
標(biāo)簽： 369 WP 擴(kuò)展式 處理平臺(tái)
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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賽靈思的新型可擴(kuò)展式處理平臺(tái)架構(gòu)可為開發(fā)人員提供無與倫比的系統(tǒng)性能、靈活性、可擴(kuò)展性和集成度，并為降低系統(tǒng)功耗、成本和縮小尺寸進(jìn)行了精心優(yōu)化。 可擴(kuò)展式處理平臺(tái)基于 ARM 的雙核 Cortex™-A9MPCore 處理器以及賽靈思的 28nm 可編程邏輯之上，采用以處理器為核心的設(shè)計(jì)方案，并能定義通過標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)方法實(shí)施的綜合處理器系統(tǒng)。這種方案可為軟件開發(fā)人員在功能齊備且強(qiáng)大的優(yōu)化型低成本低功耗處理平臺(tái)上提供熟悉的編程環(huán)境。
標(biāo)簽： 369 WP 擴(kuò)展式 處理平臺(tái)
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)?、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
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