玻璃中量子點(diǎn)之間電子的共振隧穿.摘要：在建立玻璃中阻容耦合雙量子點(diǎn)模型的基礎(chǔ)，通過(guò)分析雙量子點(diǎn)的靜電能和化學(xué)勢(shì)，討論了化學(xué)勢(shì)隨外加偏壓的變化和共振隧穿現(xiàn)．隨外加偏壓的增大，當(dāng)雙量子點(diǎn)2個(gè)能級(jí)的化學(xué)勢(shì)相等時(shí)發(fā)生共振隧穿現(xiàn)象，在 特性曲線(xiàn)上呈現(xiàn)電流峰．玻璃中不同間距的量子點(diǎn)用不同大小的耦合電容來(lái)表示．隨著玻璃中2個(gè)量子點(diǎn)之間耦合電容的增大，2個(gè)量子點(diǎn)發(fā)生共振隧穿所需要的外加偏壓隨之增大．
標(biāo)簽：
玻璃
量子點(diǎn)
共振
模型
上傳時(shí)間：
2014-01-11
上傳用戶(hù)：xymbian
