GB-T 2689.4-1981 命試驗(yàn)和加速壽命試驗(yàn)的最好線性無偏估計(jì)法 (用于威布爾分布)
標(biāo)簽： 2689.4 GB-T 1981 壽命
上傳時(shí)間： 2013-05-18
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GB-T 2689.3-1981 壽命試驗(yàn)和加速壽命試驗(yàn)的簡單線性無偏估計(jì)法 (用于威布爾分布)
標(biāo)簽： 2689.3 GB-T 1981 壽命
上傳時(shí)間： 2013-06-14
直流偏磁是變壓器的一種非正常工作狀態(tài)，是指在變壓器的勵(lì)磁電流中出現(xiàn)了直流分量。在直流輸電系統(tǒng)中，由于換流站的工作特性，有直流電流分量流過換流變壓器的繞組，產(chǎn)生直流偏磁現(xiàn)象，這一現(xiàn)象將對換流變壓器的正常運(yùn)行產(chǎn)生不利的影響，如勵(lì)磁電流發(fā)生畸變、變壓器鐵心損耗增加及鐵心高度飽和引起的漏磁通增加。因此，從電磁場的角度分析這一現(xiàn)象是必要的。 由于鐵磁材料的非線性，不能應(yīng)用疊加原理分析直流偏磁時(shí)的勵(lì)磁情況。為此，本文應(yīng)用了二維瞬態(tài)場路直接耦合有限元法，借助大型有限元分析軟件Ansoft，定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器空載運(yùn)行狀態(tài)下的勵(lì)磁電流波形情況，結(jié)果表明，直流偏磁使鐵心中的磁通密度發(fā)生偏移，對應(yīng)的勵(lì)磁電流波形呈現(xiàn)正負(fù)半波極不對稱的形狀，并且直流偏磁量越大勵(lì)磁電流的畸變越嚴(yán)重。 在求出直流偏磁量與勵(lì)磁電流峰值關(guān)系的基礎(chǔ)上，應(yīng)用一種基于鐵心空載損耗數(shù)據(jù)的方法，定量分析了在不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器鐵心損耗情況，結(jié)果表明，隨著直流偏磁電流的增加，鐵心損耗也會隨之增加，這會導(dǎo)致鐵心溫升上升，嚴(yán)重時(shí)會導(dǎo)致鐵心局部過熱，影響變壓器的正常運(yùn)行。 在漏磁場分析中，討論了變壓器漏磁場的類型和作用，經(jīng)過合理簡化，建立了換流變壓器二維漏磁場計(jì)算模型，應(yīng)用二維瞬態(tài)場路直接耦合有限元法，分析了不同等級直流偏磁電流作用下，換流變壓器漏磁場分布情況，結(jié)果表明，隨著直流偏磁量的增加，不同位置處漏磁場分量的變化規(guī)律基本不變，但漏磁在增加，且不同位置漏磁分量增加的速率不同。
標(biāo)簽： 大型 變壓器 直流偏磁
上傳時(shí)間： 2013-06-25
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介紹了單電源運(yùn)放為什么需要加偏置電源，以及試驗(yàn)單電源運(yùn)放的注意事項(xiàng)。
標(biāo)簽： 單電源 分 運(yùn)放
上傳時(shí)間： 2013-07-29
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iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧
標(biāo)簽： iSensor IMU 快速入門
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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為了模擬圖像分類任務(wù)中待分類目標(biāo)的可能分布，使特征采樣點(diǎn)盡可能集中于目標(biāo)區(qū)域，基于Yang的有偏采樣算法提出了一種改進(jìn)的有偏采樣算法。原算法將目標(biāo)基于區(qū)域特征出現(xiàn)的概率和顯著圖結(jié)合起來，計(jì)算用于特征采樣的概率分布圖，使用硬編碼方式對區(qū)域特征進(jìn)行編碼，導(dǎo)致量化誤差較大。改進(jìn)的算法使用局部約束性編碼代替硬編碼，并且使用更為精確的后驗(yàn)概率計(jì)算方式以及空間金字塔框架，改善了算法性能。在PASCAL VOC 2007和2010兩個(gè)數(shù)據(jù)集上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，平均精度比隨機(jī)選取的特征采樣方法能夠提高約0.5%，驗(yàn)證了算法的有效性。
標(biāo)簽： 圖像分類 特征采樣
上傳時(shí)間： 2013-10-24
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共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標(biāo)簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。
標(biāo)簽： 4mmX4mm QFN LCD LED
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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我國的骨干通信網(wǎng)上的傳輸速率已經(jīng)向40 GB/s甚至是160 GB/s發(fā)展，傳輸線路以光纖作為主要的傳輸通道。與光纖相關(guān)的損耗和單模光纖的主要色散，即偏振模色散，不僅僅限制了光信號在通信過程中的傳輸距離，還很大程度上影響其通信容量。其中，偏振模色散對單模光纖高速和長距離通信的影響尤為突出。因此應(yīng)現(xiàn)代光纖通信技術(shù)網(wǎng)的高速發(fā)展的需要，把當(dāng)前流行的FPGA技術(shù)應(yīng)用到單模光纖的偏振模色散的自適應(yīng)補(bǔ)償技術(shù)中，用硬件描述語言來實(shí)現(xiàn)，可以大大提高光纖的偏振模色散自適應(yīng)補(bǔ)償對實(shí)時(shí)性和穩(wěn)定性的要求。
標(biāo)簽： FPGA 偏振模 仿真 補(bǔ)償技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
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反輻射導(dǎo)彈是現(xiàn)代戰(zhàn)爭條件下通信設(shè)備等電磁輻射源所面對的最具威脅性的武器之一，而有源誘偏是對抗反輻射導(dǎo)彈攻擊的一種相對簡單而有效的方法。基于有源相參和有源非相參條件下的幾種模型，從反輻射導(dǎo)彈的攻擊過程入手，得到Matlab仿真結(jié)果。最后根據(jù)仿真彈著點(diǎn)位置分布和位置分布的概率統(tǒng)計(jì)曲線，為通信輻射源的布設(shè)提供理論依據(jù)。
標(biāo)簽： ARM 通信輻射源 有源
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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