0引言隨著科技的迅猛發(fā)展，高科技產(chǎn)品替代人力的趨勢(shì)越來(lái)越明顯，和生活息息相關(guān)的例子就是遠(yuǎn)程無(wú)線抄表。作為居民，家家戶戶都要安裝的水表，人工抄表的工作量大、時(shí)效慢、不能做到即時(shí)讀取和狀態(tài)檢測(cè)，而遠(yuǎn)程無(wú)線抄表則能夠做到實(shí)時(shí)狀態(tài)檢測(cè)和抄收數(shù)據(jù)，不需要工作人員親臨現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行抄收數(shù)據(jù)，因此，效率大大提高。遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的功能是能夠?qū)崟r(shí)地、可靠地計(jì)量水用量和對(duì)水表實(shí)施遠(yuǎn)程抄收數(shù)據(jù)。在此背景下，本文設(shè)計(jì)了基于SX1278水表端無(wú)線抄表控制器。1硬件設(shè)計(jì)1.1控制器特性SX1278收發(fā)器主要采用 LoRa遠(yuǎn)程調(diào)制解調(diào)器[1用于長(zhǎng)距離擴(kuò)頻通信，不僅抗干擾性強(qiáng)，而且功耗低，適用于電池待機(jī)的收發(fā)電路。當(dāng)SX1278工作在LoRa模式時(shí)，能獲得超過(guò)-148dBm的高靈敏度，并集成+20dBm的功率放大器，通信距 5km.SX1278頻率范圍137 ~ 1020MHz，帶寬7.8-37.5kHz，數(shù)據(jù)傳輸速率180bps ~ 37.5kbps，能夠檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度，并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC校驗(yàn)。片上采用 8位超低功耗單片機(jī) STMBL 151G，通過(guò)SPI接口對(duì)SX1278進(jìn)行初始化，并實(shí)現(xiàn)計(jì)水表計(jì)數(shù)和開(kāi)關(guān)閥門(mén)。1.2電路設(shè)計(jì)1.2.1接收和發(fā)送電路選擇開(kāi)關(guān)由于SX1278是半雙工收發(fā)器，因此收發(fā)數(shù)據(jù)時(shí)要進(jìn)行模式切換。圖 1所示為U1模擬開(kāi)關(guān)，通過(guò)CTR引腳和Vdd引腳的高低電平來(lái)選擇天線連接的是接收電路還是發(fā)射電路。當(dāng) Vdd為低電平，CTRL為高電平，RF1通RFC當(dāng)Vdd高電平，CTRL為低電平，RF2接通RFC
標(biāo)簽： sx1278 無(wú)線抄表控制器
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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1. 文檔概述1.1. 文檔目的本文檔描述對(duì)SPI-4.2 協(xié)議的理解，從淺入深地詳細(xì)講解規(guī)范。1.2. SPI-4.2 簡(jiǎn)介SPI-4.2 協(xié)議的全稱為System Packet Interface ，可譯為“系統(tǒng)包接口” 。該協(xié)議由OIF（ Optical Internetwoking Forum ）創(chuàng)建，用于規(guī)定10Gbps 帶寬應(yīng)用下的物理層（ PHY）和鏈路層（ Link ）之間的接口標(biāo)準(zhǔn)。SPI-4.2 是一個(gè)支持多通道的包或信元傳輸?shù)慕涌冢饕獞?yīng)用于OC-192 ATM 或PoS 的帶寬匯聚、及10G 以太網(wǎng)應(yīng)用中。1.3. 參考資料1) SPI-4.2 協(xié)議的標(biāo)準(zhǔn)文檔。2) 中興公司對(duì)SPI-4.2 協(xié)議文檔的翻譯稿。2. SPI-4.2 協(xié)議2.1. SPI-4.2 系統(tǒng)參考模型圖 1 SPI-4.2 系統(tǒng)參考模型圖X:\ 學(xué)習(xí)筆記\SPI-4.2 協(xié)議詳解.doc - 1 - 創(chuàng)建時(shí)間： 2011-5-27 21:53:00田園風(fēng)光書(shū)屋NB0005 v1.1 SPI-4.2 協(xié)議詳解SPI-4.2 是一種物理層和鏈路層之間的支持多通道的數(shù)據(jù)包傳輸協(xié)議，其系統(tǒng)參考模型如上圖所示，從鏈路層至物理層的數(shù)據(jù)方向，稱為“發(fā)送”方向，從物理層至鏈路層的數(shù)據(jù)方向，稱為“接收”方向。在兩個(gè)方向上，都存在著流控機(jī)制。值得注意的是， SPI-4.2 是一種支持多通道（ Port）的傳輸協(xié)議。一個(gè)通道，指接收或發(fā)送方向上，相互傳輸數(shù)據(jù)的一對(duì)關(guān)聯(lián)的實(shí)體。有很多對(duì)關(guān)聯(lián)的實(shí)體，即很多個(gè)通道，都在同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，它們可復(fù)用SPI 總線。最多可支持256 個(gè)通道。例如OC-192 的192 個(gè)STS-1 通道，快速以太網(wǎng)中的100 個(gè)通道等， 各個(gè)通道的數(shù)據(jù)都可以相互獨(dú)立地復(fù)用在SPI總線上傳輸。
標(biāo)簽： SPI-4.2協(xié)議
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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IGBT直流斬波電路的設(shè)計(jì)1設(shè)計(jì)原理分析1.1總體結(jié)構(gòu)分析直流斬波電路的功能是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯蚩烧{(diào)電壓的直流電。它在電源的設(shè)計(jì)上有很重要的應(yīng)用。一般來(lái)說(shuō)，斬波電路的實(shí)現(xiàn)都要依靠全控型器件。在這里，我所設(shè)計(jì)的是基于IGBT的降壓斬波短路。直流降壓斬波電路主要分為三個(gè)部分，分別為主電路模塊，控制電路模塊和驅(qū)動(dòng)電路模塊。電路的結(jié)構(gòu)框圖如下圖（圖1）所示。除了上述主要結(jié)構(gòu)之外，還必須考慮電路中電力電子器件的保護(hù)，以及控制電路與主電路的電器隔離。1.2主電路的設(shè)計(jì)主電路是整個(gè)斬波電路的核心，降壓過(guò)程就由此模塊完成。其原理圖如圖2所示。如圖，IGBT在控制信號(hào)的作用下開(kāi)通與關(guān)斷。開(kāi)通時(shí)，二極管截止，電流io流過(guò)大電感L，電源給電感充電，同時(shí)為負(fù)載供電。而IGBT截止時(shí)，電感L開(kāi)始放電為負(fù)載供電，二極管VD導(dǎo)通，形成回路。IGBT以這種方式不斷重復(fù)開(kāi)通和關(guān)斷，而電感L足夠大，使得負(fù)載電流連續(xù)，而電壓斷續(xù)。從總體上看，輸出電壓的平均值減小了。輸出電壓與輸入電壓之比a由控制信號(hào)的占空比來(lái)決定。這也就是降壓斬波電路的工作原理。降壓斬波的典型波形如下圖所示。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對(duì)手機(jī)產(chǎn)品為主。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器， 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存， 使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的其它部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過(guò)縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來(lái)說(shuō)，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點(diǎn)eMMC目前是最當(dāng)紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案，目的在于簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時(shí)，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來(lái)重新設(shè)計(jì)，過(guò)去并沒(méi)有哪個(gè)技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進(jìn)至50 納米，再演進(jìn)至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機(jī)客戶也都要重新設(shè)計(jì)， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會(huì)推陳出新， 存儲(chǔ)器問(wèn)題也拖累手機(jī)新機(jī)種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來(lái)。eMMC的設(shè)計(jì)概念，就是為了簡(jiǎn)化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計(jì)成1 顆MCP芯片，手機(jī)客戶只需要采購(gòu)eMMC芯片，放進(jìn)新手機(jī)中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問(wèn)題，最大優(yōu)點(diǎn)是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對(duì)Flash 的管理是個(gè)巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無(wú)需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過(guò)eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來(lái)管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時(shí)間。eMMC可以很好的解決對(duì)MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫(xiě)儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點(diǎn)在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時(shí)間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時(shí)間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
標(biāo)簽： emmc
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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1，使用wireshark獲取完整的UDP報(bào)文打開(kāi)wireshark，設(shè)置監(jiān)聽(tīng)網(wǎng)卡后，使用google chrome瀏覽器訪問(wèn)我騰訊微博的i http://p.t.qq.com/welcomeback.php？lv=1#！/ist/qqfriends/5/？pgv_ref-im.perinfo.pe rinfo.icon？ptlang-2052&pgv-ref-im.perinfo.perinfo.icon，抓得的UDP報(bào)文如圖1所示。分析以上的報(bào)文內(nèi)容，UDP作為一種面向無(wú)連接服務(wù)的運(yùn)輸協(xié)議，其報(bào)文格式相當(dāng)簡(jiǎn)單。第一行中，Source port：64318是源端口號(hào)。第二行中，Destination port：53是目的端口號(hào)。第三行中，Length：34表示UDP報(bào)文段的長(zhǎng)度為34字節(jié)。第四行中，Checksum之后的數(shù)表示檢驗(yàn)和。這里0x表示計(jì)算機(jī)中16進(jìn)制數(shù)的開(kāi)始符，其后的4f0e表示16進(jìn)制表示的檢驗(yàn)和，把它們換成二進(jìn)制表示為：0100 1111 0000 1110.從wireshark的抓包數(shù)據(jù)看出，我抓到的UDP協(xié)議多數(shù)被應(yīng)用層的DNS協(xié)議應(yīng)用。當(dāng)一臺(tái)主機(jī)中的DNS應(yīng)用程序想要進(jìn)行一次查詢時(shí)，它構(gòu)成了一個(gè)DNS查詢報(bào)文并將其交給UDP，UDP無(wú)須執(zhí)行任何實(shí)體握手過(guò)程，主機(jī)端的UDP為此報(bào)文添加首部字段，并將其發(fā)出。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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說(shuō)明：原文（英語(yǔ)）來(lái)自Freescale Semiconductor，Inc.的應(yīng)用文檔，作者，T.C.Lun，Applications Engineering，Microcontroller Division，Hong Kong.文檔分為下列幾個(gè)部分：PART 1 觀EMC PART 2器件的選擇及電路的設(shè)計(jì)PART 3印刷電路板layout技術(shù)附錄A EMC術(shù)語(yǔ)表附錄B 抗干擾測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)第一部分 EMI和EMC縱覽：在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中EMI是一個(gè)主要的問(wèn)題。為抗干擾，設(shè)計(jì)者嬰么除掉干擾源，要么保護(hù)受影響的電路，最終的目的都是為了達(dá)到電磁兼容的目的僅僅達(dá)到電磁兼容也許還不夠。雖然電路工作在板級(jí)，但它有可能對(duì)系統(tǒng)的共他部件輻射噪音、干擾，從而引起系統(tǒng)級(jí)的問(wèn)題。此外，系統(tǒng)毅或者設(shè)備級(jí)的EMC不得不滿足某些輻射標(biāo)準(zhǔn)，以便不影響其他設(shè)備。許多發(fā)達(dá)國(guó)家在電子產(chǎn)品上有非常嚴(yán)格的EMC標(biāo)準(zhǔn)。為了達(dá)到這些要求，設(shè)計(jì)者必須考慮從板極開(kāi)始的EMI抑制。一個(gè)簡(jiǎn)單的EMI模型包含三個(gè)元素，如圖1所示：1.EMI源2.耦合路徑3.感應(yīng)體
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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在光伏發(fā)電系統(tǒng)中，光伏電池的利用率除了與光伏電池的內(nèi)部特性有關(guān)外，還受使用環(huán)境如輻照度、負(fù)載和溫度等因素的影響。在不同的外界條件下，光伏電池可運(yùn)行在不同且惟一的最大功率點(diǎn)（Maximum Power Point，MPP）上，因此，對(duì)于光伏發(fā)電系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，應(yīng)該尋求光伏電池的最優(yōu)工作狀態(tài)，以最大限度地將光能轉(zhuǎn)化為電能，即需要采用最大功率點(diǎn)跟蹤（Maximum Power Point Tracking，MPPT）技術(shù).本文根據(jù)光伏電池最大輸出功率與光照度的關(guān)系，建立了基于Boost電路的MPPT仿真模型，采用擾動(dòng)觀測(cè)法，通過(guò)調(diào)整DC-DC電路的占空比實(shí)現(xiàn)了最大功率點(diǎn)追蹤。使用Matlab/Simulink 工具，在輻照度恒定和階躍變化的情況下，對(duì)MPPT進(jìn)行了仿真分析。1光伏電池的特性光伏電池實(shí)際上就是一個(gè)大面積平面二極管，其工作可以圖1的單二極管等效電路來(lái)描述1，光伏電池的特性方程如式（1）所示。
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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1、弧焊逆變器的基本結(jié)構(gòu)1.1弧焊逆變器的基本原理采用逆變技術(shù)的裝置稱為逆變器，而用于電弧焊的逆變器則稱為弧焊逆變器。弧焊逆變器的基本原理方框圖如圖1-1所示。由圖可見(jiàn)，三相50Hz的交流網(wǎng)路電壓先經(jīng)輸入整流器整流和濾波，經(jīng)過(guò)大功率開(kāi)關(guān)電子元件的交替開(kāi)關(guān)作用，變成幾百赫茲到幾十千赫茲的高頻電壓，經(jīng)高頻變壓器降至適合焊按的電壓，再用輸出整流器整流并經(jīng)電抗器濾波，則可將中頻交流變?yōu)橹绷鬏敵?。在弧焊逆變器中可采用如下兩種模式："AC-DC-AC"或"AC-DC-AC-DC"，根據(jù)不同弧爐工藝的需要，通過(guò)電子控制電路和電弧電壓、電流反饋，弧焊逆變器即可獲得各種不同的輸出特性。1，2逆變技術(shù)和微機(jī)技術(shù)在弧焊電源中的應(yīng)用逆變電源運(yùn)用先進(jìn)的功率電了器件和高頻逆變技術(shù)，比傳統(tǒng)的工頻整流電源的材料減少80%～90%，節(jié)能20%~30%，動(dòng)態(tài)反應(yīng)速度提高2-3個(gè)數(shù)量級(jí)。這種“明天的電源”正在以極高的速度變成今天的電源，并且隨著功率開(kāi)關(guān)元器件、微電子技術(shù)和控制技術(shù)的發(fā)展，不斷研究開(kāi)發(fā)出新的技術(shù)成果和新產(chǎn)品，使得逆變電源向著高頻化、輕量化、模塊化、智能化和大容量化方向發(fā)展。
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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USB Power Delivery 快速充電通信原理本篇文章講的快速充電是指USB 論壇所發(fā)布的USB Power Delivery 快速充電規(guī)范(通過(guò)VBUS 直流電平上耦合FSK 信號(hào)來(lái)請(qǐng)求充電器調(diào)整輸出電壓和電流的過(guò)程)，不同于本人發(fā)布的另一篇文章所講的高通Quick Charger 2.0 規(guī)范，因?yàn)楦咄≦C2.0是利用D+ 和D- 上的不同的直流電壓來(lái)請(qǐng)求充電器動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出電壓和電流實(shí)現(xiàn)快速充電的過(guò)程。USB PD 的通信是將協(xié)議層的消息調(diào)制成24MHZ 的FSK 信號(hào)并耦合到VBUS上或者從VBUS 上獲得FSK 信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)手機(jī)和充電器通信的過(guò)程。如圖所示， 在USB PD 通信中， 是將24MHz 的FSK 通過(guò)cAC-Coupling 耦合電容耦合到VBUS 上的直流電平上的， 而為了使24MHz 的FSK 不對(duì)Power Supply或者USB Host 的VBUS 直流電壓產(chǎn)生影響，在回路中同時(shí)添加了zIsolation 電感組成的低通濾波器過(guò)濾掉FSK 信號(hào)。
標(biāo)簽： USB-PD協(xié)議
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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IGBT模塊的一些基本知識(shí)2·怎樣讀數(shù)據(jù)手冊(cè)3.IGBT的驅(qū)動(dòng)電路4，電壓尖峰吸收回路5·短路6，IGBT模塊的可靠性和實(shí)效分析7，仿真軟件Melcosim的使用方法8.一些注意事項(xiàng)正的門(mén)極電壓推薦15V（±10%）如右圖所示Vog越高Vceat和Eon越小，損耗減小。但是16.5V以上的話短路耐量很小。所以正的門(mén)極電壓為+15v±10%最合適。負(fù)的門(mén)極電壓推薦5~10V右圖表示開(kāi)關(guān)損失與-Vcg的關(guān)系。-Voa=5V時(shí)Eoff不再變化，所以最小值設(shè)定為-Vo-5合適。另外，IGBT門(mén)極上會(huì)有尖峰電壓重疊，為了防止不出現(xiàn)過(guò)大的負(fù)電壓-Vgの的電壓為5~10V最合適。（在一些場(chǎng)合無(wú)負(fù)壓也是可以的）1類短路>橋臂直通>短路回路中電感較小，電流的上升速度極快>容易通過(guò)檢測(cè)Vce（sat）實(shí)現(xiàn)保護(hù)II類短路>相間短路或?qū)Φ囟搪范搪坊芈阀骐姼猩源?，電流的上升速度較慢>可以使用vce（sat），也可以使用霍爾來(lái)實(shí)現(xiàn)保護(hù)>這類短路，回路ф的電感是不確定的
標(biāo)簽： igbt模塊
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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