ESD Protection in CMOS ICs
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著...
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著...
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨...
本標(biāo)準(zhǔn)以IEEE 802.3-2005 和 我國通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《接入網(wǎng)技術(shù)要求——基于以太網(wǎng)方式 的無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)》為基礎(chǔ),以增強(qiáng)EPON 系統(tǒng)的互通性和運(yùn)營、管理能力為目標(biāo),在 PON 接...
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