IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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AD5933/AD5934的電流-電壓（I-V）放大級(jí)還可能輕微增加信號(hào)鏈的不準(zhǔn)確性。I-V轉(zhuǎn)換級(jí)易受放大器的偏置電流、失調(diào)電壓和CMRR影響。通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)耐獠糠至⒎糯笃鱽?lái)執(zhí)行I-V轉(zhuǎn)換，用戶可挑選一個(gè)具有低偏置電流和失調(diào)電壓規(guī)格、出色CMRR的放大器，提高I-V轉(zhuǎn)換的精度。該內(nèi)部放大器隨后可配置成一個(gè)簡(jiǎn)單的反相增益級(jí)。
標(biāo)簽： 阻抗轉(zhuǎn)換器 阻抗測(cè)量 高精度
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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High input impedance and a wide input range are twohighly desirable features in a precision analog-to-digitalconverter, and the LTC®2449 delta-sigma ADC has both.With just a few external components, the LTC2449 formsan exceptional measurement system with very high inputimpedance and an input range that extends 300mV beyondthe supply rails.
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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通過(guò)安裝和調(diào)試ＥＣＧ放大器，了解醫(yī)學(xué)信號(hào)放大器的特點(diǎn)，并掌握放大器的有關(guān)指標(biāo)。 安裝和調(diào)試后的ＥＣＧ放大器，應(yīng)達(dá)到以下指標(biāo)： １?具有較高輸入阻抗＞１ＭΩ ２?放大器差動(dòng)增益約為１０００ ３?具有較高共模抑制比（CMRR>80db） ４?等效輸入噪聲＜１０μＶ ５?頻帶范圍０.０５Ｈｚ～１００Ｈｚ
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器，當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí)，繼電器就吸合或釋放，其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān)，它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合，只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。 一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066 CD4066 的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開(kāi)關(guān)，每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子，其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控制端加高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；當(dāng)控制端加低電平時(shí)開(kāi)關(guān)截止。模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通電阻為幾十歐姆；模擬開(kāi)關(guān)截止時(shí)，呈現(xiàn)很高的阻抗，可以看成為開(kāi)路。模擬開(kāi)關(guān)可傳輸數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)，可傳輸?shù)哪M信號(hào)的上限頻率為40MHz。各開(kāi)關(guān)間的串?dāng)_很小，典型值為－50dB。
標(biāo)簽： CMOS 模擬開(kāi)關(guān) 工作原理
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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磁珠由氧磁體組成，電感由磁心和線圈組成，磁珠把交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為熱能，電感把交流存儲(chǔ)起來(lái)，緩慢的釋放出去。 磁珠對(duì)高頻信號(hào)才有較大阻礙作用，一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時(shí)電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來(lái)求得。 鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾元件，廉價(jià)、易用，濾除高頻噪聲效果顯著。 在電路中只要導(dǎo)線穿過(guò)它即可（我用的都是象普通電阻模樣的，導(dǎo)線已穿過(guò)并膠合，也有表面貼裝的形式，但很少見(jiàn)到賣的）。當(dāng)導(dǎo)線中電流穿過(guò)時(shí)，鐵氧體對(duì)低頻電流幾乎沒(méi)有什么阻抗，而對(duì)較高頻率的電流會(huì)產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā)，其等效電路為一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián)，兩個(gè)元件的值都與磁珠的長(zhǎng)度成比例。 磁珠種類很多，制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說(shuō)明，特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線。 有的磁珠上有多個(gè)孔洞，用導(dǎo)線穿過(guò)可增加元件阻抗（穿過(guò)磁珠次數(shù)的平方），不過(guò)在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多，而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會(huì)好些。 鐵氧體是磁性材料，會(huì)因通過(guò)電流過(guò)大而產(chǎn)生磁飽和，導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專門設(shè)計(jì)的磁珠，還要注意其散熱措施。 鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲（可用于直流和交流輸出），還可廣泛應(yīng)用于其他電路，其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中，由于脈沖信號(hào)含有頻率很高的高次諧波，也是電路高頻輻射的主要根源，所以可在這種場(chǎng)合發(fā)揮磁珠的作用。 鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號(hào)電纜的噪聲濾除。 以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例，其型號(hào)各字段含義依次為：HH 是其一個(gè)系列，主要用于電源濾波，用于信號(hào)線是HB系列；1 表示一個(gè)元件封裝了一個(gè)磁珠，若為4則是并排封裝四個(gè)的；H 表示組成物質(zhì)，H、C、M為中頻應(yīng)用（50－200MHz），T低頻應(yīng)用（<50MHz），S高頻應(yīng)用（>200MHz）；3216 封裝尺寸，長(zhǎng)3.2mm，寬1.6mm，即1206封裝；500 阻抗（一般為100MHz時(shí)），50 ohm。 其產(chǎn)品參數(shù)主要有三項(xiàng)：阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率， 他等效于電阻和電感串聯(lián)， 但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果。 磁珠主要用于高頻隔離，抑制差模噪聲等。
標(biāo)簽： 電感
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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數(shù)字與模擬電路設(shè)計(jì)技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外，幾乎所有的電路都是由半導(dǎo)體組件所構(gòu)成，雖然半導(dǎo)體組件高速、高頻化時(shí)會(huì)有EMI的困擾，不過(guò)為了充分發(fā)揮半導(dǎo)體組件應(yīng)有的性能，電路板設(shè)計(jì)與封裝技術(shù)仍具有決定性的影響。 模擬與數(shù)字技術(shù)的融合由于IC與LSI半導(dǎo)體本身的高速化，同時(shí)為了使機(jī)器達(dá)到正常動(dòng)作的目的，因此技術(shù)上的跨越競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈。雖然構(gòu)成系統(tǒng)的電路未必有clock設(shè)計(jì)，但是毫無(wú)疑問(wèn)的是系統(tǒng)的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)與成本，以及如何防止噪訊的產(chǎn)生與噪訊外漏等綜合考慮。機(jī)器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號(hào)/小功率信號(hào)、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數(shù)字電路，經(jīng)常出現(xiàn)在同一個(gè)高封裝密度電路板，設(shè)計(jì)者身處如此的環(huán)境必需面對(duì)前所未有的設(shè)計(jì)思維挑戰(zhàn)，例如高穩(wěn)定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時(shí)，如果未將噪訊入侵高穩(wěn)定性電路的對(duì)策視為設(shè)計(jì)重點(diǎn)，事后反復(fù)的設(shè)計(jì)變更往往成為無(wú)解的夢(mèng)魘。模擬電路與高速數(shù)字電路混合設(shè)計(jì)也是如此，假設(shè)微小模擬信號(hào)增幅后再將full scale 5V的模擬信號(hào)，利用10bit A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，由于分割幅寬祇有4.9mV，因此要正確讀取該電壓level并非易事，結(jié)果造成10bit以上的A/D轉(zhuǎn)換器面臨無(wú)法順利運(yùn)作的窘境。另一典型實(shí)例是使用示波器量測(cè)某數(shù)字電路基板兩點(diǎn)相隔10cm的ground電位，理論上ground電位應(yīng)該是零，然而實(shí)際上卻可觀測(cè)到4.9mV數(shù)倍甚至數(shù)十倍的脈沖噪訊(pulse noise)，如果該電位差是由模擬與數(shù)字混合電路的grand所造成的話，要測(cè)得4.9 mV的信號(hào)根本是不可能的事情，也就是說(shuō)為了使模擬與數(shù)字混合電路順利動(dòng)作，必需在封裝與電路設(shè)計(jì)有相對(duì)的對(duì)策，尤其是數(shù)字電路switching時(shí)，ground vance noise不會(huì)入侵analogue ground的防護(hù)對(duì)策，同時(shí)還需充分檢討各電路產(chǎn)生的電流回路(route)與電流大小，依此結(jié)果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實(shí)例都是設(shè)計(jì)模擬與數(shù)字混合電路時(shí)經(jīng)常遇到的瓶頸，如果是設(shè)計(jì)12bit以上A/D轉(zhuǎn)換器時(shí)，它的困難度會(huì)更加復(fù)雜。
標(biāo)簽： 數(shù)字 模擬電路 設(shè)計(jì)技巧
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：731140412
本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板，以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時(shí)峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設(shè)計(jì)目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會(huì)成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因，嚴(yán)重時(shí)頻率甚至?xí)驗(yàn)閒eedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號(hào)的位相延遲，最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動(dòng)現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問(wèn)題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無(wú)full ground設(shè)計(jì)，如果有外部噪訊干擾之虞時(shí)，接地可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測(cè)試結(jié)果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標(biāo)簽： PCB
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：hebanlian
#include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,
標(biāo)簽： AVR 單片機(jī) 數(shù)碼管
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：13788529953
為降低成本和解決現(xiàn)有膜片鉗放大器系統(tǒng)中PC機(jī)的干擾問(wèn)題，研究了一種基于單片機(jī)的膜片鉗放大器小系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用ADI公司生產(chǎn)的ADuC841作為控制核心，并且配置相應(yīng)的液晶顯示模塊LCM3202401。模擬電路部分采用高輸入阻抗的AD8627實(shí)現(xiàn)微電流信號(hào)的采集，并由后級(jí)電路進(jìn)行信號(hào)的放大和電阻電容的補(bǔ)償。它具有硬件電路簡(jiǎn)單、體積小、使用方便的特點(diǎn)。既可以單獨(dú)作為小系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)采集和顯示，也可以通過(guò)紅外方式和PC機(jī)進(jìn)行通訊，在PC機(jī)上進(jìn)行信號(hào)的處理。 Abstract: In order to reduce cost and resolve the interferential problem with PC in existing patch clamp amplifiers, a small patch clamp amplifier system design based on microcontroller is studied. It adopts a new high performance microconverter ADuC841 by the ADI as the control core in the system, configuring a liquid crystal module LCM3202401. In the analog circuit, AD8627 with high input impedance is used to detect the low current，signal magnification, as well as resistance and capacitance compensation are accomplished by subsequent circuits. It has the advantage of simple hardware circuit design, small volume and convenient operation. It can either be used as an independent system to measure and show signal detected or transmit to PC by infrared ray.
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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