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高功率因數

  • 開關電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標簽： MOSFET 開關電源 功率 分

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：dongqiangqiang

  • 功率MOSFET的驅動電路和保護技術

    功率MOSFET的驅動電路和保護技術

    標簽： MOSFET 功率 保護技術 驅動電路

    上傳時間： 2013-10-22

    上傳用戶：wutong

  • 基于STM8的光伏逆變器設計

    文中主要介紹了一種基于STM8的小功率光伏逆變系統。本系統主要由推挽式直流升壓電路、單相全橋逆變電路、濾波電路和控制模塊組成。控制模塊采用了兩片STM8單片機，其中一片作為主控芯片用在逆變輸出端而另一片作為輔助芯片用在直流升壓端。本文對系統各主要模塊的功能進行了論述，包括軟件的PI控制算法以及硬件的構成。實際應用表明，該系統具有實現簡單、可靠性高、成本低等特點。

    標簽： STM8 光伏逆變器

    上傳時間： 2013-11-07

    上傳用戶：磊子226

  • 高精度數控直流電流源的設計與實現

    種高精度數控直流電流源的設計與實現

    標簽： 高精度 數控直流 電流源

    上傳時間： 2013-10-12

    上傳用戶：時代電子小智

  • 德州儀器功率電池管理解決方案

    德州儀器功率電池管理解決方案

    標簽： 德州儀器 功率電池管理 方案

    上傳時間： 2013-10-26

    上傳用戶：410805624

  • 低成本單進三出逆變器設計經驗總結

    介紹了一款低成本單進三出逆變器的設計經驗，硬件成本控制在60元人民幣以內時，可驅動1 kW以下的三相籠式異步電機。總結了經過近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設計要點，包括微處理器，功率器件，半橋驅動，過流保護，控制方法，試驗結果等方面的內容。用該電路實現的變頻調速可以因低成本而大大擴展其應用范圍，稍加修改后可用于直流無刷電機的驅動。

    標簽： 逆變器 設計經驗

    上傳時間： 2013-11-11

    上傳用戶：Jesse_嘉偉

  • 低成本單進三出逆變器設計經驗總結

    介紹了一款低成本單進三出逆變器的設計經驗，硬件成本控制在60元人民幣以內時，可驅動1 kW以下的三相籠式異步電機?？偨Y了經過近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設計要點，包括微處理器，功率器件，半橋驅動，過流保護，控制方法，試驗結果等方面的內容。用該電路實現的變頻調速可以因低成本而大大擴展其應用范圍，稍加修改后可用于直流無刷電機的驅動。

    標簽： 逆變器 設計經驗

    上傳時間： 2013-11-04

    上傳用戶：alibabamama

  • 大功率全橋串聯諧振充電電源理論設計

    為了對電容重復頻率且高能量轉換效率地充電，開展了全橋串聯諧振充電電源的理論設計。通過數值解析的方法獲得諧振電感、電容、功率器件耐壓與通流、電源功率、脈沖變壓器伏秒數等參數，通過數值模擬的方法獲得脈沖變壓器勵磁電感參數，以基于Pspice的全電路仿真驗證設計參數的合理性。仿真結果表明為了實現對110 nF電容1 kHz重頻充電，在初級電壓為1.2 kV和諧振參數為33 kHz時，諧振電感、電容應分別為625 nH，37 μF，脈沖變壓器伏秒數、勵磁電感至少分別應為45 mVs、1 mH，功率器件峰值電流約300 A。

    標簽： 大功率 全橋 串聯諧振 充電電源

    上傳時間： 2013-11-08

    上傳用戶：angle

  • 寬輸入范圍1A LED驅動器利用汽車和12V AC電源給高亮度LED供電

    LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅動器，具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍，並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流

    標簽： LED 12V 寬 AC電源

    上傳時間： 2013-11-09

    上傳用戶：xhwst

  • 一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

    介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA?？梢院芎玫貞迷诘凸母唠娫匆种票鹊腖DO芯片設計中。

    標簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源

    上傳時間： 2013-10-27

    上傳用戶：thesk123

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