介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計與驗證
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計
上傳時間： 2013-10-08
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DCDC模塊電源額定功率與封裝的選擇與應(yīng)用
上傳時間： 2013-10-08
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本文主要研究了一種比較簡單的正弦輸出的逆變器的設(shè)計。本設(shè)計采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設(shè)計方法來獲得較大的輸出功率和較高的功率因數(shù).在直流升壓過程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來控制開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，進(jìn)而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓，再利用SPWM調(diào)制信號控制逆變器開關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分，得到正弦波形，最后利用保護(hù)控制電路使逆變輸出一個穩(wěn)定的滿足要求的交流波形。
上傳時間： 2013-10-20
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準(zhǔn)電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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離子推進(jìn)電源處理單元（PPU）是組成離子電推進(jìn)系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)備之一。本文以某離子電推進(jìn)系統(tǒng)配置的電源處理單元為例，針對多路組合、輸出功率大、電壓高及時序控制等電源特點，采用不同的電源變換拓?fù)浞桨福瑏韺崿F(xiàn)復(fù)雜電源功能。并通過實際電路驗證和檢測，研究結(jié)果滿足了設(shè)計指標(biāo)要求。
標(biāo)簽： 離子推進(jìn)系統(tǒng) 電源
上傳時間： 2013-11-02
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時間： 2013-11-11
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隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器 件，而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個高噪聲電源供電時，時鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無法達(dá)到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會對性能產(chǎn)生極大的負(fù)面影響。本文將對一種基本 LDO 拓?fù)溥M(jìn)行仔細(xì)研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。 表明電源品質(zhì)的一個關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出，它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩(wěn)壓器（例如：低壓降電壓穩(wěn)壓器，LDO），始終比開關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢。這讓其成為噪聲敏感型應(yīng)用的選擇。 基本 LDO 拓?fù)? 一個簡單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個基本控制環(huán)路，其負(fù)反饋與內(nèi)部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負(fù)載電流的變化或者擾動無關(guān)。 圖 1 顯示了一個 LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負(fù)反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負(fù)輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅(qū)動電壓 VGATE。最后，誤差信號驅(qū)動輸出晶體管 NFET，以對 VOUT 進(jìn)行調(diào)節(jié)。 圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路 簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍(lán)色箭頭表示由常見放大器差異代表的環(huán)路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號，其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上傳時間： 2013-11-11
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TI33072高轉(zhuǎn)換率單電源運(yùn)算放大器
標(biāo)簽： 33072 TI tl 轉(zhuǎn)換
上傳時間： 2014-11-30
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高精度數(shù)控電源制作
上傳時間： 2013-10-14
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開關(guān)電源因其具有體積小、高效節(jié)能等優(yōu)點而逐漸取代線性電源，成為穩(wěn)壓電源的發(fā)展方向。文中介紹了現(xiàn)有的直流開關(guān)電源的工作原理，分析了其不足之處，提出了新型的電壓可調(diào)的開關(guān)電源的軟硬件實現(xiàn)方式。在不改變電源轉(zhuǎn)換電路反饋的動態(tài)性能的前提下，實現(xiàn)了對輸出電壓的可調(diào)。該電源還具有對輸出的過流保護(hù)、較低的因電源溫漂、時漂、元器件參數(shù)容差而造成的輸出誤差、較低成本、較高的輸出分辨力等優(yōu)點。
標(biāo)簽： MSP 430 單片機(jī) 開關(guān)電源設(shè)計
上傳時間： 2014-12-24
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