本文：采用了FPGA方法來(lái)模擬高動(dòng)態(tài)(Global Position System GPS)信號(hào)源中的C／A碼產(chǎn)生器。C／A碼在GPS中實(shí)現(xiàn)分址、衛(wèi)星信號(hào)粗捕和精碼(P碼)引導(dǎo)捕獲起著重要的作用，通過(guò)硬件描述語(yǔ)言VERILOG在ISE中實(shí)現(xiàn)電路生成，采用MODELSIM、SYNPLIFY工具分別進(jìn)行仿真和綜合。
標(biāo)簽： FPGA GPS 模擬 動(dòng)態(tài)
上傳時(shí)間： 2013-08-31
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Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)為了保證空間功率合成精度需要高精度的雷達(dá)信號(hào)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種以AD9959為核心的高精度多通道雷達(dá)信號(hào)源。信號(hào)源利用多片AD9959產(chǎn)生32路正弦波、線性調(diào)頻以及相位編碼等多種信號(hào)形式，并設(shè)計(jì)采用AD8302對(duì)多路信號(hào)的幅度和相位進(jìn)行檢測(cè)與調(diào)整。該信號(hào)源已應(yīng)用實(shí)際工程中，現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該信號(hào)源系統(tǒng)產(chǎn)生的高頻信號(hào)頻率穩(wěn)定度高、相位幅度一致性好，完全滿足對(duì)信號(hào)源的性能指標(biāo)的要求。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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根據(jù)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片的工作環(huán)境，針對(duì)常見的溫度失效問(wèn)題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，具有適應(yīng)低電源電壓、電源抑制比高的特點(diǎn)。同時(shí)還提出一種使用不同溫度系數(shù)的電阻進(jìn)行高階補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ瑢?shí)現(xiàn)了較寬溫度范圍內(nèi)的低溫度系數(shù)。仿真結(jié)果表明，該帶隙基準(zhǔn)電路在-50℃~+125℃的溫度范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)平均輸出電壓誤差僅5.2 ppm/℃，可用于要求極端嚴(yán)格的發(fā)動(dòng)機(jī)溫度環(huán)境。該電路電源共模抑制比最大為99 dB，可以有效緩解由發(fā)動(dòng)機(jī)在不同工況下產(chǎn)生的電源紋波對(duì)輸出參考電壓的影響。
標(biāo)簽： 發(fā)動(dòng)機(jī) 溫差 基準(zhǔn)電壓源 環(huán)境
上傳時(shí)間： 2014-01-09
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長(zhǎng)的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。
標(biāo)簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
標(biāo)簽： LabVIEW 高精度 電流源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：cuiyashuo
0-50V高精度可程控直流精密電壓源
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：jackandlee
超低漏失線性穩(wěn)壓器的技術(shù)關(guān)鍵，是基準(zhǔn)源模塊的設(shè)計(jì)，在對(duì)雙極型LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，提出了對(duì)其關(guān)鍵模塊基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行高精度的設(shè)計(jì)的方案。
標(biāo)簽： LDO 穩(wěn)壓器 電壓基準(zhǔn)源 分
上傳時(shí)間： 2013-12-07
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摘要：采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明：在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益，電源抑制比達(dá)到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時(shí)輸出電壓Vref的擺動(dòng)為0.2mV，是一種有效的基準(zhǔn)電壓實(shí)現(xiàn)方法.關(guān)鍵詞：帶隙基準(zhǔn)電壓源；電源抑制比；溫度系數(shù)
標(biāo)簽： 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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