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高壓降壓芯片

  • 30V 3A車充IC CX8505單芯片同步降壓穩壓器

    CX8505是一款單芯片同步降壓穩壓器,在輸入電壓范圍內可以持續提供3A的負載電流,具有軟啟動,低壓保護,過流保護、過溫保護等功能,待機模式下僅為0.03毫安 最具高性價比的車載充電器方案

    標簽: 8505 30V CX 單芯片

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:zhuyibin

  • 一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

    介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上,通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明:在-40~100 ℃的溫度范圍內,輸出電壓擺動僅為1.7 mV,在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比(PSRR),整個電路功耗僅僅只有30 μA??梢院芎玫貞迷诘凸母唠娫匆种票鹊腖DO芯片設計中。

    標簽: CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:thesk123

  • 1-3WLED驅動電源芯片方案

    SM7523是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能的原邊反饋控制功率開關芯片,在全電壓輸入范圍內實現高精度恒流輸出,精度小于±3%,無需環路補償,并可使系統節省光耦,TL431以及變壓器輔助繞組等元件,降低成本。 芯片內部集成了逐周期峰值電流限制,FB過壓保護,輸出開/短路保護和開機軟啟動等保護功能,以提高系統的可靠性。

    標簽: WLED 驅動電源 芯片方案

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:410805624

  • 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度,而且瞬態增強電路工作的過程中,系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明:整個LDO是靜態電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內,由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態 電路設計

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:niumeng16

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

    標簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • SM8015大功率電流模式PWM控制芯片

    鉦銘科SM8015是一個離線式中大功率電流模式PWM控制芯片,應用于AC/DC反激式開關電源系統。采用多模式自動切換控制方式,滿足系統的低待機功耗(<0.3W,265V AC),高轉換效率的要求。內部集成過流保護、過載保護、過溫保護、VDD過壓保護等完善的保護功能以提高系統可靠性。封裝形式:DIP8、SOP8

    標簽: 8015 PWM SM 大功率

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:windypsm

  • SM8013C電流模式的PWM離線式控制芯片

    鉦銘科SM8013C是一款電流模式的PWM離線式控制芯片,直接驅動外部高壓MOS管。采用自適應多模式工作方式,根據負載情況,自動切換到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,滿足系統的低待機功耗(<0.3W,265V AC),高轉換效率的要求。內部集成多種保護功能,如過流保護、過載保護、VDD過壓保護和VDD欠壓保護等多種保護。封裝形式:DIP8、SOP8、SOT23-6

    標簽: 8013C 8013 PWM SM

    上傳時間: 2013-12-08

    上傳用戶:dyctj

  • SM8012芯片資料

    鉦銘科SM8012是一款電流模式的PWM離線式控制芯片,內置高壓開關MOS管。采用自適應多模式工作方式,根據負載情況,自動切換到Burst模式,PFM模式,或者PWM模式,滿足系統的低待機功耗(<0.3W@265V AC),高轉換效率的要求。內部集成多種保護功能,如過流保護、過載保護、VDD過壓保護和VDD欠壓保護等多種保護。封裝形式:DIP8

    標簽: 8012 SM 芯片資料

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:wwwe

  • SM7503高性能原邊反饋控制功率開關芯片

    SM7503是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片,在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓/恒流輸出,精度均小于±3℅,并可使系統節省光耦和TL431等元件,降低成本。芯片內部集成了高壓功率開關、逐周期峰值電流限制、VDD過壓保護、VDD欠壓保護、VDD電壓嵌位等完善的保護功能,以提高系統的可靠性。封裝形式:SOP8

    標簽: 7503 SM 性能 反饋控制

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:李哈哈哈

  • ASC8512-CN兩節鋰電充電芯片

    兩節鋰電充電IC-ASC8512 ASC8512 為開關型兩節鋰聚合物電池充電管理芯片,非常適合于便攜式設備的充電管理應用。ASC8512 集內置功率MOSFET、高精度電壓和電流調節器、預充、充電狀態指示和充電截止等功能于一體,采用TSSOP-14、SSOP-14兩種封裝形式。ASC8512對電池充電分為三個階段:預充(Pre-charge)、恒流(CC/Constant Current)、恒壓(CV/Constant Voltage)過程,恒流充電電流通過外部電阻決定,最大充電電流為2A.ASC8512 集成電流限制、短路保護,確保充電芯片安全工作。ASC8512 集成NTC 熱敏電阻接口,可以采集、處理電池的溫度信息,保證充電電池的安全工作溫度。 兩節鋰電池充電IC ASC8512特點: 1.充2節鋰離子和鋰聚合物電池 2.開關頻率達400K 3.充電電流最大可做2A 4.輸入電壓9V到18V 5.電池狀態檢測 6.恒壓充電電壓值可通過外接電阻微調 7.千分之五的充電電壓控制精度 5.防反向保護電路可防止電池電流倒灌 6.NTC 熱敏接口監測電池溫度 7.LED充電狀態指示 8.工作環境溫度范圍:-20℃~70℃ 9.TSSOP-14 應用領域:應用 ●手持設備,包括醫療手持設備 ●Portable-DVD,PDA,移動蜂窩電話及智能手機 ●上網本、平板電腦、MID ●自充電電池組

    標簽: 8512 ASC CN 充電

    上傳時間: 2013-11-06

    上傳用戶:chfanjiang

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