教你制作簡單的耳機功放電路，可以推動較高阻抗的耳塞。
標簽： 耳機放大器
上傳時間： 2013-07-17
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訊號路徑設(shè)計講座(9)針對高速應用的電流回授運算放大器電流回授運算放大器架構(gòu)已成為各類應用的主要解決方案。該放大器架構(gòu)具有很多優(yōu)勢，并且?guī)缀蹩蓪嵤┯谌魏涡枰\算放大器的應用當中。電流回授放大器沒有基本的增益頻寬產(chǎn)品的局限，隨著訊號振幅的增加，而頻寬損耗依然很小就證明了這一點。由于大訊號具有極小的失真，所以在很高的頻率情況下這些放大器都具有極佳的線性度。電流回授放大器在很寬的增益范圍內(nèi)的頻寬損耗很低，而電壓回授放大器的頻寬損耗卻隨著增益的增加而增加。準確地說就是電流回授放大器沒有增益頻寬產(chǎn)品的限制。當然，電流回授放大器也不是無限快的。變動率受制于晶體管本身的速度限制（而非內(nèi)部偏置(壓)電流）。這可以在給定的偏壓電流下實現(xiàn)更大的變動率，而無需使用正回授和其它可能影響穩(wěn)定性的轉(zhuǎn)換增強技術(shù)。那么，我們?nèi)绾蝸斫⑦@樣一個奇妙的電路呢？電流回授運算放大器具有一個與差動對相對的輸入緩沖器。輸入緩沖器通常是一個射極追隨器或類似的器件。非反向輸入是高阻抗的，而緩沖器的輸出（即放大器的反向輸入）是低阻抗的。相反，電壓回授放大器的2個輸入均是高阻抗的。電流回授運算放大器輸出的是電壓，而且與透過稱為互阻抗Z(s)的復變函數(shù)流出或流入運算放大器的反向輸入端的電流有關(guān)。在直流電情況下，互阻抗很高（與電壓回授放大器類似），并且隨著頻率的增加而單極滾降。
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：黃蛋的蛋黃
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2014-12-24
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為了利用級聯(lián)Blumlein型脈沖形成網(wǎng)絡在高阻抗負載產(chǎn)生理想的高壓平頂脈沖輸出，開展了構(gòu)成該脈沖功率源關(guān)鍵單元的始端電感和終端電感設(shè)計。從充電電壓一致性，輸出脈沖不發(fā)生嚴重畸變，高的電壓疊加效率，可接受的負載預脈沖幅值出發(fā)，確定了始端電感和終端電感值的計算方法，利用錳鋅鐵氧體磁芯的飽和特性設(shè)計電感，通過實驗開展錳鋅鐵氧體磁芯參數(shù)測試。研究表明錳鋅鐵氧體飽和和剩余磁感應強度之和約為1.75，飽和磁導率約3.3，非飽和磁導率約1 462，飽和電感值為7.3 mH，非飽和電感值3.2 mH。
標簽： Blumlein 級聯(lián) 電感設(shè)計 脈沖
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：lyson
ADM2582E/ADM2587E是具備±15 kV ESD保護功能的完全集成式隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器，適合用于多點傳輸線路上的高速通信應用。ADM2582E/ADM2587E包含一個集成式隔離DC-DC電源，不再需要外部DC/DC隔離模塊。 該器件針對均衡的傳輸線路而設(shè)計，符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標準。 它采用ADI公司的iCoupler®技術(shù)，在單個封裝內(nèi)集成了一個三通道隔離器、一個三態(tài)差分線路驅(qū)動器、一個差分輸入接收器和一個isoPower DC/DC轉(zhuǎn)換器。該器件采用5V或3.3V單電源供電，從而實現(xiàn)了完全集成的信號和電源隔離RS-485解決方案。 ADM2582E/ADM2587E驅(qū)動器帶有一個高電平有效使能電路，并且還提供一個高電平接收機有效禁用電路，可使接收機輸出進入高阻抗狀態(tài)。 該器件具備限流和熱關(guān)斷特性，能夠防止輸出短路。 隔離的RS-485/RS-422收發(fā)器，可配置成半雙工或全雙工模式 isoPower™集成式隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器 在RS-485輸入/輸出引腳上提供±15 kV ESD保護功能 符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)標準 ADM2587E數(shù)據(jù)速率： 500 kbps 5 V或3.3V電源供電 總線上擁有256個節(jié)點 開路和短路故障安全接收機輸入 高共模瞬態(tài)抑制能力： >25 kV/μs 熱關(guān)斷保護
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：名爵少年
PCA9519 是一個4 通道的I2C 總線/SMBus 中繼器，可以實現(xiàn)將低電壓兩線串行總線接口的處理器與標準的I2C 總線或SMBus I/O 相連。該中繼器在電平轉(zhuǎn)換中保持I2C 總線系統(tǒng)所有的模式和特點的同時，允許通過給數(shù)據(jù)總線（SDA）和時鐘總線（SCK）提供雙向緩沖區(qū)來擴展I2C 總線，從而使I2C 總線或SMBus 在高電壓下最大容限電容為400PF。SDA 和SCL 引腳具有耐壓保護功能，當PCA9519 掉電時，均呈現(xiàn)出高阻抗特性。
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：brilliantchen
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2013-12-15
上傳用戶：天空說我在
Delta-sigma ADCs, with their high accuracy and high noiseimmunity, are ideal for directly measuring many typesof sensors. Nevertheless, input sampling currents canoverwhelm high source impedances or low-bandwidth,micropower signal conditioning circuits. The LTC®2484family of delta sigma converters solves this problem bybalancing the input currents, thussimplifying or eliminatingthe need for signal conditioning circuits.
上傳時間： 2015-01-03
上傳用戶：潛水的三貢
找了很久才找到的。現(xiàn)上傳上來共享。 M74HC595 是一個八位串行輸入，平行輸出的位移緩存器；平行輸出為三態(tài)輸出。在SCK 的上升緣，串行數(shù)據(jù)由SDI輸入到內(nèi)部的八位位移緩存器，并由Q7’輸出。 而平行輸出，則是在LCK 的上升緣，將在八位位移緩存器的數(shù)據(jù)存入到八位平行輸出緩存器。當OE 的控制訊號為低致能時， 平行輸出端的輸出值，等于平行輸出緩存器所儲存的質(zhì)。而當OE 的控制訊號為高電位，也就是輸出關(guān)閉時，平行輸出端會維持在高阻抗狀態(tài)。. M74HC595 保持了和一般74HC595 功能上以及腳位上的兼容性之外，并針對一些特性予以強化。這些強化的特性，使得M74HC595 非常適合用于像是LED 數(shù)組指示器、LED 訊號顯示矩陣等需要較大的灌電流應用。每個通道可接受的灌電流都被加大了，使得M74HC595 可以支持更大的LED 電流。而增大的接地電流，可支持數(shù)個平行輸入通道的同時打開，并灌大電流。比起傳統(tǒng)的74HC595，平行輸出端同時有較大灌電流時，可靠度增強了四倍以上。
上傳時間： 2014-11-23
上傳用戶：heart520beat
AT89C52是美國ATMEL，公司生產(chǎn)的低電壓，高性能CMOS 8位單片機，片內(nèi)含8k bytes的可反復擦寫的Flash只讀程序存儲器和256 bytes的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，與標準MCS-51指令系統(tǒng)及8052產(chǎn)品引腳兼容，片內(nèi)置通用8位中央處理器（CPU）和Flash存儲單元，功能強大AT89C52單片機適合于許多較為復雜控制應用場合主要性能參數(shù)：·與MCS-51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容.8k字節(jié)可重擦寫Flash閃速存儲器.1000次擦寫周期靜態(tài)操作：OHz-24MHz·三級加密程序存儲器?256х8 hA部RAM?32編程1/0口線.3個16位定時/計數(shù)器?8個中斷源·程串行UART通道低功耗空閑和掉電模式·PO口：P0口是一組8位漏極開路型雙向1/0口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復用口。作為輸出口用時，每位能吸收電流的方式驅(qū)動8個TTL邏輯門電路，對端口P0寫"1"時，可作為高阻抗輸入端用.在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時，這組口線分時轉(zhuǎn)換地址（低8位）和數(shù)據(jù)總線復用，在訪問期間滋活內(nèi)部上拉電阻.在Flash編程時，PO口接收指令字節(jié)，而在程序校驗時，輸出指令字節(jié)，校驗時，要求外接上拉電阻。
標簽： at89c52
上傳時間： 2022-06-19
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