第1章 微帶扇形偏置電路基本理論之一 1 第2章 扇形微帶偏置理論之二 4 第3章 利用ADS仿真設計扇形微帶偏置的整個過程 6 3.1 計算10GHz時四分之一波長高阻線(假設設計阻抗為100歐)的長度和寬度。 7 3.2 將高阻線和扇形微帶放入電路中,并仿真和優化(注意優化的變量都有哪些) 7 3.3 仿真結果分析(關鍵) 9 3.4 生成版圖 10 3.5 導出到autoCAD中并填充 11 第4章 有助于加深理解扇形微帶偏置原理的ADS仿真分析 11 4.1 單根四分之一波長微帶線的仿真 11 4.2 四分之一波長微帶線+扇形微帶線的仿真 12 4.3 我的理解 12
上傳時間: 2013-10-15
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FM作為移動終端的標準配置功能,用附件耳機線作FM天線的使用方式很大程度上制約著FM功能的使用,尤其是中低端機型的用戶會較少隨身攜帶耳機線。近兩年來移動終端內置FM天線開始流行起來,方便FM功能使用。三星等知名廠商已相繼推出帶FM內置天線功能的手機,印度、非洲等市場對移動終端內置FM天線需求更越來越普遍。
標簽: FM內置天線
上傳時間: 2013-10-25
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產品說明: 是 1000M自適應以太網外置電源光纖收發器,可以將 10/100BASE-TX的雙絞線電信號和1000BASE-LX的光信號相互轉換。它將網絡的傳輸距離的極限從銅線的100 米擴展到224/550m(多模光纖)、100公里(單模光纖)。可簡便地實現 HUB、SWITCH、服務器、終端機與遠距離終端機之間的互連。HH-GE-200 系列以太網光纖收發器即插即用,即可單機使用,也可多機集成于同一機箱內使用。
上傳時間: 2013-12-22
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附件是一款PCB阻抗匹配計算工具,點擊CITS25.exe直接打開使用,無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法,連板的排法和PCB聯板的設計驗驗。 PCB設計的經驗建議: 1.一般連板長寬比率為1:1~2.5:1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正??▔壕嚯x為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯接:需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上傳時間: 2014-12-31
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附件是一款PCB阻抗匹配計算工具,點擊CITS25.exe直接打開使用,無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計算方法,連板的排法和PCB聯板的設計驗驗。 PCB設計的經驗建議: 1.一般連板長寬比率為1:1~2.5:1,同時注意For FuJi Machine:a.最大進板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向為優先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時,需加補強邊. 5.陰陽板的設計需作特殊考量. 6.工藝邊需根據實際需要作設計調整,軌道邊一般不少於6mm,實際中需考量板邊零件的排布,軌道設備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實際要求下的連板經濟性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學定位點,一般設計在對角處,為2個或4個,同時MARK點面需平整,無氧化,脫落現象;定位孔設計在板邊,為對稱設計,一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設計的同時,需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯接:需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機上的夾具穩定工作,還應考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.
上傳時間: 2013-10-15
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BGA焊球重置工藝
上傳時間: 2013-11-24
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞:比損耗系數, 磁滯常數ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD 近年來,變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家,在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施,促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統,其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB, Lg88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調節振蕩器頻率為 36.6~40KHz, 使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求, 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結,出窯后經真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料,在此基礎上,還實現了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM(頻率劃分調制)向PCM(脈沖編碼調制) 轉換時期, 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優鐵氧體材料<3>,其磁滯系數降為優鐵
上傳時間: 2013-12-15
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PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間: 2013-11-17
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LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準點 (光學點) -for SMD:........... 4 4. 標記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時間: 2013-10-29
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半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間: 2013-11-04
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