這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
標簽： 旁路電容 扼流 電感
上傳時間： 2013-11-12
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多路輸出開關電源交叉調整率
標簽： 多路輸出 交叉調整率 開關電源
上傳時間： 2013-10-31
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高可用性電信繫統采用冗餘電源或電池供電來增強繫統的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組合於負載點處
標簽： MOSFET 二極管 減 發熱
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：ysjing
大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。
標簽： TFT-LCD 輸出穩壓器 大型 顯示器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：watch100
許多電信和計算應用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負載電流。其應用包括分布式電源繫統、負載點調節和邏輯電源轉換。
標簽： 2.2 降壓型 同步控制器 輸入
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。
標簽： uModule DCDC 16A 雙通道
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：頂得柱
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳用戶：thesk123
基于ATmega64的智能路燈節電器
標簽： ATmega 64 智能路燈 節電器
上傳用戶：wab1981
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
PC電源測試系統chroma8000簡介
標簽： chroma 8000 電源測試系統
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
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