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  • 通信電路原理[第二版]

    內(nèi)容簡介:《通信電路原理》是1989年高等教育出版社出版的“通信電路原理”的修訂版。隨著通信系統(tǒng)的集成化、數(shù)字化,移動化和多媒體化,對組成通信系統(tǒng)的電路提出了更高的要求。為反映這些變化,對第一版的內(nèi)容進(jìn)行了整合和增刪。全書共八章,包括緒論、濾波器、高頻放大器、非線性電路及其分析方法、正弦波振蕩器、調(diào)制與解調(diào)、鎖相環(huán)路和頻率合成技術(shù)。作者簡介:董在望,1937年10月出生于河北省,1960年7月清華大學(xué)無線電電子學(xué)系(現(xiàn)為電子工程系)通信專業(yè)本科畢業(yè),遂留校工作至今。現(xiàn)為清華大學(xué)電子工程系教授,博士生導(dǎo)師。曾任教育部電工課程教學(xué)指導(dǎo)委員會副主任、電子技術(shù)與線路課程教學(xué)指導(dǎo)小組組長。目錄:第1章緒論1.1通信系統(tǒng)的基本概念1.1.1通信系統(tǒng)的組成1.1.2通信系統(tǒng)的基本特性1.1.3通信系統(tǒng)的信道1.1.4通信系統(tǒng)中的信號1.1.5通信系統(tǒng)中的發(fā)送與接收設(shè)備1.2信號傳輸?shù)幕締栴}1.2.1信號通過線性系統(tǒng)1.2.2信號通過非線性系統(tǒng)1.2.3干擾1.3通信電路的基本形式1.4關(guān)于本書的內(nèi)容1.4.1關(guān)于信號變換的理論和技術(shù)1.4.2關(guān)于電路第2章濾波器2.1引言2.2濾波器的特性和分類2.2.1濾波器的特性2.2.2濾波器的分類2.3LC濾波器2.3.1LC串、并聯(lián)諧振回路2.3.2般LC濾波器2.4聲表面波濾波器2.5有源RC濾波器2.5.1構(gòu)成有源RC濾波器的單元電路2.5.2運算仿真法實現(xiàn)有源RC濾波器2.5.3級聯(lián)法實現(xiàn)有源RC濾波器(x)2.5.4自動校正有源RC濾波器(x)2.6抽樣數(shù)據(jù)濾波器(x)2.6.1抽樣數(shù)據(jù)單元電路2.6.2抽樣數(shù)據(jù)濾波器2.6.3連續(xù)域到離散域的映射2.7小結(jié)習(xí)題第3章高頻放大器第4章非線性電路及其分析方法第5章正弦波振蕩器第6章調(diào)制與解調(diào)第7章鎖相環(huán)路

    標(biāo)簽: 通信電路

    上傳時間: 2022-06-06

    上傳用戶:jiabin

  • 應(yīng)廣單片機(jī) MINI-C編程指南.pdf

    應(yīng)廣單片機(jī) MINI-C編程指南.Mini-c總結(jié)文檔一、缺點:(一)函數(shù)不能帶參數(shù).解決方法:通過A或全局變量進(jìn)行參數(shù)傳遞;(二)不能使用for循環(huán)解決方法:用while循環(huán)代替for循環(huán).(三)數(shù)組和指針功能弱化解決方法:① 使用rom查表② 使用ram查表(四)不支持全局變量定義同時進(jìn)行初始化解決方法:        在初始化的時候記得對全局變量進(jìn)行初始化. (五)Bit變量只支持寫入0,或1,不支持直接bit變量取反解決方法 :if(uBitFlag){    uBitFlag=0;}Else{    uBitFlag=1; } 二、優(yōu)點:(一)函數(shù)不帶參數(shù),可以節(jié)省堆棧空間(二)支持ROM查表(三).delay時間非常準(zhǔn)確,無需手工計算(四)支持bit變量,節(jié)省ram空間,支持字,字節(jié)拆分.(五)燒錄支持滾動碼寫入.(六)端口配置可以使用腳本(七) 代碼自動生成

    標(biāo)簽: 單片機(jī)

    上傳時間: 2022-06-17

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  • M54133漏電保護(hù)芯片分析

    1.1漏電保護(hù)器簡介隨著人們生活水平提高,電器設(shè)備迅速增加,由于漏電導(dǎo)致直接或間接觸電事故時有發(fā)生,嚴(yán)重危害了人們的健康,甚至威脅生命。在電網(wǎng)中安裝漏電保護(hù)器,可以預(yù)防人們用電中可能發(fā)生的觸電事故,保護(hù)生命和財產(chǎn)安全,具有十分重大的意義。國際電工委員會將漏電電流規(guī)定為剩余電流,其準(zhǔn)確的定義是:接地性故障電流。漏電保護(hù)器是當(dāng)人體的可能接觸的電壓值超過了安全值或人體的觸電電流及其他對地故障電流超過了允許值時,能夠自動切斷電源以保障人身和設(shè)備安全的電子設(shè)備。漏電保護(hù)器的準(zhǔn)確名稱是:剩余電流動作保護(hù)器1。1.2漏電保護(hù)器分類1.2.1根據(jù)動作方式分電磁式剩余電流保護(hù)器零序電流互感器的二次回路輸出電壓不經(jīng)任何放大,直接激勵剩余電流脫扣器,稱為電磁式剩余電流保護(hù)器,其動作功能與線路電壓無關(guān)。電子式剩余電流保護(hù)器零序電流互感器的二次回路和脫扣器之間接入一個電子放大線路,互感器二次回路的輸出電壓經(jīng)過電子線路放大后再激勵剩余電流脫扣器,稱為電子式剩余電流保護(hù)器,其動作功能與線路電壓有關(guān)。

    標(biāo)簽: m54133 漏電保護(hù)芯片

    上傳時間: 2022-06-19

    上傳用戶:jiabin

  • WCDMA基站射頻電路及天線的設(shè)計

    隨著個人通信和移動通信技術(shù)在世界范圍內(nèi)的迅猛發(fā)展,人們對移動通信的服務(wù)質(zhì)量要求也越來越高.WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)作為第三代移動通信系統(tǒng)的三大標(biāo)準(zhǔn)之一,因為具有優(yōu)良的通信質(zhì)量和較高的頻譜利用率而被廣泛應(yīng)用.在WCDMA接收機(jī)中,射頻前端電路占有重要的地位,其性能優(yōu)劣直按影響著接收機(jī)的接收靈敏度以及后繼信號處理部分的性能.因此,進(jìn)行WCDMA射頻電路的研究和設(shè)計具有重要的現(xiàn)實意義.天線和低噪聲放大器(LNA)是射頻(RF)接收機(jī)芯片的重要組成部分。本文在廣泛查閱國內(nèi)、外參考文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上,對微帶天線的寬頻帶技術(shù)和LNA的設(shè)計原理進(jìn)行了深入地研究.綜合多種寬頻帶技術(shù),本文采用L形探針饋電與雙E形槽貼片相結(jié)合的方法,提出了一款適合于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線結(jié)構(gòu)。利用電磁仿真軟件HFSS對該天線的性能進(jìn)行了研究,研究了天線貼片尺寸對天線性能的影響。在此基礎(chǔ)上,優(yōu)化設(shè)計了適用于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線,并對其進(jìn)行了加工、測試和分析,仿真和測試結(jié)果均表明,該天線-10dB回波損耗帶寬為520MHz,天線在2GHz的增益為7.88dBi,滿足WCDMA基站的要求.另外,本文還根據(jù)WCDMA基站對LNA性能的要求,利用仿真軟件ADS(Advanced Design System)設(shè)計了一款高線性的兩級平衡低噪聲放大器,給出了電路原理圖,并制作了版圖,結(jié)果表明,該低噪聲放大器在1.92GH2~1.98GHz頻段增益不低于30dB,噪聲系數(shù)小于1dB,滿足WCDMA的要求,具有一定的實用價值。

    標(biāo)簽: wcdma 基站 射頻電路 天線

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 智能稱重系統(tǒng)的設(shè)計資料

    智能稱重系統(tǒng)的設(shè)計資料要以微控制器為控制核心,通過稱重傳感器實現(xiàn)對灌裝氣體重量的自動檢測及控制,但普遍存在稱重精度不高、功能不全等問題。本文旨在以高性能STC11F32XE 單片機(jī)為控制核心,設(shè)計出高精度數(shù)據(jù)采集、寬溫度工作范圍的智能燃?xì)夤嘌b稱重系統(tǒng)。1 系統(tǒng)硬件電路設(shè)計1. 1 整體硬件電路設(shè)計燃?xì)夤嘌b稱重控制系統(tǒng)主要包括: 信號采集、信號調(diào)理、灌裝過程控制、數(shù)據(jù)顯示等模塊。其中的信號調(diào)理模塊對傳感器的mV 輸入信號進(jìn)行濾波、放大、A/D 轉(zhuǎn)換后送入單片機(jī)STC11F32XE 進(jìn)行處理; 電源電壓電路給各模塊電路提供數(shù)字5 V 和模擬5 V 直流電壓; 數(shù)碼管顯示器、鍵盤、蜂鳴器及指示燈構(gòu)成人機(jī)交互模塊; 溫度傳感器DS18B20 采集環(huán)境溫度供傳感器溫度補(bǔ)償時使用( 見圖1) 。1. 2 信號采集及調(diào)理電路據(jù)設(shè)計要求,稱重傳感器選用鋁合金懸臂梁結(jié)構(gòu)的應(yīng)變片式傳感器,其有效的最大輸出在20 mV以內(nèi),為了拓展其A/D 轉(zhuǎn)換器的滿量程有效利用范圍,需要對其進(jìn)行差動放大。同時,為了提高其抗干擾能力,對傳感器輸出信號進(jìn)行二階低通濾波, IN -和IN + 為傳感器輸出的差動信號,S3 和S4 是磁珠,對高頻干擾信號有一定的抑制作用; 運算放大器采用精密雙運放OP2177,放大電路的放大倍數(shù)由R10、R31 和RG1 決定

    標(biāo)簽: 智能稱重系統(tǒng)

    上傳時間: 2022-07-24

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  • 燃?xì)夤嘌b稱重系統(tǒng)的設(shè)計資料

    介紹了基于 STC11F32XE 和 A / D 轉(zhuǎn)換器 ADS1230 的燃?xì)夤嘌b稱重系統(tǒng),并提出了其硬件電路設(shè)計和軟件設(shè)計流程。該系統(tǒng)具有對傳感器進(jìn)行溫度誤差補(bǔ)償、自動校準(zhǔn)等功能。通過試驗證明,該系統(tǒng)具有測量精度高、穩(wěn)定可靠等優(yōu)點。近年來,國內(nèi)燃?xì)夤嘌b設(shè)備已部分實現(xiàn)智能化,主要以微控制器為控制核心,通過稱重傳感器實現(xiàn)對灌裝氣體重量的自動檢測及控制,但普遍存在稱重精度不高、功能不全等問題。本文旨在以高性能STC11F32XE 單片機(jī)為控制核心,設(shè)計出高精度數(shù)據(jù)采集、寬溫度工作范圍的智能燃?xì)夤嘌b稱重系統(tǒng)。1 系統(tǒng)硬件電路設(shè)計1. 1 整體硬件電路設(shè)計燃?xì)夤嘌b稱重控制系統(tǒng)主要包括: 信號采集、信號調(diào)理、灌裝過程控制、數(shù)據(jù)顯示等模塊。其中的信號調(diào)理模塊對傳感器的mV 輸入信號進(jìn)行濾波、放大、A/D 轉(zhuǎn)換后送入單片機(jī)STC11F32XE 進(jìn)行處理; 電源電壓電路給各模塊電路提供數(shù)字5 V 和模擬5 V 直流電壓; 數(shù)碼管顯示器、鍵盤、蜂鳴器及指示燈構(gòu)成人機(jī)交互模塊; 溫度傳感器DS18B20 采集環(huán)境溫度供傳感器溫度補(bǔ)償時使用( 見圖1) 。1. 2 信號采集及調(diào)理電路據(jù)設(shè)計要求,稱重傳感器選用鋁合金懸臂梁結(jié)構(gòu)的應(yīng)變片式傳感器,其有效的最大輸出在20 mV以內(nèi),為了拓展其A/D 轉(zhuǎn)換器的滿量程有效利用范圍,需要對其進(jìn)行差動放大。同時,為了提高其抗干擾能力,對傳感器輸出信號進(jìn)行二階低通濾波, IN -和IN + 為傳感器輸出的差動信號,S3 和S4 是磁珠,對高頻干擾信號有一定的抑制作用; 運算放大器采用精密雙運放OP2177,放大電路的放大倍數(shù)由R10、R31 和RG1 決定。調(diào)理電路如圖2 所示。

    標(biāo)簽: 燃?xì)夤嘌b稱重系統(tǒng)

    上傳時間: 2022-07-29

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  • 1.3_DAVE_V2.1.RAR

    DAvE是英飛凌科技公司的電子芯片模擬開發(fā)應(yīng)用工具軟件。 戴夫會幫助你在你的項目中規(guī)劃你想使用的英飛凌單片機(jī)或dsp,以提供智能向?qū)?那幫你設(shè)定芯片來工作的方式和你需要的各功能模塊,自動生成C-code驅(qū)動功能與適當(dāng)?shù)膯纹鈬O(shè)備和中斷的控制。 DAvE會直接與編譯器的IDE互動。

    標(biāo)簽: 電容器

    上傳時間: 2013-07-14

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  • 電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

    電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式(MM) 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器(消電器、電中和器或離子平衡器) 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度(ESDS)檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法的主要內(nèi)容(以MIL-STD-883E 方法3015.7為例) 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I-V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具-TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理

    標(biāo)簽: ESD 電子元器件 講義

    上傳時間: 2013-07-13

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  • SHT75.rar

    溫濕度一體數(shù)字傳感器SHT15/75的應(yīng)用示例,C51,從串口直接打印出數(shù)據(jù)。接串口助手或超級終端即可觀看

    標(biāo)簽: SHT 75

    上傳時間: 2013-07-28

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  • 射頻與微波功率放大器設(shè)計.rar

    本書主要闡述設(shè)計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計技巧,以及將分析計算與計算機(jī)輔助設(shè)計相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計方法。這些方法提高了設(shè)計效率,縮短了設(shè)計周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計方法、非線性主動設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計。  本書適合從事射頻與微波動功率放大器設(shè)計的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門首席理論設(shè)計工程師,他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.2 散射參數(shù)  1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換  1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接  1.5 實際的雙口電路   1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò)   1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò)  1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò)  1.7 傳輸線  參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計方法  2.1 頻域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段線性近似法   2.1.3 貝塞爾函數(shù)法  2.2 時域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 準(zhǔn)線性法  2.5 諧波平衡法  參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信號等效電路   3.1.2 等效電路元件的確定   3.1.3 非線性I—V模型   3.1.4 非線性C.V模型   3.1.5 電荷守恒   3.1.6 柵一源電阻   3.1.7 溫度依賴性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信號等效電路   3.2.2 等效電路元件的確定   3.2.3 CIJrtice平方非線性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型   3.2.7 rrriQuint非線性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型   3.2.10 模型選擇  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信號等效電路   3.3.2 等效電路中元件的確定   3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換   3.3.4 非線性雙極器件模型  參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圓圖  4.3 集中參數(shù)的匹配   4.3.1 雙極UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用傳輸線匹配   4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計   4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計  4.5 傳輸線類型   4.5.1 同軸線   4.5.2 帶狀線   4.5.3 微帶線   4.5.4 槽線   4.5.5 共面波導(dǎo)  參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口網(wǎng)絡(luò)  5.3 四口網(wǎng)絡(luò)  5.4 同軸電纜變換器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合橋  5.7 耦合線定向耦合器  參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計基礎(chǔ)  6.1 主要特性  6.2 增益和穩(wěn)定性  6.3 穩(wěn)定電路技術(shù)   6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子  6.4 線性度  6.5 基本的工作類別:A、AB、B和C類  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的實際外形  參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計  7.1 B類過激勵  7.2 F類電路設(shè)計  7.3 逆F類  7.4 具有并聯(lián)電容的E類  7.5 具有并聯(lián)電路的E類  7.6 具有傳輸線的E類  7.7 寬帶E類電路設(shè)計  7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器  參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器  8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則  8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò)    8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò)  8.6 實際設(shè)計一瞥  參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計  9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù)  9.2 包絡(luò)跟蹤  9.3 異相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 開關(guān)模式和雙途徑功率放大器  9.6 前饋線性化技術(shù)  9.7 預(yù)失真線性化技術(shù)  9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器  參考文獻(xiàn)

    標(biāo)簽: 射頻 微波功率 放大器設(shè)計

    上傳時間: 2013-04-24

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