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美國(guó)機(jī)械工程師手冊(cè)英文原版

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標(biāo)簽： 工程 手冊(cè) 英文

上傳時(shí)間： 2013-06-17

上傳用戶：eclipse

快速了解FPGA/SOPC（可編程片上系統(tǒng)）開發(fā)的流程

作為一個(gè)簡(jiǎn)明的教程，主要宗旨是讓初學(xué)者快速地了解FPGA/SOPC（可編程片上系統(tǒng)）開發(fā)的流程。

標(biāo)簽： FPGA SOPC 可編程片上系統(tǒng) 流程

上傳時(shí)間： 2013-08-09

上傳用戶：hphh

FPGA/SOPC開發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門教程

FPGA/SOPC開發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門教程

標(biāo)簽： FPGA SOPC 開發(fā)教程 片上系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-08-12

上傳用戶：redmoons

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī)

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī) 實(shí)現(xiàn)雙機(jī)通信（雙向，并帶反饋）。開發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。

標(biāo)簽： ATmega AVR 16 單片機(jī)

上傳時(shí)間： 2013-09-27

上傳用戶：m62383408

基于BCB鍵合的MEMS加速度計(jì)圓片級(jí)封裝工藝

　　對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實(shí)現(xiàn)了加速度計(jì)的圓片級(jí)封裝，并對(duì)相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：JasonC

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

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PADS制作鍋?zhàn)衅馕?/a>

標(biāo)簽： PADS

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：michael20

一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片，測(cè)試板加芯片資料

標(biāo)簽： 4016 XL 高效率 大電流

上傳時(shí)間： 2014-12-24

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單片開關(guān)電源最新應(yīng)用技術(shù)

單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源 應(yīng)用技術(shù)

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：liu123