用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī) 實(shí)現(xiàn)雙機(jī)通信（雙向，并帶反饋）。開發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。
標(biāo)簽： ATmega AVR 16 單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-09-27
上傳用戶：m62383408
對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問(wèn)題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實(shí)現(xiàn)了加速度計(jì)的圓片級(jí)封裝，并對(duì)相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。
標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：JasonC
ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器
標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：wushengwu
在PADS中鍋?zhàn)衅闹谱鞣椒?/p>
標(biāo)簽： PADS
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：michael20
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片，測(cè)試板加芯片資料
標(biāo)簽： 4016 XL 高效率 大電流
上傳用戶：Shaikh
單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源 應(yīng)用技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：liu123
單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用
標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：熊少鋒
單片開關(guān)電源
標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：葉夜alex
介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方法，給出了利用單片開關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計(jì)實(shí)例，對(duì)外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和說(shuō)明，并對(duì)設(shè)計(jì)樣機(jī)進(jìn)行組裝和調(diào)試。
標(biāo)簽： 243Y TOP 243 反激
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