CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由...
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由...
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS&tr...
對于常規VDMOS器件結構, Rdson與BV存在矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普...
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特點是由其組成的開關電源,在市電電網中工作時,...
看到不少網友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個人理解發出來,與大家共享。個人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下:...
由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其優點是:用它做開關電源,無需加散熱器,...
CoolMOS具有優越的直流特性。為了設計出一個600V CoolMOS結構,首先CoolMOS的結構人手,結合電荷平衡...
英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅...