CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起...
VDMOS技術資料
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VDMOS管是一款聲效應功率晶體管。
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COOLMOS_原理結構
看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EP...
CoolMos的原理、結構及制造
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入E...
超薄芯片Backend工藝分析及失效研究
本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產品的可靠性，實現了大規模量產。流程（一）介紹了一種通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司（ASMC）開發的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應力工藝，通過機械...
大功率超聲波逆變電源的研制
大功率超聲波裝置除用于工業清洗外，在食品、紡織、飲用水處理及石油行業中也有廣闊的應用前景。超聲波裝置由超聲波逆變電源和換能器組成。其所用的功率器材經歷了電子管、晶閘管、晶體管和IGBT（或VDMOS）四個階段，后一代產品比前一代產品在性能、效率、可靠性等方面都有所提高。特別是近年來由于在電路設計中采...
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