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VDMOS

VDMOS管是一款聲效應(yīng)功率晶體管。

CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

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COOLMOS_原理結(jié)構(gòu)

看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下：對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？

標(biāo)簽： COOLMOS

上傳時間： 2014-12-23

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CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個PN結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標(biāo)簽： CoolMos 制造

上傳時間： 2013-11-11

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超薄芯片Backend工藝分析及失效研究

本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關(guān)鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產(chǎn)品的可靠性，實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)。流程（一）介紹了一種通過技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司（ASMC）開發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應(yīng)力工藝，通過機(jī)械應(yīng)力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創(chuàng)的檢驗黏附力的方法，通過這種方法的監(jiān)控，大幅度提高了產(chǎn)品良率，本論文的研究課題來源于企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)實踐，對于同類的低壓低導(dǎo)通電阻VDMOS產(chǎn)品有實用的參考意義。流程（二）討論了在半導(dǎo)體器件中應(yīng)用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創(chuàng)的刻蝕-淀積-合金以及應(yīng)力控制同時完成的方案。通過這種技術(shù)，使得金硅合金質(zhì)量得到大步的提升，并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業(yè)獲得了很好的效益。

標(biāo)簽： 超薄芯片 backend工藝

上傳時間： 2022-06-26

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大功率超聲波逆變電源的研制

大功率超聲波裝置除用于工業(yè)清洗外，在食品、紡織、飲用水處理及石油行業(yè)中也有廣闊的應(yīng)用前景。超聲波裝置由超聲波逆變電源和換能器組成。其所用的功率器材經(jīng)歷了電子管、晶閘管、晶體管和IGBT（或VDMOS）四個階段，后一代產(chǎn)品比前一代產(chǎn)品在性能、效率、可靠性等方面都有所提高。特別是近年來由于在電路設(shè)計中采用了新型電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和新型功率器件（IGBT），超聲波逆變電源的可靠性、負(fù)載適應(yīng)性、產(chǎn)品一致性及效率得以大大提高，且產(chǎn)品的體積也隨之減小。因此，新型IGBT超聲波逆變電源代表了當(dāng)今功率超聲波逆變電源的發(fā)展潮流。在大功率超聲波裝置中，換能器一般由壓電陶瓷材料制成，其等效電路可由RLC串聯(lián)電路再并以極板電容C'來表示[3]。當(dāng)電路工作頻率為換能器諧振頻率時，其等效電路簡化為R和C'的并聯(lián)。

標(biāo)簽： 大功率超聲波電源

上傳時間： 2022-07-29

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VDMOS

CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

COOLMOS_原理結(jié)構(gòu)

CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

超薄芯片Backend工藝分析及失效研究

大功率超聲波逆變電源的研制