IGBT直流斬波電路的設計1設計原理分析1.1總體結構分析直流斬波電路的功能是將直流電變為另一固定電壓或可調電壓的直流電。它在電源的設計上有很重要的應用。一般來說，斬波電路的實現都要依靠全控型器件。在這里，我所設計的是基于IGBT的降壓斬波短路。直流降壓斬波電路主要分為三個部分，分別為主電路模塊，控制電路模塊和驅動電路模塊。電路的結構框圖如下圖（圖1）所示。除了上述主要結構之外，還必須考慮電路中電力電子器件的保護，以及控制電路與主電路的電器隔離。1.2主電路的設計主電路是整個斬波電路的核心，降壓過程就由此模塊完成。其原理圖如圖2所示。如圖，IGBT在控制信號的作用下開通與關斷。開通時，二極管截止，電流io流過大電感L，電源給電感充電，同時為負載供電。而IGBT截止時，電感L開始放電為負載供電，二極管VD導通，形成回路。IGBT以這種方式不斷重復開通和關斷，而電感L足夠大，使得負載電流連續，而電壓斷續。從總體上看，輸出電壓的平均值減小了。輸出電壓與輸入電壓之比a由控制信號的占空比來決定。這也就是降壓斬波電路的工作原理。降壓斬波的典型波形如下圖所示。
上傳時間： 2022-06-20
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1，使用wireshark獲取完整的UDP報文打開wireshark，設置監聽網卡后，使用google chrome瀏覽器訪問我騰訊微博的i http://p.t.qq.com/welcomeback.php？lv=1#！/ist/qqfriends/5/？pgv_ref-im.perinfo.pe rinfo.icon？ptlang-2052&pgv-ref-im.perinfo.perinfo.icon，抓得的UDP報文如圖1所示。分析以上的報文內容，UDP作為一種面向無連接服務的運輸協議，其報文格式相當簡單。第一行中，Source port：64318是源端口號。第二行中，Destination port：53是目的端口號。第三行中，Length：34表示UDP報文段的長度為34字節。第四行中，Checksum之后的數表示檢驗和。這里0x表示計算機中16進制數的開始符，其后的4f0e表示16進制表示的檢驗和，把它們換成二進制表示為：0100 1111 0000 1110.從wireshark的抓包數據看出，我抓到的UDP協議多數被應用層的DNS協議應用。當一臺主機中的DNS應用程序想要進行一次查詢時，它構成了一個DNS查詢報文并將其交給UDP，UDP無須執行任何實體握手過程，主機端的UDP為此報文添加首部字段，并將其發出。
上傳時間： 2022-06-20
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說明：原文（英語）來自Freescale Semiconductor，Inc.的應用文檔，作者，T.C.Lun，Applications Engineering，Microcontroller Division，Hong Kong.文檔分為下列幾個部分：PART 1 觀EMC PART 2器件的選擇及電路的設計PART 3印刷電路板layout技術附錄A EMC術語表附錄B 抗干擾測量標準第一部分 EMI和EMC縱覽：在現代電子設計中EMI是一個主要的問題。為抗干擾，設計者嬰么除掉干擾源，要么保護受影響的電路，最終的目的都是為了達到電磁兼容的目的僅僅達到電磁兼容也許還不夠。雖然電路工作在板級，但它有可能對系統的共他部件輻射噪音、干擾，從而引起系統級的問題。此外，系統毅或者設備級的EMC不得不滿足某些輻射標準，以便不影響其他設備。許多發達國家在電子產品上有非常嚴格的EMC標準。為了達到這些要求，設計者必須考慮從板極開始的EMI抑制。一個簡單的EMI模型包含三個元素，如圖1所示：1.EMI源2.耦合路徑3.感應體
上傳時間： 2022-06-20
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在光伏發電系統中，光伏電池的利用率除了與光伏電池的內部特性有關外，還受使用環境如輻照度、負載和溫度等因素的影響。在不同的外界條件下，光伏電池可運行在不同且惟一的最大功率點（Maximum Power Point，MPP）上，因此，對于光伏發電系統來說，應該尋求光伏電池的最優工作狀態，以最大限度地將光能轉化為電能，即需要采用最大功率點跟蹤（Maximum Power Point Tracking，MPPT）技術.本文根據光伏電池最大輸出功率與光照度的關系，建立了基于Boost電路的MPPT仿真模型，采用擾動觀測法，通過調整DC-DC電路的占空比實現了最大功率點追蹤。使用Matlab/Simulink 工具，在輻照度恒定和階躍變化的情況下，對MPPT進行了仿真分析。1光伏電池的特性光伏電池實際上就是一個大面積平面二極管，其工作可以圖1的單二極管等效電路來描述1，光伏電池的特性方程如式（1）所示。
上傳時間： 2022-06-21
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1、弧焊逆變器的基本結構1.1弧焊逆變器的基本原理采用逆變技術的裝置稱為逆變器，而用于電弧焊的逆變器則稱為弧焊逆變器。弧焊逆變器的基本原理方框圖如圖1-1所示。由圖可見，三相50Hz的交流網路電壓先經輸入整流器整流和濾波，經過大功率開關電子元件的交替開關作用，變成幾百赫茲到幾十千赫茲的高頻電壓，經高頻變壓器降至適合焊按的電壓，再用輸出整流器整流并經電抗器濾波，則可將中頻交流變為直流輸出。在弧焊逆變器中可采用如下兩種模式："AC-DC-AC"或"AC-DC-AC-DC"，根據不同弧爐工藝的需要，通過電子控制電路和電弧電壓、電流反饋，弧焊逆變器即可獲得各種不同的輸出特性。1，2逆變技術和微機技術在弧焊電源中的應用逆變電源運用先進的功率電了器件和高頻逆變技術，比傳統的工頻整流電源的材料減少80%～90%，節能20%~30%，動態反應速度提高2-3個數量級。這種“明天的電源”正在以極高的速度變成今天的電源，并且隨著功率開關元器件、微電子技術和控制技術的發展，不斷研究開發出新的技術成果和新產品，使得逆變電源向著高頻化、輕量化、模塊化、智能化和大容量化方向發展。
上傳時間： 2022-06-21
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USB Power Delivery 快速充電通信原理本篇文章講的快速充電是指USB 論壇所發布的USB Power Delivery 快速充電規范(通過VBUS 直流電平上耦合FSK 信號來請求充電器調整輸出電壓和電流的過程)，不同于本人發布的另一篇文章所講的高通Quick Charger 2.0 規范，因為高通QC2.0是利用D+ 和D- 上的不同的直流電壓來請求充電器動態調整輸出電壓和電流實現快速充電的過程。USB PD 的通信是將協議層的消息調制成24MHZ 的FSK 信號并耦合到VBUS上或者從VBUS 上獲得FSK 信號來實現手機和充電器通信的過程。如圖所示， 在USB PD 通信中， 是將24MHz 的FSK 通過cAC-Coupling 耦合電容耦合到VBUS 上的直流電平上的， 而為了使24MHz 的FSK 不對Power Supply或者USB Host 的VBUS 直流電壓產生影響，在回路中同時添加了zIsolation 電感組成的低通濾波器過濾掉FSK 信號。
標簽： USB-PD協議
上傳時間： 2022-06-21
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IGBT模塊的一些基本知識2·怎樣讀數據手冊3.IGBT的驅動電路4，電壓尖峰吸收回路5·短路6，IGBT模塊的可靠性和實效分析7，仿真軟件Melcosim的使用方法8.一些注意事項正的門極電壓推薦15V（±10%）如右圖所示Vog越高Vceat和Eon越小，損耗減小。但是16.5V以上的話短路耐量很小。所以正的門極電壓為+15v±10%最合適。負的門極電壓推薦5~10V右圖表示開關損失與-Vcg的關系。-Voa=5V時Eoff不再變化，所以最小值設定為-Vo-5合適。另外，IGBT門極上會有尖峰電壓重疊，為了防止不出現過大的負電壓-Vgの的電壓為5~10V最合適。（在一些場合無負壓也是可以的）1類短路>橋臂直通>短路回路中電感較小，電流的上升速度極快>容易通過檢測Vce（sat）實現保護II類短路>相間短路或對地短路短路回路ф電感稍大，電流的上升速度較慢>可以使用vce（sat），也可以使用霍爾來實現保護>這類短路，回路ф的電感是不確定的
標簽： igbt模塊
上傳時間： 2022-06-21
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廣東工業大學碩士學位論文 (工學碩士) 基于FPGA的PCIE數據采集卡設計數據采集處理技術與傳感器技術、信號處理技術和PC機技術共同構成檢測 技術的基礎，其中數據采集處理技術作為實現自動化檢測的前提，在整個數字化 系統中處于尤為重要的地位。對于核磁共振這樣復雜的系統設備，實現自動化測 試顯得尤為必要，又因為核磁共振成像系統的特殊性，對數據的采集有特殊要求， 需要根據各種脈沖序列的不同要求設置采樣點數和采樣間隔，根據待采信號的不 同帶寬來設置采樣率，將系統成像的數據采集下來進行處理，最后重建圖像和顯 示。因此本文基于現有的采集技術開發專門應用于核磁共振成像的數據采集卡。 該采集卡從軟件與硬件兩個方面對基于FPGA的PCIE數據采集卡進行了研 究，并完成了實物設計。軟件方面以FPGA為核心芯片完成數據采集卡的接口控 制以及數據處理。通過Altera的GXB IP核對數據進行捕捉，同時根據實際需要 設計了傳輸協議，由數據處理模塊將捕捉到的數據通過CIC濾波器進行抽取濾 波，然后將信號存入DDR2 SDRAM存儲芯片中。在傳輸接口設計上采用PCIE 總線接口的數據傳輸模式，并利用FPGA的IP核資源完成接口的邏輯控制。 硬件部分分為FPGA外圍配置電路、DDR2接口電路、PCIE接口電路等模 塊。該采集卡硬件系統由Flash對FPGA進行初始化，通過FPGA配置PCIE總 線，根據FPGA中PCIE通道引腳的要求進行布局布線。DDR2接口電路模塊依 據DDR2芯片驅動和接收端的電平標準、端接方式確定DDR2與FPGA之間通 信的各信號走線。針對各個模塊接口電路的特點分別進行眼圖測試，分析了板卡 的通信質量，對整個原理圖布局進行了設計優化。 通過測試，該數據采集卡實現了通過CPLD對FPGA進行加載，并在FPGA 內部實現了抽取濾波等高速數字信號處理，各種接IsI和控制邏輯以及通過大容量 的DDR2 SDRAM緩存各種數據處理結果正確。經系統成像，該采集卡采集下來 的數字信息可通過圖像重建準確成像，為核磁共振成像系統的工程實現打下了良 好的成像基礎。
上傳時間： 2022-06-21
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一、IGBT 驅動1 驅動電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。典型的驅動電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅動電路示意圖Q1，Q2 為驅動功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅動電路時，需考慮幾個因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關斷時，最好加一個負偏電壓，且負偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負偏電壓最好在-5V~-10V 之內；開通時，驅動電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時通態壓降也比較低，同時又能有效地限制短路電流值和因此產生的應力。若驅動電壓低于12V ，則IGBT 通態損耗較大， IGBT 處于欠壓驅動狀態；若 VGE >20V ，則難以實現電流的過流、短路保護，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅動功率的計算由于IGBT 是電壓驅動型器件，需要的驅動功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅動功率問題。但對于大功率IGBT ，或要求并聯運行的IGBT 則需要考慮驅動功率。IGBT 柵極驅動功率受到驅動電壓即開通VGE( ON )和關斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關 f 的影響。柵極驅動電源的平均功率 PAV 計算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來，冷床傳輸鏈運行較為穩定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現象，具體故障情況統計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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