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Dram

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DynamicRandomAccessMemory,Dram)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于Dram來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
  • 基于 MAXII 的CPLD 對(duì)mobil Dram 的讀寫(xiě)操作

    基于 MAXII 的CPLD 對(duì)mobil Dram 的讀寫(xiě)操作,內(nèi)帶源碼和測(cè)試激勵(lì)文件

    標(biāo)簽: MAXII mobil CPLD Dram

    上傳時(shí)間: 2013-08-22

    上傳用戶:luopoguixiong

  • Dram內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)

    第二部分:Dram 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDram 而言(包括SDR 和DDR)?,F(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時(shí)也被稱為SDram II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加,只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    標(biāo)簽: Dram 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2014-01-13

    上傳用戶:euroford

  • Dram內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)

    第二部分:Dram 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDram 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時(shí)也被稱為SDram II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加,只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    標(biāo)簽: Dram 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:宋桃子

  • 免費(fèi)的AHDL模塊庫(kù),包括IIC控制器,Dram控制器,UART等28個(gè)模塊,AHDL源代碼

    免費(fèi)的AHDL模塊庫(kù),包括IIC控制器,Dram控制器,UART等28個(gè)模塊,AHDL源代碼

    標(biāo)簽: AHDL Dram UART IIC

    上傳時(shí)間: 2013-12-30

    上傳用戶:thesk123

  • use dsp5402 Dram to let green led flashing in order to test dsp

    use dsp5402 Dram to let green led flashing in order to test dsp

    標(biāo)簽: dsp flashing green order

    上傳時(shí)間: 2015-04-16

    上傳用戶:zhangyi99104144

  • 2410 nand boot load!(4K Dram) 0地址開(kāi)始運(yùn)行

    2410 nand boot load!(4K Dram) 0地址開(kāi)始運(yùn)行,沒(méi)有象VIVI拷貝自身到 高端內(nèi)存運(yùn)行,可以用它加載UBOOT。 也可以改寫(xiě)它用來(lái)引導(dǎo)自己的系統(tǒng)

    標(biāo)簽: 2410 nand boot Dram

    上傳時(shí)間: 2014-01-12

    上傳用戶:xuanjie

  • 三星公司SDram(K4S643232H-TC/L60 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous Dram) 器件操作時(shí)序

    三星公司SDram(K4S643232H-TC/L60 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous Dram) 器件操作時(shí)序,本中文的頁(yè)碼和原英文對(duì)應(yīng)的頁(yè)碼內(nèi)容相對(duì)應(yīng)

    標(biāo)簽: Synchronous 643232 SDram Banks

    上傳時(shí)間: 2015-05-26

    上傳用戶:lingzhichao

  • 本程式為使用Verilog語(yǔ)言寫(xiě)控制Dram的控制模塊, 可以簡(jiǎn)易的控制Dram IC, 本程式已經(jīng)過(guò)系統(tǒng)驗(yàn)證.

    本程式為使用Verilog語(yǔ)言寫(xiě)控制Dram的控制模塊, 可以簡(jiǎn)易的控制Dram IC, 本程式已經(jīng)過(guò)系統(tǒng)驗(yàn)證.

    標(biāo)簽: Dram Verilog 控制 程式

    上傳時(shí)間: 2014-01-14

    上傳用戶:tzl1975

  • vhdl SOPC solution sram Dram uart

    vhdl SOPC solution sram Dram uart

    標(biāo)簽: solution vhdl SOPC Dram

    上傳時(shí)間: 2014-01-05

    上傳用戶:qq521

  • vhdl SOPC solution sram Dram uart -2

    vhdl SOPC solution sram Dram uart -2

    標(biāo)簽: solution vhdl SOPC Dram

    上傳時(shí)間: 2014-09-11

    上傳用戶:youth25

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