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HYNIX

  • HYNIX公司8M byte sdr sdram的verilog語言仿真實現。

    HYNIX公司8M byte sdr sdram的verilog語言仿真實現。

    標簽: verilog HYNIX sdram byte

    上傳時間: 2014-12-04

    上傳用戶:h886166

  • HYNIX 2Gb 詳細的數據手冊 HY27UF(08/16)2G2A Series 2Gbit (256Mx8bit/128Mx16bit) NAND Flash

    HYNIX 2Gb 詳細的數據手冊 HY27UF(08/16)2G2A Series 2Gbit (256Mx8bit/128Mx16bit) NAND Flash

    標簽: bit Series HYNIX 2Gbit

    上傳時間: 2016-08-31

    上傳用戶:love_stanford

  • HYNIX nand flash datasheet

    HYNIX nand flash datasheet

    標簽: datasheet HYNIX flash nand

    上傳時間: 2017-03-21

    上傳用戶:hzy5825468

  • 對應HYNIX nand 的JSC規格書

    我們代理的JeJu Semicon是韓國濟州半導體的nand flash是使用HYNIX 32nm晶元,封測在HYNIX 封測廠WINPAC進行,廠商號是HYNIX的廠商號,就絲印改成JSC型號絲印。因此與HYNIX nand flash只是型號不一樣,硬件軟件上都是一樣的,直接更換貼片即。目前在網絡攝像機,可視樓宇產品,考勤機,人臉識別等產品大量出貨。 JSC品牌1G:JS27HU1G08SCN-25 對應的HYNIX 1G 型號 H27U1G8F2CTR-BCJSC品牌2G:JS27HU2G08SCN-25 對應的HYNIX 2G 型號 H27U2G8F2DTR-BCJSC品牌4G:JS27HU4G08SDN-25 對應的HYNIX 4G 型號 H27U4G8F2ETR-BC

    標簽: HYNIX JSC NAND FLASH 規格書

    上傳時間: 2022-05-25

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  • 基于FPGA的圖像處理平臺及3D加速引擎的設計.rar

    3D加速引擎是3D圖形加速系統的重要組成部分,以往在軟件平臺上對3D引擎的研究,實現了復雜的渲染模型和渲染算法,但這些復雜算法與模型在FPGA上綜合實現具有一定難度,針對FPGA的3D加速引擎設計及其平臺實現需要進一步研究。 本文在研究3D加速引擎結構的基礎上,實現了基于FPGA的圖像處理平臺,使用模塊化的思想,利用IP核技術分析設計實現了3D加速管道及其他模塊,并進行了仿真、驗證、實現。 圖像處理平臺選用Virtex-Ⅳ FPGA為核心器件,并搭載了HYNIX HY5DU573222F-25、AT91FR40162S、XCF32P VO48及其他組件。 為滿足3D加速引擎的實現與驗證,設計搭建的圖像處理平臺還實現了DDR-SDRAM控制器模塊、VGA輸出模塊、總線控制器模塊、命令解釋模塊、指令寄存器模塊及控制寄存器模塊。 3D加速引擎設計包含3D加速渲染管道、視角變換管道、基元讀取、頂點FIFO、基元FIFO、寫內存等模塊。針對FPGA的特性,簡化、設計、實現了光照管道、紋理管道、著色管道和Alpha融合管道。 最后使用Modelsim進行了仿真測試和圖像處理平臺上的驗證,其結果表明3D加速引擎設計的大部分功能得到實現,結果令人滿意。

    標簽: FPGA 3D加速 圖像

    上傳時間: 2013-07-30

    上傳用戶:lepoke

  • LDO穩壓器中動態頻率補償和限流保護的研究

    文章針對LDO穩定性的問題,提出了一種內部動態頻率補償電路,使LDO線性穩壓器的穩定性不 受負載電容的等效串聯電阻的影響,其單位增益帶寬也不隨負載電流變化而改變,大大提高了瞬態響應特性; 采用HYNIX 0.5 1TI CMOS工藝模型對電路進行仿真;此外,該電路在實現動態頻率補償的基礎上又加人了 系統的過流保護功能,當負載電流大于限制電流時,LDO不能正常工作;當負載電流小于限制電流時,又自動 恢復到正常工作狀態

    標簽: LDO 穩壓器 動態 頻率補償

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:黑漆漆

  • pk51下載 (8051單片機開發工具)

    PK51是為8051系列單片機所設計的開發工具,支持所有8051系列衍生產品,,支持帶擴展存儲器和擴展指令集(例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters)的新設備,以及支持很多公司的一流的設備和IP內核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, HYNIX, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。通過PK51專業級開發工具,可以輕松地了解8051的On-chip peripherals與及其它關鍵特性。    

    標簽: 8051 pk 51

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:1109003457

  • C51 V8 專業開發工具

    Keil C51 V8 專業開發工具(PK51)   PK51是為8051系列單片機所設計的開發工具,支持所有8051系列衍生產品,,支持帶擴展存儲器和擴展指令集(例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters)的新設備,以及支持很多公司的一流的設備和IP內核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, HYNIX, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。 通過PK51專業級開發工具,可以輕松地了解8051的On-chip peripherals與及其它關鍵特性。 The PK51專業級開發工具包括… l          μVision Ø         集成開發環境 Ø          調試器 Ø         軟件模擬器   l          Keil 8051擴展編譯工具 Ø         AX51宏匯編程序 Ø         ANSI C編譯工具 Ø         LX51 連接器 Ø         OHX51 Object-HEX 轉換器 l          Keil 8051編譯工具 Ø         A51宏匯編程序 Ø         C51 ANSI C編譯工具 Ø         BL51 代碼庫連接器 Ø         OHX51 Object-HEX 轉換器 Ø         OC51 集合目標轉換器   l          目標調試器 Ø         FlashMON51 目標監控器 Ø         MON51目標監控器 Ø         MON390 (Dallas 390)目標監控器 Ø         MONADI (Analog Devices 812)目標監控器 Ø         ISD51 在系統調試   l          RTX51微實時內核   你應該考慮PK51開發工具包,如果你… l          需要用8051系列單片機來開發 l          需要開發 Dallas 390 或者 Philips 51MX代碼 l          需要用C編寫代碼 l          需要一個軟件模擬器或是沒有硬件仿真器 l          需要在單芯片上基于小實時內核創建復雜的應用

    標簽: C51 V8 開發工具

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:yy_cn

  • eMMC詳細介紹

    一. eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格,主要是針對手機產品為主。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器, 它提供標準接口并管理閃存, 使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分,并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說,具有同樣的重要性。二. eMMC的優點eMMC目前是最當紅的移動設備本地存儲解決方案,目的在于簡化手機存儲器的設計,由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(HYNIX) 、美光(Micron) 等,入時,都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計,過去并沒有哪個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術改朝換代,包括70 納米演進至50 納米,再演進至40 納米或30 納米制程技術,手機客戶也都要重新設計, 但半導體產品每1 年制程技術都會推陳出新, 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度,因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念,逐漸風行起來。eMMC的設計概念,就是為了簡化手機內存儲器的使用,將NAND Flash 芯片和控制芯片設計成1 顆MCP芯片,手機客戶只需要采購eMMC芯片,放進新手機中,不需處理其它繁復的NAND Flash 兼容性和管理問題,最大優點是縮短新產品的上市周期和研發成本,加速產品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術變化很快,特別是TLC 技術和制程下降到20nm階段后,對Flash 的管理是個巨大挑戰,使用eMMC產品,主芯片廠商和客戶就無需關注Flash 內部的制成和產品變化,只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產品開發的難度和加快產品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理, ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區塊技術 (Wear Leveling) 、區塊管理( Command Managemen)t,低功耗管理等。eMMC核心優點在于生產廠商可節省許多管理NAND Flash 芯片的時間,不必關心NAND Flash 芯片的制程技術演變和產品更新換代,也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片,如此, eMMC可以加速產品上市的時間,保證產品的穩定性和一致性。

    標簽: emmc

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:jiabin

  • 監控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

    CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后,以電荷的方式存貯并以電荷轉移的方式順序輸出,需要專用的工藝制程實現;CIS圖像感光單元為光電二極管,可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現,除此之外還可將圖像處理電路集成,實現更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷,只有少數幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術。CIS是90年代興起的新技術,掌握該技術的公司較多,美國有OmniVision,Aptina;歐洲有ST;韓國的三星,SiliconFile,HYNIX等;日本的SONY,東芝等;中國臺灣的晶像;大陸地區的比亞迪,格科微等公司。由于CCD技術出現早,相對成熟,前期占據了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比,僅功耗與成本優勢明顯,因此多用于手機,PCCamera等便攜產品。隨著CIS技術的不斷進步,性能不斷提升;而CCD技術提升空間有限,進步緩慢。目前CIS不僅占據幾乎全部的便攜設備市場,部分高端DSC(DigitalStil Camera)市場,更是向CCD傳統優勢市場——監控市場發起沖擊。下面就監控專用CIS與傳統CCD進行綜合對比。

    標簽: cmos ccd 圖像傳感器

    上傳時間: 2022-06-23

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