CH341A做的燒錄器，用來讀寫RTD2120 RTD2122 RTD2660 RTD2270 24 25 WT6702等IC的軟件
標(biāo)簽： 2120 341A 6702 341 RTD CH 24 25 WT 燒寫
上傳時間： 2017-06-11
上傳用戶：xtoqm
松翰單片機使用資料可以詳細(xì)的了解這個IC的編程
上傳時間： 2017-12-05
上傳用戶：bob20000@126.com
DC-DC芯片手冊，詳細(xì)介紹這個IC的功能，和使用，包含原理圖。
標(biāo)簽： datasheet 1003 SD 規(guī)格書 DC-DC
上傳時間： 2018-05-30
上傳用戶：htchack
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
很不錯的觸控IC的規(guī)格書，支出10.1寸
上傳時間： 2021-09-07
上傳用戶：15735928642
PFC 控制器L6563及其應(yīng)用電路 摘要: L6563是ST公司推出的一種過渡模式(TM) 電流型PFC控制器。文章在介紹了L6563基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上, 重點介紹了其改進的性能和附加功能, 并給出了該控制IC的實際應(yīng)用電路。
上傳時間： 2021-12-11
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2011年，Realtek(瑞昱)開發(fā)出了業(yè)界公認(rèn)的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規(guī)范化的設(shè)計(USB IF認(rèn)證，BC1.2和支持蘋果設(shè)備快充)，贏得了行內(nèi)一致認(rèn)可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優(yōu)勢基礎(chǔ)上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優(yōu)化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創(chuàng)唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設(shè)置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設(shè)計要求。 而現(xiàn)在，RTS5411-GR內(nèi)置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內(nèi)部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內(nèi)置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設(shè)計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節(jié)省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產(chǎn)品更具價格優(yōu)勢！
上傳時間： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)開發(fā)出了業(yè)界公認(rèn)的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規(guī)范化的設(shè)計(USB IF認(rèn)證，BC1.2和支持蘋果設(shè)備快充)，贏得了行內(nèi)一致認(rèn)可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優(yōu)勢基礎(chǔ)上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優(yōu)化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創(chuàng)唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設(shè)置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設(shè)計要求。 而現(xiàn)在，RTS5411-GR內(nèi)置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內(nèi)部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內(nèi)置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設(shè)計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節(jié)省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產(chǎn)品更具價格優(yōu)勢！
上傳時間： 2022-06-22
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高清晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析也已上傳：http://dl.21ic.com/download/ic-330937.html 近年來電子電路的設(shè)計進入了以IC/LSl（集成電路/大規(guī)模集成電路）為中心的階段。小小的管殼內(nèi)凝縮了各種功能的IC/I.Sl給人們帶來了極大的方便，可以說沒有它就沒有現(xiàn)代的電子電路。現(xiàn)在是IC的全盛時代。IC/LSI今后還將進一步集成周邊部件及功能，使之規(guī)模更大、功能更強、性能更高。最近有這樣的說法，雖然使用晶體管或FET（場效應(yīng)晶體管）簡單而方便，但是現(xiàn)在的趨勢更傾向于使用IC。也有人感到專用IC的價格昂貴，但是不知道怎樣才能把IC與晶體管、FET巧妙地組合起來獲得性能更高的電路。諸如“用晶體管或（和）FET做成的分立電路最好”之類的說法并沒有過時，只不過對于IC/1SI以及晶體管、FET構(gòu)成的許多放大/開關(guān)器件來說，各自都有有效利用它們優(yōu)點的使用方法。在這樣的背景下，本書通過具體的實驗，抓住晶體管、FET的工作圖像，以達到靈活運用這些器件的目的。已經(jīng)出版的本系列《晶體管電路設(shè)計（上）》一書中進行了以晶體管放大電路為中心的許多實驗。本書是它的續(xù)編，將介紹有關(guān)FET放大電路、開關(guān)電路、模擬開關(guān)、振蕩電路等方面的實驗。本書若能對提高讀者的電子電路的應(yīng)用技能有所幫助，著者將深感榮幸。最后，對在本書的出版、發(fā)行過程中給予支持和幫助的有關(guān)各方面表示感謝。
上傳時間： 2022-06-25
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