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電動汽車、SiC功率管發展趨勢
標簽： 智能電動汽車
上傳時間： 2021-10-26
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基于NE555設計的聲音傳感器模塊ALTIUM硬件原理圖+PCB文件，2層板設計，大小為29x30mm，Altium Designer 設計的工程文件，包括原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你的產品設計的參考。主要器件型號列表如下：Library Component Count : 8Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose AmplifierCap CapacitorComponent_1_1 Header 3H Header, 3-Pin, Right AngleLED3 Typical BLUE SiC LEDMKF 麥克風Res 電阻Res2 Resistor
標簽： ne555 聲音傳感器
上傳時間： 2021-11-17
BTS7960大功率直流電機驅動板ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件,2層板設計，大小為66*76mm, 包括完整的原理圖和PCB工程文件，可以做為你的設計參考。主要器件如下：Library Component Count : 13Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------CPDR 瓷片電容Component_1_1 DG 電感DJDR 電解電容Header 2 Header, 2-PinLED 發光二極管LED3 Typical BLUE SiC LEDLM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorPZ_2 排針——2RES2 Res 電阻TLP521-1WY2JG 穩壓二級管
標簽： bts7960 大功率 直流電機驅動
上傳時間： 2021-11-21
英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度，縮短開發時間，節省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案，可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動，同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。
標簽： 門極驅動
上傳時間： 2022-07-16
此評估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統性能，該電路通常可用于電動汽車的快速DC充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設計，具有開爾文源極連接，可改善開關損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設有一個凹口，以增加蠕變距離，以適應更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時，評估轉換器級效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
標簽： 全橋諧振 LLC轉換器
上傳時間： 2022-07-17
上傳用戶：zhaiyawei
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