采用56F803型DSP作為控制器。目前DSP已非常普遍，采用56F803型DSP作為控制電路的核心處理器．它內(nèi)置2 KB SRAM，31．5 KB FLASH，同時(shí)，其40 MHz的CPU時(shí)鐘頻率比其他單片機(jī)具有更強(qiáng)的處理能力。6路PWM信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)高頻逆變電路開關(guān)管MOSFET的移相控制。12位A／D轉(zhuǎn)換器采集可以實(shí)現(xiàn)電壓和電流采樣并滿足采樣數(shù)據(jù)精度的要求。利用56F803型DSP中定時(shí)器的捕獲功能可以精確計(jì)算相位差大小，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的頻率跟蹤控制。串行外設(shè)接口SPI與MCl4489配合使用可以實(shí)現(xiàn)對5位半數(shù)碼管的控制．從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)頻率和功率的顯示。另外，56F803還支持C語言與匯編語言混合編程的 SDK軟件開發(fā)包．可以實(shí)現(xiàn)在線調(diào)試。
標(biāo)簽： 超聲波 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-07-09
上傳用戶：
摘要：本文介紹了一種基于單片機(jī)的太陽能控制器，系統(tǒng)使用STCl5F2K61S2單片機(jī)作為控制電路的核心器件。此設(shè)計(jì)使用PWM(脈寬調(diào)制)控制技術(shù)和控制MOSFET管開啟和關(guān)閉來控制蓄電池充放電。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該控制器性能可靠，可以監(jiān)視太陽能電池和蓄電池狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)控制蓄電池最優(yōu)充放電，達(dá)到延長蓄電池的使用壽命的目的。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 太陽能 led路燈控制器
上傳時(shí)間： 2022-07-10
上傳用戶：得之我幸78
英飛凌EiceDRIVER門極驅(qū)動(dòng)芯片選型指南2019門極驅(qū)動(dòng)芯片相當(dāng)于控制信號(hào)(數(shù)字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅(qū)動(dòng)解決方案有助于您降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短開發(fā)時(shí)間，節(jié)省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實(shí)現(xiàn)的門極驅(qū)動(dòng)解決方案，可提高方案的可靠度。每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)門極驅(qū)動(dòng)，同時(shí)每一個(gè)門極驅(qū)動(dòng)都需要一個(gè)功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結(jié)構(gòu)類型、電壓等級(jí)、隔離級(jí)別、保護(hù)功能和封裝選項(xiàng)的驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品。這些靈活的門極驅(qū)動(dòng)芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。
標(biāo)簽： 門極驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2022-07-16
此評(píng)估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統(tǒng)性能，該電路通常可用于電動(dòng)汽車的快速DC充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，具有開爾文源極連接，可改善開關(guān)損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設(shè)有一個(gè)凹口，以增加蠕變距離，以適應(yīng)更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時(shí)，評(píng)估轉(zhuǎn)換器級(jí)效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
標(biāo)簽： 全橋諧振 LLC轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2022-07-17
上傳用戶：zhaiyawei
電子水泵參考系統(tǒng)（EWP）內(nèi)置用于無傳感器BLDC的電機(jī)控制邏輯；內(nèi)置用于驅(qū)動(dòng)MOSFET的預(yù)驅(qū)。內(nèi)置電機(jī)控制邏輯和預(yù)驅(qū)無傳感器BLDC單片解決方案內(nèi)置多重保護(hù)：過流、過溫、高壓、低壓、堵轉(zhuǎn)特性應(yīng)用領(lǐng)域● 內(nèi)置用于無傳感器BLDC 的電機(jī)控制邏輯● 采用銅連接的低內(nèi)阻的 MOSFET● 采用車載級(jí)主控MCU● PWM控制輸入● 預(yù)留狀態(tài)輸出端口● 水泵、油泵、風(fēng)機(jī)電子水泵參考系統(tǒng)（EWP）TB9061AFNG內(nèi)置用于無傳感器BLDC的電機(jī)控制邏輯；內(nèi)置用于驅(qū)動(dòng)MOSFET的預(yù)驅(qū)。
標(biāo)簽： 電子水泵 ewp
上傳時(shí)間： 2022-07-22
AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。AP8003內(nèi)置500V高壓啟動(dòng)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動(dòng)、超低待機(jī)功能。該芯片提供了完整的智能化保護(hù)功能，包括過載保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)。另外AP8003具有優(yōu)異的EMI特性。
標(biāo)簽： 非隔離轉(zhuǎn)換芯片 交直流轉(zhuǎn)換芯片
上傳時(shí)間： 2022-07-23
上傳用戶：trh505
DRV832X系列設(shè)備是集成門三相應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)程序。設(shè)備提供三個(gè)半橋門驅(qū)動(dòng)程序，每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV832X生成正確的門驅(qū)動(dòng)電壓使用集成電荷泵高壓側(cè)場效應(yīng)晶體管和線性調(diào)節(jié)器低側(cè)場效應(yīng)晶體管。智能門驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持多達(dá)1-A源和2-A匯峰門驅(qū)動(dòng)電流能力。DRV832X可以操作單電源供電，支持寬輸入門驅(qū)動(dòng)器的電源范圍為6至60-V，4至60-V用于可選降壓調(diào)節(jié)器。
標(biāo)簽： drv8320
上傳時(shí)間： 2022-07-26
鑒于超磁致伸縮材料作換能器的大功率超聲波發(fā)生器需正弦激勵(lì)方可達(dá)到最高效率，高頻大功率超聲正弦電源已構(gòu)成超聲波應(yīng)用瓶頸。就國內(nèi)而言，大功率正弦波電源局限于400Hz以下低頻，高頻逆變電源也僅為方波，無法滿足超聲波發(fā)生器的正弦激勵(lì)需求。本課題針對電源逆變開關(guān)管工作頻率高、開關(guān)損耗大、輸出功率大等特點(diǎn)，從基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和工作原理入手，基于SPWM逆變技術(shù)，對硬件構(gòu)成、控制方案、參數(shù)選擇及軟件實(shí)現(xiàn)等問題進(jìn)行了分析和論證；運(yùn)用了HPWM控制方式與ZVS諧振軟開關(guān)技術(shù)；采用了MOSFET并聯(lián)運(yùn)行方式，解決了工作頻率高與輸出功率大的矛盾；采用80C196MC作主控芯片以軟體生成SPWM波；以性能優(yōu)異的LM5111芯片作驅(qū)動(dòng)。實(shí)驗(yàn)表明，本課題提出的高頻大功率正弦波電源性能優(yōu)良、應(yīng)用前景看好。
標(biāo)簽： 大功率 正弦超聲波 電源
ST MOS管選型表內(nèi)含產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格目錄、PN構(gòu)成表、封裝清單和ST公司聯(lián)系購買二維碼
標(biāo)簽： MOSFET
上傳時(shí)間： 2022-07-28
該變換器由開關(guān)電橋(半橋MOSFET)、LLC諧振電路、全橋整流器和輸出濾波器(Co)組成。諧振電路由變壓器的一次漏感(Llkp)、二次漏感(Llks)、磁化電感(Lm)和電容Cr組成
標(biāo)簽： llc 諧振變換器 仿真
上傳用戶：aben
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
