在UPS中使用的功率器件有雙極型功率品體管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率品體管的導通電壓低，通態電流大的優點、使用 IGBT成為UPS功率設計的首選，只有對 IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮 IGBT的優點。本文介紹UPS中的IGBT的應用情況和使用中的注意事項。2.IGBT在UPS中的應用情況絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種MOSFET 與雙極晶體管復合的器件。據東芝公司資料，1200V/100A 的IGBT的導通電阻是同一耐壓規格的功率 MOSFET 的1/10，而開關時間是同規格 GTR的1/10。由于這些優點，IGBT廣泛應用于不間斷電源系統（UPS）的設計中。這種使用 IGBT的在線式UPS具有效率高，抗沖擊能力強、可靠性高的顯著優點。UPS主要有后備式、在線互動式和在線式三種結構。在線式 UPS以其可靠性高，輸出電壓穩定，無中斷時間等顯著優點，廣泛用于通信系統、稅務、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機關的機房中。本文以在線式為介紹對象，UPS中的1GBT的應用。
上傳時間： 2022-06-22
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET高輸入阻抗和GT的低導通壓降兩方面的優點。IGB綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。成為功率半導體器件發展的主流，廣泛應用于風電、光伏、電動汽車、智能電網等行業中。在電動汽車行業中，電機控制器、輔助動力系統，電動空調中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應用于電機控制器中，由于電動汽車電機控制器工作環境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實際開關中存在的米勒效應等寄生參數的直接影響到驅動電路的可靠性1電機控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實行比較完善的保護。過流會引起電機控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進行檢測，并由相應的電路來實現保護；過壓一般發生在IGBT關斷時，較大的di/dt會在寄生電感上產生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當降低開關速率。短路故障發生后瞬時就會產生極大的電流，很快就會損壞1GBT，主控制板的過流保護根本來不及，必須由硬件電路控制驅動電路瞬間加以保護。因此驅動器的設計過程中，保護功能設計得是否完善，對系統的安全運行尤其重要。
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：XuVshu
IGBT是MOSFET和GTR的復合器件，它具有開關速度快、熱穩定性好、驅動功率小和驅動電路簡單的特點，又具有通態壓降小、耐壓高和承受電流大等優點.IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場合，已經被廣泛的應用于各個領域。本文在介紹了1GBT結構、工作特性的基礎上，針對風電變流器實驗平臺和岸電電源的實際應用，選擇了各自的IGBT模塊。然后對IGBT的驅動電路進行了深入地研究，詳細地說明了IGBT對柵極驅動的一些特殊要求及應該滿足的條件。接著對三種典型的驅動模塊進行了分析，同時分別針對風電變流器實驗平臺和岸電電源，設計了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驅動模塊的外圍驅動電路。對于大功率的設備，電路中經常會遇到過流、過壓、過溫的問題，因此必要的保護措施是必不可少的。針對上述問題，本文分析了出現各種狀況的原因，并給出了各自的解決方案：采用分散式和集中式過流保護相結合的方法實現過電流保護；采用緩存吸收電路及采樣檢測電路以防止過電壓的出現；通過選擇正確的散熱器及利用鉑電阻的特性來實施檢測溫度，從而使電路能夠更好地可靠運行。同時，為了滿足今后1.5MW風電變流器和試驗電源等更大功率設備的需求，在性價比上更傾向于采用IGBT模塊串、并聯的方式來取代高耐壓、大電流的單管1GBT.本文就同一橋臂的IGBT串聯不均壓，并聯不均流的問題進行了闡述，并給出了相應的解決方案。最后針對上述的不平衡情形，采用PSpice對其進行仿真模擬，并通過加入均壓、均流電路后的仿真結果，有效地說明了電路的可行性。
上傳時間： 2022-06-22
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怎樣判斷IGBT MOS管的好壞？怎么檢測它的引腳？IGBT1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ 擋，用萬用表測量時， 若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大， 則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬用表測量， 若測得阻值為無窮大， 調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C）；黑表筆接的為發射極（E）。2、判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ 擋，用黑表筆接IGBT 的集電極（C），紅表筆接IGBT 的發射極（ E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G）和集電極（C），這時IGBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（ G）和發射極（ E），這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT 是好的。3、注意事項任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ 擋，因R×1KΩ 擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（ P-MOSFET ）的好壞?，F在經常要檢測MOS 管了，轉幾篇MOS 管的檢測方法，以備隨時觀摩！用萬用表檢測MOS 開關管好壞的方法一、MOS 開關管針腳判斷：在電腦上， MOS 管都是N 溝道增強型的MOSFET 開關管， 大部分都采用TO－220F 封裝，其針腳判斷方法是：將針腳向下，印有型號的面向自己，左邊的是柵極，中間是漏極，右邊是源極。
上傳時間： 2022-06-22
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進年來，脈沖功率裝置的使用愈來愈廣泛。由于高功率脈沖電變換器源能夠為脈沖功率裝置的負載提供能量，是構成脈沖功率裝置的主體。本文采用LT3751為核心，采用電容、電感儲能、并通過電力電子器件配合脈沖變壓器設計了反激式功率變換器電路，并通過基于LTspice進行電路瞬態分析，以得到最佳的電路模型。LTspice IV是一款高性能Spice Il仿真器、電路圖捕獲和波形觀測器，并為簡化開關穩壓器的仿真提供了改進和模型。凌力爾特（LINEAR）對Spice所做的改進使得開關穩壓器的仿真速度極快，較之標準的Spice仿真器有了大幅度的提高，并且LTspice IV帶有80%的凌力爾特開關穩壓器的Spice和Macro Model（宏模型），200多種運算放大器模型以及電阻器、晶體管和MOSFET模型，使得我們在進行電路設計仿真，特別是開關電路的設計與仿真時更加輕松。
上傳時間： 2022-06-22
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2009年上半年統計中，計算機類、消費類、網絡通信類三大領域仍然占中國電源管理芯片市場近80%的市場份額，其中網絡通信類市場最大，其市場份額都超過了30%。開關穩壓器和低電壓功率MOSFET將在未來五年內快速增長.ISuppli公司預測最強勁的增長將發生在數據處理領域，預計該領域的復合年增長率將達10%，未來五年將推動電源管理增長的市場將包括筆記本電腦（復合年增長18.7%）液晶顯示器/等離子（PDP）電視（復合年增長19.8%）、汽車安全與控制（復合年增長13.3%）和移動基礎設施設備與家用電器（增長9.5%）對于產品類型的發展，未來電源管理芯片PMU（復合產品）的市場份額將會有所提高，尤其在便攜設備中，PMU的發展將會更加快速.PMU與LDO和DC/DC這些單一功能產品不同，它可能同時集成多個LDO，DCIDC和充電管理等功能，在應用中往往相當于一個ASSP（專用標準產品），雖然不能完全解決某類設備的電源管理需求，但是能夠滿足一些相對通用的電源轉換需求，例如手機應用的PMU可能同時處理手機平臺下的LCD供電、存儲器供電、攝像頭供電、基帶處理器供電、USB接口以及電池充電管理等問題，這樣只需要再加上其它少量電源管理器件就可以解決整個手機的供電問題.LDO和DC/DC產品無疑是應用最大的兩類產品，不過對于多數LDO和中低端DCIDC產品來說，由于進入門檻相對較低以及參與競爭廠商眾多，未來價格還可能進一步下降".
上傳時間： 2022-06-23
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1.1特點·可以驅動12V~36V電機相連，電機額定電流不超過4A。·可以與有位置傳感器和無位置傳感器的無刷電機相連。·對于有位置傳感器的無刷電機，可以根據霍爾傳感器進行換相；對于無位置傳感器的無刷電機，可以根據感應電動勢進行換相。·可以與編碼器相連進行準確位置控制。·可以進行正反轉控制?！を寗与娐泛涂刂齐娐吠耆綦x，避免驅動部分給控制部分帶來干擾?！た梢耘cYXDSP-F28335A，YXDSP-F28335B相連。1.3概述YX-BLDC系統主要包含兩部分，分別為YX-BLDC的硬件系統與相應的測試軟件。YX-BLDC采用驅動芯片+MOSFET的形式，可以將直流母線電壓逆變成交流電壓來達到對直流無刷電機的控制；YX-BLDC可與YX-28335相連，DSP輸出的PWM經過隔離送入驅動芯片，后經MOSFET來達到對電機的變頻調速。相應的測試軟件包括以下幾個部分：·有位置傳感器無刷電機的開環控制·有位置傳感器無刷電機的閉環控制，采用PID控制·無位置傳感器無刷電機的開環控制·若與實驗箱連，與上位機相連的有位置傳感器的無刷電機的閉環PID控制
標簽： blcd
上傳時間： 2022-06-24
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關鍵字：12v開關電源+12V、0.5A單片開關穩壓電源的電路如圖所示。其輸出功率為6w.當輸入交流電壓在 110~260V范圍內變化時，電壓調整率Svs 1%。當負載電流大幅度變化時，負載調整率Si=5%~7%。為簡化電路，這里采用了基本反饋方式。接通電源后，220V交流電首先經過橋式整流和C1濾波，得到約+300V的直流高壓，再通過高頻變壓器的初級線圈 N1，給WS157提供所需的工作電壓。從次級線圈 N2上輸出的脈寬調制功率信號，經 VD7，C4，L和C5進行高頻整流濾波，獲得 +12V，0.5A的穩壓輸出。反饋線圈 N3上的電壓則通過 VD6，R2、C3整流濾波后，將控制電流加至控制端 C上。由VD5，R1，和C2構成的吸收回路，能有效抑制漏極上的反向峰值電壓。該電路的穩壓原理分析如下：當由于某種原因致使Uo4時，反饋線圈電壓及控制端電流也隨之降低，而芯片內部產生的誤差電壓 Urt時，PWM比較器輸出的脈沖占空比 Dt，經過MOSFET和降壓式輸出電路使得 Uot，最終能維持輸出電壓不變。反之亦然。如圖所示12v開關電源電路圖
標簽： 開關電源
上傳時間： 2022-06-26
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<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）兩種nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示襯底（B）和源極（S）相連。mos和mos4能調整的屬性不同，如圖：本例中要設置mos管的W-0.18u，L=0.18u，選用nmos4和pmos4.<h3>布線<h3>如圖1，其中，mos管Gate靠近的那一極好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加電路名稱，功能（如果需要），參數設定。<h2>封裝<h2>電路設計采用層次化的方式，為了上層電路的調用，往往把底層的電路做好后進行封裝，其實進行封裝不僅有利于上層電路調用，還有利于測試。建一個New Symbol，該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type選Block，其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一個文件夾下即可，不需特別關聯。
上傳時間： 2022-06-27
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無刷直流電機廣泛應用于電動摩托車上，它的控制器直接影響電動摩托車的質量和運行效率。但目前市場上控制器的控制芯片大多不具備專業無刷直流電機控制模塊，在外圍電路的設計中需要搭建很多的邏輯門電路來實現控制器MOSFET電橋的邏輯驅動控制，在MOSFET上下橋臂的互鎖功能和死區時間的設置等都靠模擬電路去實現，可靠性及維修性較差，本文利用具有ARM Cortex-M3內核的STM32芯片的高性能和靈活的配置，研制了一種應用于電動摩托車上的低壓大功率低成本的無刷直流電機控制器，很好地解決了這一問題。論文的主要研究內容如下：（1）做了大量調研工作對現有的控制器進行分析比較，從中篩選出最佳的開發方案。（2）建立了無刷直流電機的控制仿真模型，用Proteus軟件對無刷直流電機的驅動方式以及調速原理進行了仿真，通過仿真結果的分析對所設計的實際電路進行了改進。（3）建立了MOSFET的驅動電路的仿真模型，對驅動電路中的電子元件的作用進行了全面的分析，結合芯片內部特征通過仿真軟件LTspice IV對實際驅動電路進行了驗證。（4）建立了STM32開發以及仿真調試環境，完成了全部程序的設計。（5）搭建了一個小型的開發系統，對控制器的硬件和軟件進行了調試，研制出電動摩托車無刷直流電機控制器的樣機。
上傳時間： 2022-06-29
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