The BTS5016SDA is a one channel high-side power switch in PG-TO252-5-11 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by a N-channel vertical power MOSfet with charge pump. The design is based on Smart SIPMOS chip on chip technology. The BTS5016SDA has a current controlled input and offers a diagnostic feedback with load current sense and a defined fault signal in case of overload operation, overtemperature shutdown and/or short circuit shutdown.
上傳時間： 2019-03-27
上傳用戶：guaixiaolong
AEC-Q100 qualified ? 12 V and 24 V battery systems compliance ? 3.3 V and 5 V logic compatible I/O ? 8-channel configurable MOSfet pre-driver – High-side (N-channel and P-channel MOS) – Low-side (N-channel MOS) – H-bridge (up to 2 H-bridge) – Peak & Hold (2 loads) ? Operating battery supply voltage 3.8 V to 36 V ? Operating VDD supply voltage 4.5 V to 5.5 V ? All device pins, except the ground pins, withstand at least 40 V ? Programmable gate charge/discharge currents for improving EMI behavior
標簽： configurable Automotive pre-driver suitable channel systems MOSfet fully High side
上傳時間： 2019-03-27
上傳用戶：guaixiaolong
本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSfet和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSfet 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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基于TMS320F2812 光伏并網發電模擬裝置PROTEL設計原理圖+PCB+軟件源碼+WORD論文文檔,硬件采用2層板設計，PROTEL99SE 設計的工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的學習設計參考。 摘要：本文實現了一個基于TMS320F2812 DSP芯片的光伏并網發電模擬裝置，采用直流穩壓源和滑動變阻器來模擬光伏電池。通過TMS320F2812 DSP芯片ADC模塊實時采樣模擬電網電壓的正弦參考信號、光伏電池輸出電壓、負載電壓電流反饋信號等。經過數據處理后，用PWM模塊產生實時的SPWM 波，控制MOSfet逆變全橋輸出正弦波。本文用PI控制算法實現了輸出信號對給定模擬電網電壓的正弦參考信號的頻率和相位跟蹤，用恒定電壓法實現了光伏電池最大功率點跟蹤（MPPT），從而達到模擬并網的效果。另外本裝置還實現了光伏電池輸出欠壓、負載過流保護功能以及光伏電池輸出欠壓、過流保護自恢復功能、聲光報警功能、孤島效應的檢測、保護與自恢復功能。系統測試結果表明本設計完全滿定設計要求。關鍵詞：光伏并網，MPPT，DSP Photovoltaic Grid-connected generation simulator Zhangyuxin，Tantiancheng，Xiewuyang(College of Electrical Engineering, Chongqing University)Abstract: This paper presents a photovoltaic grid-connected generation simulator which is based on TMS320F2812 DSP, with a DC voltage source and a variable resistor to simulate the characteristic of photovoltaic cells. We use the internal AD converter to real-time sampling the referenced grid voltage signal, outputting voltage of photovoltaic, feedback outputting voltage and current signal. The PWM module generates SVPWM according to the calculation of the real-time sampling data, to control the full MOSfet inverter bridge output sine wave. We realized that the output voltage of the simulator can track the frequency and phase of the referenced grid voltage with PI regulation, and the maximum photovoltaic power tracking with constant voltage regulation, thereby achieved the purpose of grid-connected simulation. Additionally, this device has the over-voltage and over-current protection, audible and visual alarm, islanding detecting and protection, and it can recover automatically. The testing shows that our design is feasible.Keywords: Photovoltaic Grid-connected，MPPT，DSP 目錄引言 11. 方案論證 11.1. 總體介紹 11.2. 光伏電池模擬裝置 11.3. DC-AC逆變橋 11.4. MOSfet驅動電路方案 21.5. 逆變電路的變頻控制方案 22. 理論分析與計算 22.1. SPWM產生 22.1.1. 規則采樣法 22.1.2. SPWM 脈沖的計算公式 32.1.3. SPWM 脈沖計算公式中的參數計算 32.1.4. TMS320F2812 DSP控制器的事件管理單元 42.1.5. 軟件設計方法 62.2. MPPT的控制方法與參數計算 72.3. 同頻、同相的控制方法和參數計算 8
標簽： tms320f2812 光伏 并網發電 模擬 protel pcb
上傳時間： 2021-11-02
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Wide 2.2V to 6V Input Voltage Range ? 0.20V FB adjustable LED drive current ? Directly drive 9 Series 1W LED at VIN>=6V ? Fixed 800KHz Switching Frequency ? Max. 3A Switching Current Capability ? Up to 92% efficiency ? Excellent line and load regulation ? EN PIN TTL shutdown capability ? Internal Optimize Power MOSfet
標簽： sc3633
上傳時間： 2021-11-05
上傳用戶：d1997wayne
本書介紹了功率半導體器件的原理、 結構、 特性和可靠性技術， 器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件， 包括二極管、 晶閘管、 MOSfet、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 還包含了制造工藝、 測試技術和損壞機理分析。 就其內容的全面性和結構的完整性來說， 在同類專業書籍中是不多見的。本書內容新穎， 緊跟時代發展， 除了介紹經典的功率二極管、 晶閘管外， 還重點介紹了MOSfet、 IGBT 等現代功率器件， 頗為難得的是收入了近年來有關功率半導體器件的最新的成果。 本書是一本精心編著， 并根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書， 相信它的翻譯出版， 必將有助于我國電力電子事業的發展。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2021-11-07
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AC220V轉DC(12V15W )電源板AD設計硬件原理圖+PCB文件，2層板設計，大小為100*55mm, ALTIUM設計的原理圖+PCB文件，可以做為你的學習設計參考。主要器件型號如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSfetPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上傳時間： 2021-11-21
上傳用戶：kent
SH367309是5-16串鋰電池BMS用數字前端芯片，適用于總電壓不超過70V的鋰電池Pack。 SH367309工作在保護模式下，可獨立保護鋰電池Pack。提供過充電保護、過放電保護、溫度保護、充放電過流保護、短路保護、二次過充電保護等。集成平衡開關提高電芯一致性。 SH367309工作在采集模式下，可配合MCU管理鋰電池Pack，同時使能所有保護功能。 SH367309內置VADC，用于采集電芯電壓、溫度以及電流；內置CADC采集電流，用于統計Pack剩余容量；內置EEPROM，用于保存保護閾值及延時等可調參數；內置TWI通訊接口，用于操作相關寄存器及EEPROM。產品特性介紹■ 硬件保護功能 - 過充電保護功能 - 過放電保護功能 - 充放電高溫保護功能 - 充放電低溫保護功能 - 充放電過流保護功能 - 短路保護功能 - 二次過充電保護功能 - 斷線保護功能■ 內置平衡開關■ 禁止低壓電芯充電功能■ 小電流檢測功能■ 支持亂序上下電■ 內置看門狗模塊■ 模式設計 - 采集模式（SH367309配合MCU應用） - 保護模式（SH367309獨立應用） - 倉運模式 - 燒寫模式■ 13-bit VADC用于采集電壓/溫度/電流 - 轉換頻率：10Hz - 16路電壓采集通道 - 1路電流采集通道 - 3路溫度采集通道■ 16-bit ?-?CADC用于采集電流 - 轉換頻率：4Hz■ 內置EEPROM - 編程/擦除次數：≤ 100次■ 穩壓電源 - 3.3V（25mA@MAX）■ MOSfet驅動：電池組負端NMOS驅動■ CTL管腳：優先控制充放電MOSfet關閉■ TWI通訊接口：支持CRC8校驗■ 低功耗設計： - IDLE狀態 - SLEEP狀態 - Powerdown狀態■ 封裝 - TQFP48L
標簽： sh367309
上傳時間： 2021-11-22
上傳用戶：jason_vip1
低成本和高可靠性是離線電源設計中兩個最重要的目標。準諧振(Quasi resonant) 設計為設計人員提供了可行的方法，以實現這兩個目標。準諧振技術降低了MOSfet 的開關損耗，從而提高可靠性。此外，更軟的開關改善了電源的EMI 特性，允許設計人員減少使用濾波器的數目，因而降低成本。本文將描述準諧振架構背后的理論及其實施，并說明這類反激式電源的使用價值。
標簽： 電源
上傳時間： 2021-11-23
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，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業自動化場合，功率電子器件已越來越多地使用MOSfet和IGBT，特別是IGBT獲得了更多的使用，開始全面取代可控硅來做為新型的功率控制器件
標簽： 開關電源
上傳時間： 2021-11-24
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