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Miller

很多密碼算法都要隨機(jī)選擇一個(gè)大素?cái)?shù)

很多密碼算法都要隨機(jī)選擇一個(gè)大素?cái)?shù)，這個(gè)是密碼學(xué)中的Miller-RABIN算法，判斷素性。

標(biāo)簽： 密碼算法大素?cái)?shù) 隨機(jī)

上傳時(shí)間： 2017-02-15

上傳用戶：sy_jiadeyi
MOSFET開關(guān)過程的研究及米勒平臺(tái)振蕩的抑制

設(shè)計(jì)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對(duì)電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對(duì)漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對(duì)功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

標(biāo)簽： mosfet

上傳時(shí)間： 2022-04-02

上傳用戶：默默
升壓型電源管理電路的內(nèi)部LDO設(shè)計(jì)

本論文所涉及的電源管理方案來源于與臺(tái)灣某上市公司的橫向合作項(xiàng)目，在電源管理產(chǎn)品朝著低功耗、高效率和智能化方向發(fā)展的形勢(shì)下，論文采用了一種開關(guān)電源與低壓降（LDO）線性電壓調(diào)節(jié)器結(jié)合應(yīng)用的集成方案，即將LDO作為升壓型電源管理芯片的內(nèi)部供電模塊。按照方案的要求，本文設(shè)計(jì)了一種含緩沖級(jí)的低壓降線性電壓調(diào)節(jié)器。設(shè)計(jì)采用0.6um 30V BCD工藝，實(shí)現(xiàn)LDO的輸入電壓范圍為6-13V：滿足在-25-85℃的工作溫度范圍內(nèi)，輸出電壓為5V：在典型負(fù)載電流（12.5mA）下，LDO的壓降電壓為120mv.文章首先闡述了整個(gè)方案的工作原理，給出LDO設(shè)計(jì)的指標(biāo)要求；其次，依據(jù)系統(tǒng)方案的指標(biāo)要求和制造工藝約束，實(shí)現(xiàn)包含誤差放大器、基準(zhǔn)源和保護(hù)電路等子模塊在內(nèi)的電壓調(diào)整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅(qū)動(dòng)100pF數(shù)量級(jí)的大電容負(fù)載”的問題：最后，給出整個(gè)模塊總體電路的仿真驗(yàn)證結(jié)果。LDO的架構(gòu)分析和設(shè)計(jì)以及基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)是本文的核心內(nèi)容。在LDO架構(gòu)設(shè)計(jì)部分，文章基于對(duì)三種不同LDO拓?fù)涞姆治觯x擇并實(shí)現(xiàn)了含緩沖器級(jí)的LDO.設(shè)計(jì)中通過改進(jìn)反饋網(wǎng)絡(luò)，采用反饋電容，實(shí)現(xiàn)對(duì)LDO的環(huán)路補(bǔ)償。同時(shí)，為提高誤差放大器驅(qū)動(dòng)功率管的能力、適應(yīng)LDO低功耗發(fā)展的需求，文章探討了如何使用放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的問題。基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）結(jié)構(gòu)，實(shí)踐了兩級(jí)放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的方案，并把MPC補(bǔ)償技術(shù)推廣到三級(jí)放大器的設(shè)計(jì)中。

標(biāo)簽： 電源管理 ldo

上傳時(shí)間： 2022-06-22

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升壓型電源管理電路內(nèi)部ldo設(shè)計(jì)

文章首先闡述了整個(gè)方案的工作原理，給出LDO設(shè)計(jì)的指標(biāo)要求；其次，依據(jù)系統(tǒng)方案的指標(biāo)要求和制造1藝約束，實(shí)現(xiàn)包含誤差放大器、基準(zhǔn)源和保護(hù)電路等了模塊在內(nèi)的電壓調(diào)整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅(qū)動(dòng)100pF數(shù)量級(jí)的大電容負(fù)載"的問題；最后，給出整個(gè)模塊總體電路的仿真驗(yàn)證結(jié)果。LDO的架構(gòu)分析和設(shè)計(jì)以及基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)是本文的核心內(nèi)容。在LDO架構(gòu)設(shè)計(jì)部分，文章基于對(duì)三種不同LDO拓?fù)涞姆治觯x擇并實(shí)現(xiàn)了含緩沖器級(jí)的LDO./設(shè)計(jì)中通過改進(jìn)反饋網(wǎng)絡(luò)，采用反饋電容，實(shí)現(xiàn)對(duì)LDO的環(huán)路補(bǔ)償。同時(shí)，為提高誤差放大器驅(qū)動(dòng)功率管的能力、適應(yīng)LDO低功耗發(fā)展的需求，文章探討了如何使用放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的問題，基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compersation）結(jié)構(gòu)，實(shí)踐了兩級(jí)放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的方案，并把MPC補(bǔ)償技術(shù)推廣到三級(jí)放大器的設(shè)計(jì)中。文章設(shè)計(jì)的CRF（CRF：Current Re ference controlled by Feedback）電流基準(zhǔn)是基于對(duì)傳統(tǒng)自啟動(dòng)基準(zhǔn)電流源的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)的。CRF基準(zhǔn)電流源架構(gòu)中存在一條阻性的電流道路，確保其在加載電源電壓的過程中能夠?qū)崿F(xiàn)快速啟動(dòng)，響應(yīng)速度達(dá)到1ps：而傳統(tǒng)自啟動(dòng)基準(zhǔn)電流源在相同的設(shè)計(jì)參數(shù)下，響應(yīng)速度長(zhǎng)達(dá)120us.CRF基準(zhǔn)電流源突破了響應(yīng)速度對(duì)其應(yīng)用的限制。

標(biāo)簽： 電源管理 LDO

上傳時(shí)間： 2022-06-23

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