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Ms 常見問題

ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

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ESD_Technology

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。

標簽： ESD_Technology

上傳時間： 2020-06-05

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上傳時間： 2014-01-04

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標簽： VTK

上傳時間： 2014-01-27

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電磁場計算中的時域有限差分法（王常清） pdf版

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標簽： 電磁場計算時域有限差分

上傳時間： 2013-04-15

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常微分方程手冊

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標簽： 常微分方程

上傳時間： 2013-05-16

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好就好·模具網-Pro-e野火2_0、3_0常用經驗和常遇問題-模具文章ht

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標簽： Pro-e 模具經驗

上傳時間： 2013-05-17

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Pro_ENGINEER應用技巧100問 .PDF

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標簽： Pro_ENGINEER 100

上傳時間： 2013-06-26

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Pro_ENGINEER應用技巧100問-550頁-16.5M.PDF

專輯類-Pro-E教程及相關資料專輯-134冊-38.9G Pro_ENGINEER應用技巧100問-550頁-16.5M.PDF

標簽： Pro_ENGINEER 16.5 100 550

上傳時間： 2013-04-24

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電磁場計算中的時域有限差分法（王常清）-382頁-12.3M-pdf版.pdf

專輯類-微波相關專輯-共31冊-341M 電磁場計算中的時域有限差分法（王常清）-382頁-12.3M-pdf版.pdf

標簽： M-pdf 12.3 382

上傳時間： 2013-04-24

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