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標(biāo)簽： PADS

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：michael20

IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為   PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海

一種無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開(kāi)關(guān)電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開(kāi)關(guān)電源芯片，測(cè)試板加芯片資料

標(biāo)簽： 4016 XL 高效率 大電流

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：Shaikh

單片開(kāi)關(guān)電源最新應(yīng)用技術(shù)

單片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 單片開(kāi)關(guān) 電源 應(yīng)用技術(shù)

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：liu123

新型單片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用

單片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用

標(biāo)簽： 單片開(kāi)關(guān) 電源設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：熊少鋒

單片開(kāi)關(guān)電源

單片開(kāi)關(guān)電源

標(biāo)簽： 單片開(kāi)關(guān) 電源

上傳時(shí)間： 2013-12-23

上傳用戶：葉夜alex

基于TOP243Y的單片反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)方法，給出了利用單片開(kāi)關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計(jì)實(shí)例，對(duì)外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和說(shuō)明，并對(duì)設(shè)計(jì)樣機(jī)進(jìn)行組裝和調(diào)試。

標(biāo)簽： 243Y TOP 243 反激

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：huyanju

單片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例

單片開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例

標(biāo)簽： 單片開(kāi)關(guān) 電源 設(shè)計(jì)實(shí)例

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶：xiaoyunyun

+12V、0.5A單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源電路

+12V、0.5A單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源，其輸出功率為6W。當(dāng)輸入交流電壓在110～260V范圍內(nèi)變化時(shí)，電壓調(diào)整率Sv≤1％。當(dāng)負(fù)載電流大幅度變化時(shí)，負(fù)載調(diào)整率SI=5％～7％。

標(biāo)簽： 0.5 12 單片開(kāi)關(guān) 穩(wěn)壓電源電路

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：han_zh